1，关于24C02 可读写的数据类型的问题

读操作没有时间要求，写操作一次最多8字节，需要得到10ms以上来固化数据。

关于24C02 可读写的数据类型的问题

2，AT24C02多字节连续读写问题

这个系列的存储器最多只能8字节页写模式吧。人家生产商是这么规定死的了，没办法。把16个数据分两次写吧。

AT24C02多字节连续读写问题

3，AT24C02多字节连续读写问题

这个系列的存储器最多只能8字节页写模式吧。 人家生产商是这么规定死的了，没办法。 把16个数据分两次写吧。

AT24C02多字节连续读写问题

4，24c04一次性读写最多分别为多少字节为什么

请参考：24C04一次可写入16个字节，超过16个字节自动翻转将清除前面写入的，24C02一次只能写入8个字节。你的24C04一次写入10个字节程序应该运行正常的。希望对你有参考作用

5，24C02连续读问题

每次读数据后延时久点试试，，，
“其他的24c02管脚都接地了，”vcc没接地吧 ^_*地址从0开始到0xff，器件地址为0

6，AT24C02C与AT24C02B与AT24C02的差异

24C02C,是400K的，24C02B是100K的，24C02有多种电压的版本1.8V和2.7V的速度是100K，5V的速度是400K。如果你的系统是5V的尽量采用5V的芯片，如果是低压的，就只能修改程序，把速度调慢了。

7，24c02页的读写小问题谢谢

1、对2、使用页写功能，不能跨页写，从5写3，再换页写3
读操作没有时间要求，写操作一次最多8字节，需要得到10ms以上来固化数据。

8，24c04一次性读写最多分别为多少字节为什么

请参考：24C04一次可写入16个字节，超过16个字节自动翻转将清除前面写入的，24C02一次只能写入8个字节。你的24C04一次写入10个字节程序应该运行正常的。希望对你有参考作用
此芯片的一页（page）为8字节，就是启动一次写操作后，可以连续写8个字节，如果你一次性写10个，每个都重新启动写操作当然没问题。
分多次写入，每次1个字节，地址自动加1.读取的时候，也一个字节一个字节的读出

9，从24C02中读取一个字节

24c02先字节写，再随机读（指定地址），注意以下两点就ok了：1. 每次写入24c02 1个字节数据后，24c02会从sda引脚给单片机一个低电平信号，表示24c02已收到这个字节，所以你要去判断有没有这个低电平。2.数据写完之后，给一个停止信号后一定要延时10ms，24c02需要这么久载入数据。
unsigned char *RamAddress:从24C02读出的数据存放到某一RAM中，这个参数就是指向该RAM地址的指针,unsigned char RomAddress：待读数据在24C02中的地址unsigned char bytes：规定读出数据的大小，单位是字节

10，单片机存储器24C02的问题

可以设定满度与零位调整两种!零位调整为每次查询到加1或减1键后对零位进行加1或减1，然后把这个零位与检测到的温度值相加，满度调整为对检测到的温度先乘以满度调整系数再除1000即可！，修改方法同零位的增减一样！注意：每次修改后的值要写入24C02,以便下次上电复位后读出来，此外每次上电复位后，要首先读出24C02中的值，到于24C02的读写方法，给你一个网站你自己学习一下http://www.mculib.com，注册后可查询其中的资料！祝你进步
呵呵，看来你对单片机的输入输出端口不是很熟悉！置一是正为了读取端口引脚上的电平！你置一后，端口引脚便是高电平了，这个高点平是内部上拉电阻提供的！当外部加个低电平到引脚上时，这个高电平会被拉成低电平！这样便可以顺利读得高低电平！如后你置零的话，不管外部输入高电平还是低电平都被单片机内部拉成低电平，这样你读得的一直是低电平！

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