1,MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

2,谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

是DS(工作)电流的函数,理想的为二次根式型。一般G高于S约1~2V。楼主概念有误:G与D没有什么定量的联系,只要D高于G就可以正常工作。
你好!不知道如有疑问,请追问。
没有固定值 要试情况而定

谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

3,mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件, 也 就是说,前者是流控,后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V,也有3-5V的,同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大,为了使MOS管的开关速度快和减少功耗,就要对栅极快速充放电,驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大,所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上,三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos,然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

4,帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V,当Q92管子导通时,Q94是截止的,当Q92截止时,加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压,割切R097的电阻很小,可以忽略,所以MOS的门极电压是大约12V。
你图上是双极性晶体管,按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1),右边,当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k),假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510),那么当v_do_carera=1v时,大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看,大概11V左右。

5,在笔记本电路中是怎样判断和衡量MOS管的G极电压是高电平还是低

我是这样来算的,G极电压大于1/3D极电压为高电平,G极电压小于1/3D极电压为低电平,个人见解,高手勿笑。
常规来说,一般还是以2.5V为高低电平的分界,不要太认真,分清是P还是N沟道的MOS管就好!
楼主,我想问下你的铜牌维客是怎么来的?所谓的高电平,低电平只是相对而言。并不是真正意义上的2.5V以下就是低电平。在保护隔离开启的P管中的G极电压远远高于2.5V,难道说是低电平了吗?一般在9V左右。一样是低电平。
还好我叫了学费学理论的 我们老师说N沟G的电压大于S的电压导通万用表红打123或者黑打123同理另一只打5678一边有值 反之一边没得值的为高就是N的
哥们交学费去正规的学吧 我们老师说G大于S级 就可以导通 并没说大于多少V 2.5V为高
一般来说是2V左右开始导通, 4V左右完全导通, 但不同场管这两个阀值不一样的, 具体要看数据手册

文章TAG:MOS管用多少大的电压怎么来判定管用  多少  大的  
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