1，mos管3401导通电圧几伏最合适

没有说几伏最合适的，而是要根据你的方案选择合适导通电压的mos管，像3401这种的开启电压一般在1-3V

mos管3401导通电圧几伏最合适

2，电力MOSFET驱动电压是多大

MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。

电力MOSFET驱动电压是多大

3，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。 开启的阈值电压4-5V。 关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

4，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类似的三极

MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，严重了会直接烧坏。栅极驱动电路的作用就是使“电容”更快充电，使MOS管导通或关断速度更快。大功率三极管也需要电流驱动电路啊，提供三极管导通所需的基极电流。

5，IRFB3206的导通电压是多大啊还有mos管的导通电压是不是电压

最佳导通电压为20V，这个在规格书上有写的。在0~30V以内Vgs电压越大，导通内阻越小，但要注意MOS管的耐压值，Vgs电压不能超过这个耐压值~

6，mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。 N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。 假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

7，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

8，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件， 也 就是说，前者是流控，后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

9，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。
你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看，大概11V左右。

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