晶体管导通时ube是多少，锗晶体管的导通压降约为多少

1，锗晶体管的导通压降约为多少

0.2-0.3v

我是来看评论的

锗晶体管的导通压降约为多少

2，在晶体管放大电路中测得Ic2mAIe202mA求Ib和各为多少

Ie=Ic+Ib所以Ib=2.02-2=0.02β=Ic/Ib=2/0.02=100

ie=ib+ic=ib+2ma=2.02ma，所以ib=20ua,被他=2ma/20ua=100.

在晶体管放大电路中测得Ic2mAIe202mA求Ib和各为多少

3，模拟电子技术基础模电里的基本放大电路的Ubeq是什么问

是静态be结导通电压

Ub三极管的基极电压；Ue三极管的发射极电压；Ubeq三极管的基极到发射极的静态电压；

你好！静态工作点或者说是静态工作点下Ube的值如有疑问，请追问。

静态工作点或者说是静态工作点下Ube的值

结电压例如硅管一般取0.7

模拟电子技术基础模电里的基本放大电路的Ubeq是什么问

4，已知图52所示三极管的UBE07V50Rb377k Rc6k RL3k

你好：根据题中信息，可得：1. IB=(Vcc-UBE)/Rb=11.3V/377kΩ≈0.03mA，则IC=50*IB=1.5mA，得UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-1.5*6=3V＞饱和电压，所以管子工作在放大状态；2. 因不知rbb大小，根据《模拟电子技术基础》中约定为300Ω，所以rbe=300+51*（26/1.5）=1.184kΩ，则Au=-50*(RC||RL)/1.184≈-84.5倍，输入电阻Ri=Rb||rbe≈1.18kΩ，则Aus=Ri/(Rs+Ri)*Au≈-78倍；3. 输入电阻Ri=1.18kΩ，输出电阻Ro=RC||RL=2kΩ。希望我的回答能帮助到你。

5，当三极管导通时Ube07V这个Ube指哪里的电压

所谓导通，就是指在三极管的ce之间出现比较大的电流。导通可以有两种形式，饱和导通或者是放大导通。饱和和放大的区别主要是在基极电流和集电极电流的关系上，三极管最主要的一个特性就是电流放大特性，即用一个小电流（基极电流）可以去控制一个大电流（集电极电流），这个控制是线性的，即比例常数不变（也就是电流放大系数贝塔b）；不过在现实中，集电极电流总有一个上限，当基极电流达到一定程度后，集电极电流不再按原来的比例常数变化了，这种状态称为饱和。如果要分析：你可以按教科书的规律来，即发射结正偏和集电结反偏就是放大，两个都正偏就是饱和，现在你的数据，ube是0.7v，假定e是0v，那b就是0.7v，而uce是0.3v，这样c极相当于0.3v，两者一合计，集电结和发射结均正偏，自然是饱和无疑（你的电压高低顺序是错误的，以你的参数，应该是b>c>e），既然是饱和，就意味着ce之间还是存在电流通路，当然导通了。你的后面那个算式更是错误，ubc是指b和c之间的电压差，b是0.7v，c是0.3v，所以ubc是0.4v，这种电压表示法是两个点的电压差值，而不是两个pn结的电压差值。

是的

6，三极管的Ube测量

这样测量的问题，你实际上是想问两次的测量，表的内阻对测量结果的影响。这也得分情况而定。表的因素：如果用数字表。它内阻很高、精度也高，两次测量与一次测量的误差就小。而指针式的表要看它的测量精度和每伏的欧姆数，如常用的500型的直流电压档是20000Ω/v 精度是2.5级，基本上能达到要求。再低一些的如有5000Ω/v就影响较大。电路的因素：有的电路e极本身就没有电阻，是直接接地的，这肯定就没有影响，有的e极有电流反馈电阻，理论上就要有影响。（因为测量时相当于把万用表的内阻并在了发射极反馈电阻上，多少要改变电路的工作状态）而测量b极电位时同理。

晶体管的输入特征曲线是描述晶体管在管压降uce保持不变的前提下，基极电流ib和发射结压降ube之间的函数关系，即ib=f(ube)|uce=const.输入特征曲线是描述各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们晶体管内部载流子运动规律在管子外的表现。它是分析放大电路技术指标的重要依据。硅管三级管的开启电压为 0.5v，发射极导通电压uon约为0.6~0.7v.因为晶体管的伏安特性是非线性。且开启电压、等效电阻是存在一点不稳定的。所以ib存在一点波动。

7，电路如下图所示晶体管导通时Ure07v100分析Vbb012V三种

Vbb=0V时，三极管截止，Uo=12V；Vbb=1V时，Ib=（1-0.7）/5k=60uA，Ic=100*Ib=6mA，Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V；Vbb=2V时，Ib=（2-0.7）/5k=260uA，三极管饱和时Ic=12/1k==12mA，需要的Ib饱和电流为12mA、100=120uA，而此时Ib大于饱和电流，故三极管饱和，Uo=0.1V。三极管工作状态1.截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。2.放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。3.饱和导通：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化。这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。三极管饱和后C、E 间视为短路.三极管截止后C、E 间视为开路.三极管构成的放大电路，在实际应用中，除了用做放大器外（在放大区），三极管还有两种工作状态，即饱和与截止状态。三极管饱和状态下的特点:要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES＝0.7V（锗管UBES＝－0.3V），而UCES＝0.3V，可见，UBE＞0，UBC＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES很小。.饱和后IC不会随着IB的增加再增加，三极管饱和后C、E 间视为短路。三极管截止状态下的特点:要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB＝0，此时集电极IC＝ICEO≈0（ICEO 为穿透电流，极小），根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时，基极电流IB＝0，而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见，UBE≤0，UBC＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。三极管截止后，C、E 间的截止电阻RCE＝UCE／IC，UCES 很大，等于电源电压，ICS 极小，C、E 间电阻RCE 很大，所以，三极管截止后C、E 间视为开路.三极管放大状态下的特点:要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0＜IB＜IBS。三极管放大时，基极电流IB＞0，对硅管来说，发射结的压降UBE＝0.7V（锗管UBE＝－0.3V），三极管在放大状态时，集电极与发射极间的电压UCE＞1V 以上，UBE＞0，UBC＜0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而变化，且IC 的变化比IB 的变化大得多，即集电极电流IC＝β×IB。扩展资料三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件。可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！1.电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）2.双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）3.J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）4.金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称5.V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升。但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。参考资料：搜狗百科三极管

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