上下桥mos管死区多少合适,A30ah和48V6A40ah的防反接电路上应选用什么参数段位的MOS管合
来源:整理 编辑:亚灵电子网 2023-03-26 03:41:38
1,A30ah和48V6A40ah的防反接电路上应选用什么参数段位的MOS管合
用48V电动车控制器上的MOS管就行了,比如STP75NF75。到修理店几元钱买一个坏的电动车控制器,就得一堆MOS管,够你用。不过电动车控制器上的MOS管基本都是N管,不懂你的电路是用P管还是N管。
2,用单片机产生PWM波实现对直流无刷电机的调速问题
你给的图看不清楚,但是我大致明白你说的意思。直流无刷电机,通常是三相,用六个MOS管组成的三相半桥来驱动,你可以考虑一个半桥就用一路PWM波来驱动,但前提是,上下桥臂的实际驱动信号必须反相,而且驱动电路中有自动加死区的对应电路,否则会烧了功率器件。
3,怎么量MOS上管和下管的好坏
第一种:测量MOS管2脚之间阻值。这种方法只能测量它是不是短路了。第二种:测量每个脚的阻值。买本书学学基础知识 书城里有卖 这种书的,几十块钱下管S级接地,上管S级和下管D级相连, 好坏的话量通断就行,上管和下管都一样的量
4,新人求助关于pwm死区时间
tdts tim->cr1 ckd[1:0]: 时钟分频因子 这2位定义在定时器时钟(ck_int)频率、死区时间和由死区发生器与数字滤波器(etr,tix)所用的采样时钟之间的分频比例。 00:tdts = tck_int 01:tdts = 2 x tck_int 10:tdts = 4 x tck_int 11:保留,不要使用这个配置 就是根据tdts来计算死区时间 tim_timebasestructure.tim_clockdivision = 0; //72mhz 运与计算死区时间 我没分频 那tdts 就是72mhz 算了?具体什么问题?死区时间就是上下桥mos同时关闭的那段时间。
5,hip4082死区时间控制电阻用多大
5脚电容选择0.001uF--0.1uF, 6脚振荡电阻取值2k100k7脚调节死区放电电阻越死区间越般500欧姆内,pwm波是控制直流电机的通俗的说,5v直流电机在5v的情况下肯定速度最快,在0v的情况下肯定不转了这样电源0~5v就对应了不同的速度问题是怎么才能实现0~5v的变化呢?于是就用pwm波控制mos管来给直流电机供电。pwm就是一个矩形波,通过控制高电平和低电平的时间来控制mos管导通的时间。mos管在高电平的时候导通,就相当于5v电源直接加到电机上;mos管在低电平的时候截止,就相当于0v电源加到电机上。pwm又叫脉宽调制,就是控制高电平占一个周期的比例。而这个pwm波就是控制5v电源加到电机上的时间,从而控制了电机。
6,电机驱动芯片死区时间是不是越大越好
不是越大越好,因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通,如果两端有电压,将导致直流电源短路,损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压Mos管。
7,STC单片机 PWM
STC目前的单片机的pwm都是边沿对齐的,无法实现死区功能,做互补pwm没有太大意义。如果非要互补,还真就用反相器好处理,至少软件不用去重复置2次值。 除了STC的单片机,能做互补PWM 输出的单片机还有很多,英飞凌的XC8xx系列(51内核),PIC的,新唐的mini51系列的有很多,不必一棵树上吊死。PCA没用过不过单就PWM的话,用定时器模拟就行了,很方便,可控性也好些.看看这个,单片机用的是aduc848,ad转换输出正弦波,和pwm原理类似。实验八 d/a转换实验一、实验目的1.了解芯片内部d/a转换模块设置方法。2.了解d/a转换原理。3. 了解keil软件中逻辑分析仪的使用方法。4. 了解用单片机产生正弦信号的基本方法。二、实验原理aduc848中包含一个12位电压输出dac模块,dac模块中寄存器的设置如下:dac控制寄存器:dacconnc表示未定义;dacpin为dac输出引脚选择;1 = 设置dac输出引脚为pin 13 (aincom); 0 = 设置dac输出引脚为pin 14 (dac);dac8为dac转换位数模式选择位;1 = 设置dac为8位转换;0 = 设置dac为12位转换;dacrn为dac输出范围选择位;1 = 设置dac的输出范围为 0 v - avdd;0 = 设置dac的输出范围为 0 v - 2.5 v (vref);dacclr为dac清除位;1 = 设置dac为正常操作模式;0 = 复位dac数据寄存器dacl/h to 0;dacen为dac使能位1 = 使能dac转换;0 = 不使能dac转换;dac数据寄存器:dach/ldach为12位转换的高位数据寄存器四、程序流程图和源程序1、主程序流程图 2、源程序清单 daccon equ 0xfd ;定义模数转换控制器 dach equ 0xfc ;定义模数转换数据寄存器高8位 dacl equ 0xfb ;定义模数转换数据寄存器低8位 org 0000h ljmp main org 0200h main:mov daccon , #0fh; dac operation clr a ; mov dach , a ;模数转换高八位清零prg3:movr0,#09h;正弦波movr4,#40hlp11:mov a,r0 movca,@a+pcmov dacl,a ;2 acall delay ;2incr0;1djnzr4,lp11 ;2 sjmp prg3 ;2data0: db 80h,8ch,98h,0a5h,0b0h,0bch,0c7h,0d1h,0dah,0e2h,0eahdb 0f0h,0f6h,0fah,0fdh,0ffh,0ffh,0fdh,0fah,0f6h,0f0hdb 0eah,0e2h,0dah, 0d1h,0c7h,0bch,0b0h,0a5h,98h,8chdb 80h, 7fh,73h,67h,5ah,4fh,43h,38h,2eh, 25h,1dh,15hdb 0fh,09h,05h,02h,00h, 00h,02h,05h,09h,0fh,15hdb 1dh,25h,2eh,38h,43h,4fh,5ah,67h,73h,7fhretdelay: mov r6,#10h mov r7,#0a1hdelayloop: ;延时程序 djnz r6,delayloop djnz r7,delayloop ret end四、实验板插针配置: 无需插针配置,注意dac是从condacout1端子输出,可用示波器观察dac输出波形。若产生失真情况,请检查开发板da输出端lm358运算放大器的放大倍数,适当更改所查函数表的范围。五、思考题1、改变程序,使能添加输出锯齿波;2、改变程序,使输出添加三角波;3、改变程序,使输出添加方波;4、改变程序,并制作一个简单的函数发生器
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上下桥mos管死区多少合适上下 下桥 mos管
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