igbtce阻值是多少，九阳JYC21ES1O电磁炉IGBT传感器阻值是多少

1，九阳JYC21ES1O电磁炉IGBT传感器阻值是多少

90或者100K欧

九阳JYC21ES1O电磁炉IGBT传感器阻值是多少

2，问一下为什么IGBT测量时CE用表笔一面有阻值对调后就无穷大了百

IGBT的内部CE之间有一个反向二极管（续流地极管）所以测试时数字表的红笔在E时（应该用二极管档）显示电压值，这个电压值为二极管的PN节电压，一般400-500毫伏左右，请参考。

问一下为什么IGBT测量时CE用表笔一面有阻值对调后就无穷大了百

3，IGBT的导通电阻一般有多大比如40A1200W的

IGBT输出是双极型的，导通电阻随负载电流变化而变化，一般不用导通电阻，用饱和压降来来表示，饱和压降在2.2-3.2v之间。讨论导通电阻一般是指MOSFET管的。

IGBT的导通电阻一般有多大比如40A1200W的

4，IGBT高阻多少一般情况下1000V的IGBT在未导通时CE两端电阻为多少

很大，大到了用普通万用表测量不出的程度。可以近似认为是无穷大。你串个10M的电阻干什么？万用表的内阻也没这么高，万用表的内阻和电路电阻可以比较的时候，测量出来的数据是没有任何意义的！要让IGBT导通，电流太小也是不行的！正确的方法是，加个20V的电压，直接用一个10K电阻把20V也通到门极，负载用个20欧的电阻，用万用表就可以测量了。IGBT输出是双极型的，导通电阻随负载电流变化而变化，一般不用导通电阻，用饱和压降来来表示，饱和压降在0.2-0.7v之间。

5，电磁炉保护IGBT的热敏电阻一般是多少K

①、向这电磁炉功率管(IGBT)散热片上的热敏电阻阻值为100K左右。

您好，很高兴为您解答。10k的热敏电阻。如仍有疑问，欢迎向九阳阳光服务提问。

6，电磁炉中IGBT上的热敏电阻阻值是多少为正常

10K。如果IGBT管的测温热敏电阻坏了，可以根据热敏电阻的型号进行更换，不同厂家使用的热敏电阻不一样，一般有25℃时阻值10K、50K、100K这几种，大多都是NTC负温度系数，玻璃管封装，其中10K地用在IGBT测温中比较多，100K次之，50K最少使用。电磁炉正常工作，IGBT测温电路是必不可少的，它可以实时检测IGBT管的温度，当温度异常升高时，MCU根据测温电路的反馈值来切断PWM输出停止加热，以保护IGBT管不受损坏。 IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。扩展资料一般热敏电阻一旦损坏多表现为玻璃管断裂，有原理图最好，按照原型号更换即可没有原理图，在不知道其阻值大小的情况下，可以先试着更换25℃ 10K的热敏电阻，然后烧水试机，如果烧开一大壶水后不出现异常，就说明更换正确，否则继续更换25℃ 100K阻值的，直至试机正常。而且IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。参考资料来源：百度百科—电磁炉参考资料来源：百度百科—IGBT

7，电磁炉IGBT测温电阻是多少K

①、向这电磁炉功率管(igbt)散热片上的热敏电阻阻值为100k左右。

100k

我家的是150k 一般不开路不短路就是好的

8，电磁炉中IGBT上的热敏电阻阻值是多少为正常

10K。如果IGBT管的测温热敏电阻坏了，可以根据热敏电阻的型号进行更换，不同厂家使用的热敏电阻不一样，一般有25℃时阻值10K、50K、100K这几种，大多都是NTC负温度系数，玻璃管封装，其中10K地用在IGBT测温中比较多，100K次之，50K最少使用。电磁炉正常工作，IGBT测温电路是必不可少的，它可以实时检测IGBT管的温度，当温度异常升高时，MCU根据测温电路的反馈值来切断PWM输出停止加热，以保护IGBT管不受损坏。 IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。扩展资料一般热敏电阻一旦损坏多表现为玻璃管断裂，有原理图最好，按照原型号更换即可没有原理图，在不知道其阻值大小的情况下，可以先试着更换25℃ 10K的热敏电阻，然后烧水试机，如果烧开一大壶水后不出现异常，就说明更换正确，否则继续更换25℃ 100K阻值的，直至试机正常。而且IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。参考资料来源：搜狗百科—电磁炉参考资料来源：搜狗百科—IGBT

电磁炉负温度电阻ntc(炉面与igbt)是否正常？是否有+5v （负温度电阻ntc在常温25℃的情况下应该阻值在46~58k之间，有的电磁炉负温度电阻ntc也用100k。单个负温度电阻ntc在98℃ 开水里，它是电阻值是2~3k。

这个热敏电阻的阻值不重要。关键在于炉子检测到的锅的情况，本人遇到过配套的铁锅根本不加热的情况，由于购买时间很长没有法子与其销售商理论。

这个电阻和炉面那个是一样的100K，实测一般是50-100之间，这个是随温度变化而变化，如果只是6K，那就是坏了，换一个试下。我刚修了一台美的的，测那个只有37K，显E6，换了一个后工作正常。

热敏电阻，常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。IGBT热敏电阻：该热敏电阻放在紧贴着IGBT的正面，用导热硅脂涂在它们之间，并压在PCB板上，IGBT产生的温度直接传到了热敏电阻上，热敏电阻与RJ37电阻分压电的变化反映了热敏电阻的阻值变化。直接反映出IGBT的温度变化。

常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。热敏电阻一般采用负温度系数（NTC），且每种温度采集方式也都各自有优缺点，温度检测常用有压环式热敏电阻测温、插件式热敏电阻测温和贴片式热敏电阻测温。插件式热敏电阻测温的NTC是直接焊在PCB上，通常采用玻璃封装的插件NTC，NTC装在一个小硅胶壳里面，硅胶壳里再填上导热硅脂。IGBT倒在热敏电阻上面，装配时会受到不同程度的应力，硅胶壳就起缓冲的作用，而且装配有可能IGBT与热敏电阻的接触会产生空隙，影响传热效果，所以就需要添加导热硅脂。扩展资料：原理IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。参考资料：搜狗百科-IGBT

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