1，数电中MOS管截止了到底有没有漏电流

这主看你这漏电流的大小标准了，标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的，后一个有是实际中的。
没有

数电中MOS管截止了到底有没有漏电流

2，MOS管在截止区时它的截止电流公式是什么 求大婶助我

截止区的时候，就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了这个时候是没有电流的只有少部分漏电流具体的值参考MOS管手册提供的参数。
无论面积大小一定存在漏电流，但看你接受程度了，一般220封装或247封装漏电流最大不过在几百na级别，

MOS管在截止区时它的截止电流公式是什么 求大婶助我

3，由于封装限制mos管的最高电流为75安

除了封装，还有Rdson电阻，组值大的话通流量大了功率消耗就多，mos管容易达到结温
80v 100a以上 那么小的封装 散热如何处理。我记得p管好像有50a的 。如果是峰值电流100a的话 好像还可以选几款，并且还要考虑占空比。直流的话好像不可能吧！

由于封装限制mos管的最高电流为75安

4，在图中的mos管截止时电流会不会从寄生二极管里面走有什么解决

不会，这个二极管工作在反向状态，反向电流极为微弱，可以忽略不计。另外，这个二极管实际上是等效出来的，而真正的做一个二极管在上面，主要起保护，防止反向击穿的。
不会，图中是NMOS，一般情况下NMOS管在电路中D极接输入端，S极接输出端。MOS管截止，根据二极管特性（正向导通，反向截止）D极到S极还是截止的。
用两个PMOS接.

5，0v时耗尽型mos管的等效电阻是多大或此时Id电流为多少

如果是n型mos管，当Vgs（栅源间电压）=0v时，在衬底中没有形成反型层，所以是在mos管的截止区，是没有Id的。但当是p型mos管，当Vgs（栅源间电压）=0v时，如果是耗尽型mos管，那么根据一般的参数（拉扎维模拟cmos集成电路设计书上的），Vth（开启电压）=-0.8V，Vgs-Vth<<0，故器件还是没有导通，所以Id仍为0。
耗尽型的MOS管，在Vgs=0v时，反型层就存在，这时若有漏电压Vds，就有电流Id，具体多少，得有相关参数，才能确定。
你好！很高深。希望对你有所帮助，望采纳。

6，大功率mos 管irfp4468在开通和关断时需要多大栅极电流在开通关

怎么你遇到不可逾越的困难了吗？看你一直问这方面的问题。不如你说清楚你的要求，比如驱动源（单片机还是逻辑电路还是其他）、控制逻辑（高电平开通还是低电平开通）、控制电压、控制电流、开通截止时间，帮你设计一下。大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。至于控制mos管的三极管，只要耐压足够，几乎是个三极管就行，对规格尤其是额定电流基本没要求，因为是弱功率控制。
上面一位回答是对的。我不是纠错，我是帮助解决烧管子的。问者烧管子，是因为线圈突然断电时产生的高电压击穿管子，消除高电压的方法很简单，只需在线圈两端并联一只1A的二极管就可以了。二极管的+极一定接线圈受电的+端。再看看别人怎么说的。

7，mos管的电流走向

这位朋友：首先我肯定地说你这个电路图如果作为原理图的话，那准准是错的！因为没有人能够看懂它，也根本行不通！但是如果是个实际的接线图，或是叫作原件图那就是另外一回事了。它就是对的了。这不怪你，就应该怪厂家。厂家是经常这么干的！特不是东西！故意留一手。我在这里告诉你看不懂的怎么回事：二只MOSFET管其实内部是带有二极管的，你把二只二极管补上，那你就看得明明白白了。二极管的接法是D端负极S端正极。这时你再分析它的工作 原理吧！很简单：在计算机有信号时，电流顺时针流动（左侧的管子导通，右侧的管子是通过管子内部所接的保护二极管导通的）；在没有信号时，虽然左边的管子可以通过内部的保护二极管导通，但是由于 没有信号驱动右边的管子又不导通，所以防止了所为反冲。 不知你说的一通一断是什么意思？你想想：当左边的太阳电池没电了，蓄电池电压会反过来通过左边的管子所并的二极管加到右边的管子上，那么当在信号时右边的管子是可以导通的！你说的是不是这介意思？我猜的。

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