电力二极管的管压降为多少V，请问二极管的电压降是什么意思啊例如一个二极管的电压降为08V

1，请问二极管的电压降是什么意思啊例如一个二极管的电压降为08V

硅二极管是0.65V左右，锗管是0.3V。这是材料决定的。只要有一定电流通过他就能保持该压降。电源电压对其没太大影响

请问二极管的电压降是什么意思啊例如一个二极管的电压降为08V

2，理想二极管的导通正向压降是多少

硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全悬空（无电流），或者该二极管并联有其它几乎无压降电路造成。二极管并联有其它电路。当电路板上的二极管并联有其它元器件时，直接在电路板上测量其正向导通压降是有可能为0V的情况。扩展资料：导通内阻20mΩ的场效应管，工作电流为1A时，压降只有20mV，几乎零压降。上图是采用P沟道的场效应管代替普通二极管作为防反接电路。其具体工作过程为：（假设电源为10V，二极管D1的压降为0.7V）上电瞬间，场效应管控制端G极串联电阻R1接负极，电压为0V，漏极D电压为10V，S极电压为0V，VGS=0V，场效应管截止。然后电流从二极管D1流过形成回路，电流经过场效应管S极时，S极的电压为9.3V，此时VGS=-9.3V，场效应管Q1饱和导通，此时二极管的压降几乎为零。由此可见，虽然正常工作时二极管D1的压降几乎为零，完全不起作用。但是去掉这个二极管就不行，去掉之后场效应管Q1永远无法导通。

理想二极管的导通正向压降是多少

3，二极管两段加上正向电压后有一段死区电压锗管为多少v伏

二极管两段加上正向电压后处于导通状态，硅管的正向压降为0.7V 锗管的正向压降0.3V，必须大于正向电压才能处于正常工作状态。

0.3v

二极管两段加上正向电压后有一段死区电压锗管为多少v伏

4，二极管由什么材料制成的每种的压降是多少

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。能够使二极管正常工作的最低正向电压称为导通电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。正向偏置时的压降为导通电压。反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。只要对二极管施加反向的电压就叫反向电压。一般反向电压没有数值定义。无论电压多大，只要是反向的，就是反向电压。外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。扩展资料外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

5，如图已知Va23VVD1VD2为硅二极管其管压降为07V试估计

Uab = - 0.7 + ( - 0.7) = - 1.4 VVb = Uab + Va = 1.4 + 2.3 = 3.7V

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

6，什么叫二极管的管压降

二极管的管压降是指二极管的正向电压降。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降，在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管是由PN结构成的，任何一种材料的PN结在正向导通时，都会有电压降，硅管是0.7V 锗管是0.3V。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。扩展资料：二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。2、反向特性。在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。参考资料来源：百度百科—二极管

7，220伏电源串一个二极管降压多少v

电压有效值降为0.707倍（156V），电压平均值降为0.45倍（99V）。问的是那个电压？

硅二极管大约0.5~1v，看通过的电流大小。在ma数量级时为0.7v，每差一个数量级大约差0.1v。

8，电动车充电器输出二极管正常压降是多少

不串二极管，如果输出电压超过42V的话那就不好了，最好把输出的电压控制在41.5-42V，我说是空载，如果不串时有42.5V了，那就串个6A10，这样减去0.6V就等于41.9V了，如果不串二极管也只有42不到那就最好了，不要串了，只要不接错极性没事的！

0.65V左右的电压。

一般充电器的二极管不容易损坏，如果还可以继续充电，只是二极管不亮了，更换一个就可以了，如果不能充电，可以检查电源部分，比如保险等、

9，二极管的死区电压管压降

其实你不用把课本扣的太紧，这样反而使你读书的效率变慢，有很多东西都是长时间在阅历中慢慢体会到的。二极管的死区电压，就是说低于驱动二极管的电压，各种二极管的阈值是不一样的，而管压降，说白了，就是指加在二极管中上的电压。这时你就把二极管看作一个特殊的电阻就是了，这里的特殊，是指加在它身上的电压不会超过0.7v。二极管反向击穿，这里二极管加反向电压，就类似于电容的特性，在不加电时，电子有向一端流动的趋势，而加了反向电压，就使电子“被迫”反向移动，既然是被迫，当然电子会与外界压降抗衡，直到二极管内部电场小于外界电压时，电子就反向移动（当然还有原来的仍在反抗），此时就是击穿。稳流这个我不知道，整流我倒是知道，就是桥式电路，把不稳定的电源整理稳定。