1，怎么估算MOSFET到底要多大的驱动电流

Qg不小，难驱动是正常的。　　解决办法要么就是换个Qg小的管子，要么加强驱动，要么软开关（不太在意驱动），要么降频（稍不在意驱动）。

怎么估算MOSFET到底要多大的驱动电流

2，如何估算MOS管的驱动电流

mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加
我的估算方法如下：开关频率100khzqg=270nc（max）假设vgs上升沿为tr=100ns，则idrive=qg/tr=2.7a这是一个比较稳妥的电流,然后视实际情况可以适当加大

如何估算MOS管的驱动电流

3，最小的MOS管的驱动电流多大有没有5A左右的一般一个MOS管多

MOS管是电压驱动型器件，只需很小很小很小的驱动电流。价格由参数决定。详情可以参考中国电子DIY之家有关资料
你好！MOS管是电压驱动型器件，只需很小很小很小的驱动电流。价格由参数决定。详情可以参考中国电子DIY之家有关资料如果对你有帮助，望采纳。
mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易找的，当然你也可以用大于5A的来代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。最常见的就是 5N60 10N60等 其中5与10分别代表电流大小也就是5A 10A

最小的MOS管的驱动电流多大有没有5A左右的一般一个MOS管多

4，spw47n60s5驱动电流多大通过单片机输出的PWM加什么样的驱动接

漏极电流ID为47A，VDS=600V，RDS=0.07欧。看样子是个工业级的MOSFET。具体参数可到：http://www.ic-cn.com.cn/pdf.php?keyword=SPW47N60S5&Submit=%B2%E9%D1%AF上面下载。单片机输出口驱动MOS管可采用自己搭建的放大电路进行驱动。因为MOS管为电压驱动型元器件，所以不需要提供多少驱动电流。
47A/600v
你好！三极管对管驱动，接法像OCL功放功率级，但是不需要消除交越失真的2个二极管；这样可以加快导通和放电。希望对你有所帮助，望采纳。

5，驱动MOS管的驱动电流怎样计算

1. Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。 2. 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。 3. 栅极未加电压（或电压小于Vth）时，管子关闭，电阻很大，12V电压基本全部加在管子上，R12上电压很小，电路电流为几乎为0；栅极电压大于开启电压时，管子导通，电阻迅速变小，R12分得部分电压，电路中产生电流。此电流大小既满足欧姆定律（电阻电流电压方程），也满足萨支唐方程（管子电流电压方程），即上下电流相同，满足电流一致性。 4. 二极管起保护作用。当漏源电压较大时，在管子发生源漏穿通之前，二极管先发生反向击穿，从而保护了管子。 5. 如果二极管为稳压管的话，就是用来恒定漏源电压的，从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。此时流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过管子的电流之和，满足基尔霍夫电流定律，即流入节点的电流等于流出节点的电流。

6，关于MOS开关管驱动

Vd<Vg-Vth时，NMOS工作在线性区，也就是不饱和导通区，并不是真正的导通。和你的理解正好相反。高压NMOS的开启在2V左右，所以30V的GS电压已经够了，甚至偏高。因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。关于周期，你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算，看看开启速度能不能满足你的要求。
Vd<Vg-Vth，工作在线性区。看MOS管的Vth为多少，器件手册上都有，你的PWM输出电压最好加个驱动，越高越好，这样管子导通时内阻小，但是电压太高会使管子击穿，设计时注意安全工作区。
mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加损耗，

7，开关电源MOS管的驱动电流怎么估算

问题好像很简单，要说清楚可是太难了，足够一本书的篇幅。试着简单说一下。设计一个开关电源，必须满足客户的要求(例如负载稳定度，纹波，等等)，成本尽量低，体积重量尽量小……但这些要求是互相矛盾的，某一项指标高必定影响其它指标，例如效率高往往要增加成本。这些指标，受元器件性能影响很大。例如磁芯，早期的磁性材料铁损比现在的磁性材料要大。现在铁损小了，就有可能提高开关电源工作频率，从而减小变压器体积重量。但开关频率高了，管子的损耗会增加。设计者的工作，是在这些互相矛盾的要求中取得平衡，又要变压器体积小，又不能让功率管散热器体积过大。变压器磁芯的磁密通常不能用到手册给出的饱和磁密，因为在现代的MOS管开关频率下，磁密用到这么大，散热的问题很严重。通常较小功率的开关电源宁愿减少一些磁密(这当然要使变压器体积变大)，也不采用强制冷却。但对功率较大的开关电源，采用风扇是合适的(总成本较低)。对硬开关工作方式，管子的上升下降时间越大，管子的损耗越大，所以总希望管子开通关断尽量快一些。但开通关断快了，又会带来其它问题，例如EMI和功率管耐压等等。若是软开关，对上升下降时间要求不像硬开关那么迫切。但软开关不适宜用在负载变化非常大的开关电源(例如实验室用的实验电源)中。这又是一个取平衡的问题。而且，功率管中电流的上升下降时间并不是你想要多短就能够多短，MOS管本身就存在上升下降时间。MOS管生产厂家也在不断改进产品以满足客户(就是你啦)的需要。现在的MOS管开关速度已经比早期功率MOS管快得多了。然而，这里又有个问题需要折中平衡，就是成本。老型号管子比较便宜，新型号贵。所以，设计是在许多互相矛盾的要求之间取平衡。MOS管的上升下降时间，只是这许多平衡或者说衡量中的一个。这些互相矛盾的要求如何取得平衡，学校里面一般不会讲到，因为老师很少考虑成本。只有具备丰富经验的工程师才能够解决得比较好，如大蚂蚁，还有不亦心等等(不一一列举)。另外，如何取得平衡，与具体项目有关。例如笔记本电源从不使用风扇(但笔记本电脑内却有风扇)，而台式机电源通常都用风扇。
到管子的datasheet

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