1,MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

一般在3.3~4v时可以导通,10v是内阻达到最小,不要超过10v使用
实际使用的时候,要想使其可靠截止,尽可能将VGS保持0或反向电压,即N沟道,VGS≤0V,P沟道≥0V。

MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

2,MOSFET两端电压DS有限制吗

有限制,这个限制和你选择的mosfet管的VGS相关。你查选择的MOSFET的VGS就行了。
三极管有反接ce极的,这种非常规的应用很少。至于mosfet,ds反接应该是不可以的,但是我觉得试一下的好。

MOSFET两端电压DS有限制吗

3,谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

是DS(工作)电流的函数,理想的为二次根式型。一般G高于S约1~2V。楼主概念有误:G与D没有什么定量的联系,只要D高于G就可以正常工作。
你好!不知道如有疑问,请追问。
没有固定值 要试情况而定

谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

4,变压器的漏感只会在MOS管关断的时候对MOS管DS间的电压产生影

电工学中有一个基本常识。电感中的电流不能突变。电感中的电流突变就会在电感两端产生高电势以抵抗电流的变化(电流突变意味着磁路中磁场的快速变化,所以就会线较中产生感应电势 )变压器也一样。MOS管导通时变压器中的电流处于稳态或缓慢变化所以就不会产生反峰电势
这是一个类似电路,升压用igbt比较好,单片机的pwm波形一般不能直接驱动mos管,驱动电流不足一般加一个放大电路和隔离电路
你说呢...

5,帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

你图上是双极性晶体管,按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1),右边,当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k),假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510),那么当v_do_carera=1v时,大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看,大概11V左右。
Q94MOS的开通电压是12V,当Q92管子导通时,Q94是截止的,当Q92截止时,加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压,割切R097的电阻很小,可以忽略,所以MOS的门极电压是大约12V。

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