1，单片机 MOS管 莫斯管 ru75n08的栅极导通电压是多少别的参数呢

电流：80A 耐压：75V Vgs：正负25V RDS：8毫欧

单片机 MOS管 莫斯管 ru75n08的栅极导通电压是多少别的参数呢

2，单片机的5VIO能不能直接选通NMOS管

首先你这个电路有问题吧，管子那个回路好像少了个负载吧，5V是可以驱动mos的，但是要看你用的mos的参数了，有VGS在3V以下的管子，你可以参考一下你所用mos的技术文档

单片机的5VIO能不能直接选通NMOS管

3，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。
这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

MOSFET现在电压最高是多少

4，N沟道场效应管控制极启动电压多少伏栅极加1V电压能导通不

1V能导通？你怎么想出来的？一般来说，常用的NMOS（也就是N沟道增强型MOS管）导通电压在2-4V之间，最少也要2V。但要提醒你：这个电压下，MOS管的工作状态不太好，要它完全导通，最好在10V左右。

5，N沟道场效应管控制极启动电压多少伏栅极加1V电压能导通不 搜

需要查手册。大功率增强型NMOS管，开启电压最少要2V。
1V能导通？你怎么想出来的？一般来说，常用的NMOS（也就是N沟道增强型MOS管）导通电压在2-4V之间，最少也要2V。但要提醒你：这个电压下，MOS管的工作状态不太好，要它完全导通，最好在10V左右。
gs之间电压应为正值还是负值?答：vgs=+ -20伏。可靠导通时的电压是+20伏，可靠截止的电压是-20伏。驱动irf630时，gs间电压为3.4v，但为什么不导通？答：3.4伏远远小于20伏所以不能导通。

6，nMOS和pMOS导通阈值电压

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

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