三极管基级多少电压饱和导通，三极管的导通电压有硅管是0507V锗管是0203V这是什么意

1，三极管的导通电压有硅管是0507V锗管是0203V这是什么意

这是导通的最低电压，一般我们认为硅的导通电压是0.7，锗是0.5，只有当加在三级管的电压超过这个值才会导通，低于这个值的时候，三级管会出现在死区，也就是没电流通过，或者非常小

锗三极管的饱和电压是0.3，硅三极管的饱和电压是0.7，前者已经停产了，这是硅三极管永远无法替代的损失！

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

三极管的导通电压有硅管是0507V锗管是0203V这是什么意

2，求助三极管的基极工作电压是多少到多少

视三极管的材料与工作状态不同，基极的电压各不相同：硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。硅材料或锗材料的三极管工作在截止状态时的基极处于0偏置或反向偏置，基极电压为0～6V（与放大或饱和导通时基极电压反相）。

求助三极管的基极工作电压是多少到多少

3，维持三极管导通的电压是多少呢拿三极管当开关用

准确地说，是多少电流，因为它是流控元件。要保证基极的电流不小于1/β的集电极电流。β：是该管的电流放大倍数。

这要看你需要导通的集电极电流ic是多大。基极电流至少应该大于ic/β，为了确保饱和导通，应该再大50%的基极电流。至于基极电压，倒是永远在0.7v上下。例如用来开关100ma的电路，管子β=100，基极电流应该大于1ma，至少要取1.5ma以上。

维持三极管导通的电压是多少呢拿三极管当开关用

4，三极管导通电压

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么，就是E加电源电压，如5V，C极过一限流电阻接地），那么如果你给控制端即B极一个低电平，此时就可以导通，导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V，如果此时你B极是个高电平，那你再测你的CE间电压，可能就是有比较大的压降，比如5V，那自然就不算通了。简单点理解吧，一个开关闭合以后，它两端触点即使过再大电流压降也会很小，而一个开关，它两端压降自然就为加于它两端的电压，自然就不算通了Ie=Ib+Ic；

5，三极管实现截止放大饱和导通基极电压范围

三极管在放大状态，集电极电流约0.5～1mA；在开关状态，基极电压大于或等于0.9V。

锗管0.2-0.3，硅管0.6-0.7（Vbe），判断管子是否处于截止，放大和饱和主要看Vcb的电压，当Vcb反偏，Vce（0.2-0.3）正偏，管子处于导通状态，即所说的放大状态（放大状态是否是处于线性还有其他的参数），如果Vcb反偏，但Vcb

在0.2-0.3V和0.6-0.7V大于或小于就可以了。

6，9013三极管基极电压是多少时才可以导通

0.7v。集电极-发射极电压 25V集电极-基极电压 45V发射极-基极电压5V集电极电流Ic Max 0.5A耗散功率 0.625W工作温度 -55℃ ~ +150℃特征频率 150MHz放大倍数 D64-91 E78-122 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300主要用途放大电路。扩展资料：9013导通的首要条件是基极电压高于射极电压（约0.7伏左右），这时有基极电流流向发射极，此电流经三极管放大产生集电极电流（约为基极电流乘以三极管直流放大倍数）。基极电流越大集电极电流也越大，如集电极电流超过最大允许电流时三极管将烧毁，因此常在集电极串联电阻以限流。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。参考资料来源：百度百科-9013三极管

7，基级电流多大才能使三极管从放大状态到饱和状态

是否能达到开关状态，不仅仅要看基极电流，还要看你所要接通的集电极电流大小以及晶体管的β，如果Ic/Ib小于晶体管的β，饱和了，反之不饱和。就像你用1.5mA基极电流，假设β为100，集电极电流被放大到150mA（放大状态，未饱和），假如集电极要开关的电流只有100mA，则饱和了（放大倍数已经不成立）。如果Ic很小，那么基极电流可以更小仍然能够饱和。

你好：——★1、三极管在饱和状态，发射极、集电极是导通的开关状态，流过集电极的电流与发射极电流基本相等，基极电流是非常小的，可以忽略不计。——★2、三极管开关电路中，可以认为发射极、集电极电流相等，其电流大小由负载决定。

8，基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的

这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 。判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和；2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）。扩展资料：三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻越大越容易饱和。3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。参考资料来源：百度百科——基极电流

基极电流达到多少时三极管饱和？这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 这就是9013的特性表：

Uce=Uces，即使在饱和状态下Ube ≈0.7v，9013、9012饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIb>>Ic），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定，即使电源电压不变，如果集电极电阻改变，饱和电流也会改变，当集电极电阻增大时，三极管的饱和电流减小，当集电极电阻减小时，三极管的饱和电流增大。扩展资料：注意事项：1、使用时工作电压或脉冲峰值应小于三极管的V，反向击穿电压。2、在大功率情况下使用应加相应的散热板。3、挑选三极管时应注意三极管的穿透电流和与之相适应的频率特性。4、由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。5、由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，会使得三极管的放大作用大打折扣，还会因此引起额外的相位差。参考资料来源：百度百科-基极电流参考资料来源：百度百科-晶体管饱和区参考资料来源：百度百科-三极管参考资料来源：百度百科-集电极

Vce=VCC（电源电压）-Vc（集电极电压）=VCC-Ic（集电极电流）Rc（集电极电阻）。可以看出，这是一条斜率为-Rc的直线，称为“负载线”。当Ic=0时，Vce=Vcc。当Vce=0时（实际上正常工作时Vce不可能等于0，这是它的特性决定的），Ic=Vcc/Rc。也就是说，Ic不可能大于这个数值。对应的基极电流Ib=Ic/β=Vcc/βRc。这就是饱和基极电流的计算公式。饱和分临界饱和和过度饱和两种状态。当Ib=Vcc/βRc时，三极管基本处于临界饱和状态。当基极电流大于此值的两倍，三极管就基本进入深度饱和状态。三极管深度饱和和临界饱和的Vce差很大。临界饱和压降大，但退出饱和容易；深度饱和压降小但不容易退出饱和。所以，不同用途选择的基极电流是不一样的。还有，饱和压降和集电极电流有直接关系。集电极电阻越小，饱和集电极电流就越大，饱和压降越大。反之也相反。如果集电极电流5毫安时三极管饱和，9013、9012之类的饱和压降一般不超过0.6伏。基极电流超过两倍Vcc/βRc时，一般饱和压降就小到0.3V左右了。具体的可查晶体管手册。如果你手头有某一三极管的输出特性曲线，就可以在此特性曲线上把负载线画出来。它与对应的Ib曲线的交点，就是它在这个电流下的集电极电压。

基极电达到饱合时的电流不是由型号决定的。它与电路形式与参数有关。只要ib＞ic/β就是饱合的状态。又因i/c的大小又与电源压、rc等有关，所以要终合考虑。

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