1，s20c40肖特基二极管与快速整流二极管的正向阻值各是多少有何区别

特基二极管 大多使用其地正向压降 VF 0.56V 但是其反向电压 VR 较低 仅20-40V TRR约5-25NS 快速整流二极管 FR 大多使用其较高VR 还有其稍高的 TRR: 25-250NS 但是其VF 偏高约0.95-1.38-0

s20c40肖特基二极管与快速整流二极管的正向阻值各是多少有何区别

2，二极管电阻一般是多少

二极管为非线性负载元件,它的电阻不是一个常数,与材料,温度和所加的电压有关.但是, 在 一定条件下,呈现出单向导电性,所以,一般有正反向电阻表示它的这种性质. 一般硅管二极管正向导通电压为0.7V左右,锗管为0.3V左右 ,反向电阻一般在几百到几千千欧,硅管要大些.

二极管电阻一般是多少

3，PMOS管到底是怎样截止的啊

你这个图，应该是二极管D1接反了，Q2实际上没有导通。
en为低，三极管截止此时pmos栅极电压为12v，vsg=24-12=12v>>vth，pmos导通，out端当然有电压了r2和r1分压了，你把r2拿掉就不会有这个问题

PMOS管到底是怎样截止的啊

4，怎么用万用表测量MOS管的好坏

MOS管导通前后有什么区别？怎么用万用表检测MOS管的好坏？和三极管方法一样吗？ 00:00 / 01:3670% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

5，关于PMOS栅源电压

你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此
vds是漏源电压，不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v，表示漏极与源极之间耐压为30v，前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的（与n沟道相比）。

6，在mos管的源极和栅极之间并一个电阻是为保护MOS的寄生电感在电源瞬

mos管如果G端悬空的话，会使mos管导通，造成mos管因电流过大而烧毁，加电阻的作用是拉地电阻，起到限流的作用，防止其悬空导通烧毁！MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管，特别要注意防止栅极开路工作。

7，如何检测pmos管的好坏我刚买的PMOS管用万用表测量DS两端

首先将 MOS管 三个引脚 G D S 短路放电，然后测量，如果不放电的话， GD 或 DS 是导通的，所以先放电，放电以后，将数字万用表打到二极管挡（蜂鸣档） 红表笔接D级，黑表笔接G级，正常数值为“1” 然后将红表笔接D级，黑表笔接S级，看数值，然后掉换表笔测量，只要测量出来几组数值，有一组为300-700欧姆之间，则该管子是好的，如果放电以后，测量MOS管三个脚其中一组数值为001则该管子击穿，如果测量出来三组数值都为“1”该MOS管内部开路。
你好！要将G-S短路后再测 ,并且注意正负极不能搞错希望对你有所帮助，望采纳。

8，mos管里面集成的体二极管为什么特性极差类似坏的二极管就不能集

V-MOS管里面的二极管并不是集成进去的，而是制造工艺不可避免的与“底衬”之间的寄生二极管。“特性差”是测量过程不规范，把栅极与漏极短路起来测量就行了。
对于增强型场效应管或者说现在常用的功率mosfet，漏极到源极之间有一个本体二极管，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，耐压=场效应管耐压，方向n沟道的是源极为正、漏极为负，p沟道相反！如果你是想用mos进行同步整流，则是将mos倒着接，利用体二极管方向进行整流，同时在产生整流电流时驱动mos导通，失去整流电流时要同时关断mos，利用mosfet的到通电流无方向的特点，在需要整流瞬间短路整流管获得高效率

9，一个关于二极管的阻值问提

反向电阻确是可以看成一个接近无穷大的电阻.正向电阻绝不能看成4K的电阻,你如果用模拟万用表换个档量的话如*1/*10档时它的阻值就会相应变成几十欧几百欧了.二极管有个正向死区电压,约零点几伏.在这个电压下它的阻值大,超过了就完全导通了.万用表的正向示值没太实际的意义.
二极管有个伏安特性曲线，在未导通之前有个电阻显示的会很大，导通后，电流很大。阻值也就小了。方向是被截止的。但是也有电压范围。
二极管不是线性元件，所以在不同的电压电流环境下，正向电阻是不同的；所以万用表电阻档位不同，测出的二极管正向电阻也是不同的就是说，二极管的正向电阻不是一个固定值
反向电阻确是可以看成一个接近无穷大的电阻.正向电阻绝不能看成4K的电阻,你如果用模拟万用表换个档量的话如*1/*10档时它的阻值就会相应变成几十欧几百欧了.

10，mos 管的问题

如果你的目的是让LED发光，那么这里MOS的作用就是开关了，做开关导通的时候，MOS工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候Vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明Vds>Vgs-Vt，也许直接MOS管把你准备用来给LED的开启电压都用光了。。。当然了，还是得看整体电路。
二极管a（b）与稳压管dz1串联，起温度补偿作用，因为当温度变化时，若稳压管（工作在反向电压下）两端电压变大，正向工作的二极管的端电压就要变小，两者相加就基本不变；这个3.6v稳压管产生的3.6v电压+二极管的0.6v电压是给这个mos管提供正向偏置的。因为这是一个增强型n沟道mos管，必须给g极提供一个与d极相同极性的电压，并且要大于开启电压，才能使该管进入放大状态。 c9、c10两个电容应当是退耦电容（避免由于电源内阻引起前后级间互相影响）。 那两个电阻不是线绕电阻。是镍铜电阻。。

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