1，三极管放大电压电流

共集电极电路接法，电流放大倍数大而电压放大倍数小；共基极电路接法，电流放大倍数小而电压放大倍数大；共发射极电路接法，对电压和电流的放大倍数都大。

三极管放大电压电流

2，请问N120702和2N2907三极管的参数

2N2222A 电流增益带宽积(ft) 最小250MHZ 放大倍数 100-300　　2N2222/2N2222A 是一小功率NPN三极管,封装形式有TO-18，TO92两种封装如下图所示。　　可与2N2907/2N2907A PNP管做互补对称管使用。
二种同属性能致PNP管、产厂商同

请问N120702和2N2907三极管的参数

3，请问有谁知道三极管的放大电流是怎么求的 公式是什么

您是指电流放大倍数吗？三极管具有电流放大作用，体现在满足内外部条件的情况下，基极的小电流控制集电极的大电流。β=IC/IB
关于三极管的内部结构以及为什么回放大信号，你可以参考我给的联接，你老师说错了，直流信号之所以可以被三极管放大（在未饱和状态）——————是因为任何一个三极管放大电路中集电极都接的有一个高于基极信号n倍的直流电源 ！如果uce=0.7v ube=0.7v （p型硅） 你去问问你的老师，问这个电路可不可以放大基极信号？
Ic=hFE*Ib

请问有谁知道三极管的放大电流是怎么求的 公式是什么

4，三极管如何电流放大

把直流静态工作点做好 就很不错了 当电源12v时候 静态工作点电压 等于电源一半 调节偏置电阻大小实现 当然 可根据三极管放大倍数 算出 偏置电阻大小
工作在放大状态，发射极正偏，集电极反偏。从集电极到发射极的电流是基接电流的 贝塔倍。
根据电路构型来，要分辨它是共射，共集还是共基，所谓的共x，就是根据微变等效电路中，输入回路和输出回路的公共端来分辨的，公共端为发射极，就是共射。 至于电流放大和电压放大，等判断出了共x放大电路就可以判断了。如果是共射，则同时有电流和电压放大，共基只有电压放大，共集只有电流放大。

5，三极管电流放大电路

一路10mA，50路的0.5A啦，电源电流可得保证，一般的7812电流没这么大会很烫，用开关LM2574-5或者可调电源（我不能上传图片级数太低）
具体原理不是三言两语能说清的.几个要点:1.要有直流偏置且要稳定,不随温及电源等变化.2.要有大的放大倍数,也即三极管的放大倍数要大.3.我觉得单晶体管直流电压表的电路移植过来倒是挺合适的.该电路在<>杂志1974年3期上.
可以先分析一下：如果LED并联，那么就像二楼说的那样，50路就要0.5A如果串联，因为每只LED的导通压降为1.7V，那么50个就要求电源电压为85V所以只能选择并联，78系列的稳压IC在加散热片的情况下的最大输出电流是1.5A，可以满足电流要求，三极管选择中功率的就可以了

6，三极管放大电流能达到多大的输出电流

型号不同，最大输出电流也不同，有能达到上百安培的。
输出特性表示ic随uce的变化关系（以ib为参数）从图2（c）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 截止区当ube＜0时，则ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即ic=iceo称为穿透电流，常温时iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流icbo的关系是： icbo=(1 β)icbo 常温时硅管的icbo小于1微安，锗管的icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，icbo 数值增大一倍，虽然硅管的icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，ic随ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，ic基本上不随ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
具体的要看型号而定，不过一般都是1A左右。

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