1，如图二极管电路输入电压为Ui30sintV二极管正向压降和反向电

1.本来-30V~30V 正弦波 -30~-5V部分有波形 2。5~30V有波形

如图二极管电路输入电压为Ui30sintV二极管正向压降和反向电

2，si2301 mos管压降多少

si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。

si2301 mos管压降多少

3，半导体的管压降怎么计算

三极管的管压降就是指集电极与发射级之间的电压，即Uce，它的计算式是Uce=Ucc-IcRc-IeRe，因为一般Ic≈Ie，所以Uce=Ucc-Ic(Rc+Re)，Ucc是电源电压。

半导体的管压降怎么计算

4，一般MOS管的反向压降是多少伏

MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～1.5V。

5，硅管的管压降是多大众说纷纭

硅管结电压（压降）为0.7V左右，较大电流（几十安上百安）的为1V左右。这不是权威答案，但可信。
硅管不是线性元件,一般说在一定的电流范围二极管的正向压降保持在0.5至0.7v之间!

6，MOS管饱和压降问题

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

7，三极管的饱和管压降理论值为多少

还是哥跟你说吧。这个木有理论值。型号不同就不确定。是测出来的，在共集电极情况下大约是VB=VC恰好处于饱和与放大区时的值，测出来的。嘿嘿···是不是哦，伟大的斌哥。记得采纳！！！
O.7V

8，三极管的压降

由于三极管基极电流很小，可以忽略不计，所以左边的电阻可以看成与三极管并联。并联电路各支路电压相等，互不干扰，所以求三级管压降跟左边电阻没有关系
是撒 电压的本质就是点与点之间的压差撒 不过发射集的电压是1.7-1V哈不是1.7-1 应该是你的笔误吧

9，换热器布管30跟45压降差多少

额，问的不是很清楚，估计问的是转角正方形和正三角形布置的差异的。相同管桥间距下，流通横截面45°大于30° √2:1(对角线大于边长)。理论上来说流通横截面大了，在等流量的条件下转角正方形的压降要小点。模拟了一下，大概压降减小17%的样子，但K值也下降了2%
没看懂什么意思？

10，如何计算三极管饱和压降

测试三极管饱和压降vce(sat)，顾名思义就是测试三极管在饱和状态时vce的数值。具体到某一个型号的三极管，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2sc3852是一个低饱和压降的三极管。它的测试条件中规定了要在ic=2a,ib=50ma条件下测试vce的数值。
饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。 压降就是：两点之间的电位差。 饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。
三极管的饱和压降一般是常数，硅管约为0.3V，锗管约为0.·1V

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