场效的饱和压降是多少，一般情况下饱和压降用什么符号表示

1，一般情况下饱和压降用什么符号表示

Vsatsaturation（饱和）

你好！Pa (帕斯卡）希望对你有所帮助，望采纳。

既然是“压降”，自然用压强单位

一般情况下饱和压降用什么符号表示

2，三极管的饱和压降VCES的值究竟是1V还是03V还是应该根据其他的来

Vecs是Ic的函数，不同的集电极电流下各不相同。应该从三极管的输出特性曲线上去查找，就是最靠纵坐标的那条竖直斜线。在大电流应用时，2V、3V都有可能。

0.3V再看看别人怎么说的。

三极管的饱和压降VCES的值究竟是1V还是03V还是应该根据其他的来

3，饱和管压降什么饱和

集电结处于正向偏置时，晶体管工作于饱和状态，这个饱和状态值的是电流饱和，因为当集电结处于正向偏置时，导通，管压降也就是他导通时的电压降

三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫饱和压降。

饱和管压降什么饱和

4，三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

数电答法？三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。具体的深度饱和电压与具体的型号有关，一般0.3v（功放类的大一些为1点多伏）

5，小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v有人能解释清楚吗

对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue)，集电结正偏(Ub>Uc)，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0.7V的，否则就不能满足饱和的条件了。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？你们书写错了，饱和时的VCE不可能是0.7V，而是0.3V！

6，如何计算三极管饱和压降

饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。

三极管的饱和压降一般是常数，硅管约为0.3V，锗管约为0.·1V

测试三极管饱和压降vce(sat)，顾名思义就是测试三极管在饱和状态时vce的数值。具体到某一个型号的三极管，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2sc3852是一个低饱和压降的三极管。它的测试条件中规定了要在ic=2a,ib=50ma条件下测试vce的数值。

7，什么叫饱和压降放大倍数和开关时间

饱和压降指的是三极管饱和时，其集电极和发射极之间的电压。当三极管饱和后，基极电流的增加不会引起集电极电流的变化，此时三极管饱和，其饱和压降在0.4-0.2V（管子不同这个数字也不同）。在三极管放大电路中存在电流放大倍数和电压放大倍数。其中电流放大倍数是三极管固有的（制造时以确定），而电压放大倍数是由电路的结构形式来确定，例如共集电极电路就没有电压放大倍数，而共发射极电路就有电压放大倍数。当三极管作为开关管使用时，它的工作过程就是两个状态，饱和导通和截止。开关时间指的是导通到截止或者截止到导通这个时间，例如当基极加入一个可以使三极管饱和导通的电压，此时三极管不能马上就进入饱和状态，需要一定时间（虽然很短），那这个时间就是开关时间。

开关管在截止(管压降大，但电流极小)和饱和导通(管压降很小，电流达最大值)时，管耗是很小的，但在开关和截止的转换过程中，管耗比较大。所以平均管耗和开关的速度是有关的。同一管子用在低速开关电路中可以不加散热片，但用在高速开关电路中，就要加散热片。

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