1，晶振 参数

一般应用只需要关注CO、RR、CALD.L.:振幅CL：负载电容CO：等效电容（静态电容）RR：串联等效电阻（动态电阻）CAL：频准度TEM：频率-温度特性IR：静态电阻
晶体谐振器常用的参数ci或rr代表等效阻抗c0 ：静电容c1：动态电容dld：激励功率特性，不代表任何值dld2：一系列的功率下等效阻抗的最大值和最小值的差fdld：一系列的功率下频率的最大值和最小值的差rld2：一系列的功率下等效阻抗的最大值

晶振 参数

2，stm32的8m晶振电容多大

这个你去看手册，去电气特性里面找，比如下面这个是stm32F060C6，写着5-20。像有的103是5-25以上，电容是是有计算步骤的，虽然20、22pf用的可能比较多，你看看你的是什么型号然后去找对应的原理图做参考。stm32有很多种，是有区别的。电容不能随便用
20-30P均可以使用。
起振作用，20p~30p都可以，最好在晶振两端加一个1M欧的电阻
8M晶振一般20～27pF的电容都可以。

stm32的8m晶振电容多大

3，这个晶振有多大

这个晶振是30MH的，NSK是品牌，30.000才表示的是频率的意思，3M只是一个编码，每批次不同的货价格也都不一样。
jitter要看晶振的手册 大小变化很大 小的0.2ps 大的到几ps。ppm是频差 表示输出频率的波动范围不同类型的晶振 jitter差别很大 saw mems 石英的或者硅的 不同
30.000表示30M。一般标写频率，在整数后面通常有小数点后几个零，最少一个，比如3M，会写3.000M，或3.00M，最少也是3.0M。所以你的应该是30M，当然，有图片看下更好确认

这个晶振有多大

4，51单片机所用的晶振的范围是多少

理论上来讲晶体的负载电容C=C1/2+C0（电路杂容），而在市场中晶体的负载电容C为7PF，12.5PF，16PF，18PF，20PF，33PF，所以C1会更高，如果按芯片的要求C1=5PF的，根据晶体的理论，实际接电容比晶体的标称电容小，输出的频率就比晶体标称的频率要偏高（晶体负载电容对晶体频率起微调作用），所以最终还是要看芯片所要求的这实际频率，C1，C2对晶体的起振没多大影响，但对输出频率会有差别。
Stc的我用过40M，但单片机手册中好像最高是33M
不接电容肯定不能起振的。这种振荡电路必须两个电容。没有30p的你也可以用个差不多数量级的电容就行，本来标称值就有误差 ，也不要求那么准确。

5，STC宏晶单片机的内部晶振是多少比如11F01E

SPEC：11F01E是4~8M，12系列11~15.5M（V），8~12M（3V）用STC-ISP软体下载时有列出当前下载时的RC频率，11F01E一般为实际下载时为6M左右，主要是温漂，，，，也可以通过读取内部RAM：F8H，F9H，FAH，FBH连续四个单元获取最后一次ISP下载时的内部时钟频率（如以下程序的50H~53H的值）：MOV R1,50H ;MOV @R1,#0FCH ;INC R1 ;MOV @R1,#0FDH ;INC R1 ;MOV @R1,#0FEH ;INC R1 ;MOV @R1,#0FFH ; STC的内部RC振荡误差较大，对时钟要求不高的场合还好（如键盘扫描，，，），
你好！http://www.mcu-memory.com/STC的网站。上面找找看。或者你搜下IC的datasheet，里面肯定都有写。打字不易，采纳哦！
内部就是个RC振荡电路,受环境影响时波动较大,,一般也就个4到8M之间,,你看看资料里有没有.
http://www.mcu-memory.com/STC的网站。上面找找看。或者你搜下IC的datasheet，里面肯定都有写。
内部RC振荡电路,受环境影响时波动较大。我的24度时是6M，温度越低其值越小，天最冷7度时最小5.2M，反正是不准的，如果有通讯就不要用了，普通的可以用。另外我测的每个单片机之间的值也是不一样的，0.01-0.2的偏差

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