1，发光二极管的内阻是多少

我是来看评论的
从二极管的伏安特性曲线可以看出，当外加电压U低于二极管的正向结电压v时，电流几乎为零，管子相当于一个大电阻，只有当U>v，电流才会（雪崩式）上升。二极管的内阻是在规定的正向电流下测定的值。

发光二极管的内阻是多少

2，LED 1W的内阻是多少

可以这样算，1W白光厂家的工作电压是3V，此时的工作电流为350Ma,那该时刻的内阻就是，r=u\i=3\0.35=8.6欧姆 都是一般来说，这个参数是随电压电流变化的，因为LED是二极管，所以根据二极管的特性，他的内阻是不定的。温度上升他的内阻会变小，导通性变好。
这个无法计算，具体多少要看实际
市面上，足1w的一般在110lm左右，当然，有需求的话可以做到150lm左右，只是价格稍微贵点。
正准备打字，发现海洋来的鱼的答案是正解。

LED 1W的内阻是多少

3，如何计算发光二极管的电阻

需要一些2113已知条件。1电源电压。2发光二极5261管的工作电压与电流。计算如下 ： （U-Ud）/ Id 如果电压单位是V 电流单位是A 电阻4102单位就是Ω。式中U是电1653源电压。Ud 是二极管的工回作电压。Id是实际答发光二极管工作电流。
发光二极管不是线性器件，因此不存在电阻的概念，它的伏安特性曲线不是线性的，你可以找一下LED的伏安特性曲线看一下就明白了。
发光二极管的正向电阻是非线性的，不能用电阻多少来说明。一般都用它导通时的正向压降来表达它的特性。所以在计算时也不能用欧姆定律来计算通过它的电流。

如何计算发光二极管的电阻

4，测得某二极管的正电流为15mA正向降压为06V该二极管的直流电

1.直流电阻可以等效R=U/I=0.6V/0.0015=0.4K，但是二极管你把它理解为一个电压源更合适，二极管接在电路中要接限流电阻，不能简单当电阻看。2.交流电阻R=d(UD)/d(ID) 随工作点而变化，是非线性电阻，要根据特性曲线计算。希望对你有帮助，不懂的可以随时交流，谢谢！
你好！直流就是那样算，交流的公式是rD=d(uD)÷d(iD)根据伏安特性方程(比较麻烦打不出来。)可求得rD≈U(T)÷I(Q)其中U(T)是温度电压常量，室温下≈26毫伏如果对你有帮助，望采纳。
0.6/1.5=0.4K
二极管是非线性的，不论交流、直流，等效的电阻都会随外界条件变化。如果单考虑加直流“正电流为1.5mA,正向降压为0.6V”的情况，等效直流电阻即为楼上的解释。400欧姆。

5，二极管正向工作电流过大烧了这时候再测量反向电阻还会有了吗

正常偏置情况下一般 都是烧毁为多。烧的轻症状表现为正向电阻变大，反向电阻变小一点；烧的稍重症状表现为正反向电阻都很小：烧的厉害其症状表现为正反向电阻都很大、无穷大(内里断极、外表爆裂）
认为是“电流烧毁二极管在先，烧毁的结果就是测量反向电阻数值很小”。因为在二极管的伏安特性曲线看出，加反偏电压的时候在稳压区即随着二极管两端电压变化不大，而电流变化极大的这一段区域内。二极管的阻值不小（即曲线的切线斜率）。再者我认为你的第一句话有问题，我认为发生反向击穿的原因是二极管电流急剧增大，这个现象称为反向击穿。我不像你那样认为反向击穿和电流增大是两个不同的过程。
多个硅二极管串连,每只二极管电压达到0.7伏左右时导通，并稳定在此电压附近，但由于工艺上差异，每只二极管导通点和内阻也有些差异。串联时电流是一样的，并联时电压为其中的最小导通值，电流为多管之和，所以要挑选特性一致的，以免其中一只负荷过大。
反向击穿后的反向电阻是很小的，因为击穿了普通二极管反向电压大于额定电压是肯定会被击穿的看你的现象应该是正向工作电流过大而烧毁的，无论是电流大烧毁还是反向击穿，要二极管烧断，所有状况都为断路。要么为“击穿”，所有方向测量为断路其实普通二极管判断还可以看他的PN节压降，一般硅管0.7，锗管0.？，用万用表就可以测

6，你好请教一下二极管电阻的问题

正向电阻小，反向大。二极管正向，通过二极管电流不够 ，不亮。太大，烧了。所以以光二极管要串一只合适的电阻
发光二极管一般电流控制在10ma左右即可，接反会损坏。在直流1000v电路中，接100k电阻即可，但要注意电阻的耐压值 和 功率，所以推荐选用 1/4w 36k的3个电阻串联氖泡看具体型号，一般估计在2ma左右，所以需要500k左右的电阻，一般没有正负极。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
二极管正向导通，硅管的压降在于0.7v左右，锗管的压降在0.3v左右。你可以比较通过二极管和接地的压降大小来确定是通过那个管流过的（压降小的那个流通）
这个时候有个接地电阻的问题。如果没有电阻，二极管是没有电流通过的。 如果导线的接地电阻比较大，导线两端的压降超过二极管的导通值，会有一定的电流通过二极管。二极管这时也会表现出一定的电阻特征，因为毕竟不是理想的二极管。

7，假定二极管不烧坏二极管的管压降07V此时二极管两端电压

按照严格的逻辑分析，2V的电压加在二极管的正负极之间（假定二极管不烧坏），二极管的管压降0.7V，此时二极管两端电压是2V。（题中没有给出加在二极管正负极之间的2V电压是正同电压还是反向电压，所以分两种情况来分析。）一、加在二极管两端的2V电压是反向电压，那么二极管截止，那么二极管两端的电压就是2V。二、加在二极管两端的2V电压是正向电压，那么二极管导通，由于加在二极管两端的2V电压超过了正常的管压降，二极管中电流将增大，二极管的正向无政府状压降也随着增大，直至增大到2V。具体分析如下：1、加在二极管两端的是2V的电压，并不是2V的电源。电源是的内阻的，如果是2V的电源，二极管两端的电压不一定就是2V；而2V的电压加在二极管两端，那么二极管两端的电压就是2V。2、二极管的管压降0.7V是由条件的，根据二极管的伏安特性，二极管两端的电压是随着其中的电流变化而变化的，二极管的管压降0.7V是在一定的电流下的管压降，但在强制的条件下（2V的电压加在二极管的正负极之间）二极管中的电流将会增加，其管压降也随之增加，直到满足强制条件。
如二极管不坏，其压降还是0.7V，其余的1.3V在线阻和电源内阻上，线阻和内阻在实际电路中是已知的，因此电流也是可知的。
你好！你都说了啊，加在二极管正负之间的电压是2V。那还是2V啊。这是指在二极管开路时。要是导通后，有0.7V的压降，其余1.3伏是在负载上。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
如果是直接的这么接，就电源和二极管这两个元件。---------二极管两端的电压就是0.7V .其它的电压值降到了电源内阻上。 要是电源的内阻有足够小（也就是所提供的功率有足够的大），只不烧掉二极管。

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