1，ps80n75的耐压多少72V可以用吗

80N75最高耐压是75V，用72V没问题。
不用

ps80n75的耐压多少72V可以用吗

2，faseed817和816有什么区别

输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。

faseed817和816有什么区别

3，电容的耐压值有多少种

通用电容器的耐压安规电容器的耐压（有明确国标、国际标准规定的）电力电容器的耐压（如马达的移相电容）
5V、6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V......等，没有1楼文654321刀说的6V、12V、15V、35V、47V这些值。
有耐压值
太多了，有直流和交流的，直流的有4.7V.6V.12V.15V.22V.25V.35V.47V.50V.63V.100V.250V.400V........交流的有63V.250V.1000V...........

电容的耐压值有多少种

4，光耦PC123和817有什么区别能代换吗

参数几乎一模一样，PC123反向耐压Vceo=70V，PC817反向耐压Vceo=35V略低,频率同为80KHz，所以可以试着替换，但有风险。光耦的作用：在逻辑电路上的应用光电耦合器可以构成各种逻辑电路，由于光电耦合器的抗干扰性能和隔离性能比晶体管好，因此，由它构成的逻辑电路更可靠。作为固体开关应用在开关电路中，往往要求控制电路和开关之间要有很好的电隔离，对于一般的电子开关来说是很难做到的，但用光电耦合器却很容易实现。在触发电路上的应用将光电耦合器用于双稳态输出电路，由于可以把发光二极管分别串入两管发射极回路，可有效地解决输出与负载隔离地问题。在脉冲放大电路中的应用光电耦合器应用于数字电路，可以将脉冲信号进行放大。

5，PC817光耦的集电极供电电压为多少

PC817的集电极供电电压在实际电路中通常是按5V来设计的，因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。实际工作中，集电极供电电压可在额定值以内选用，只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。
你好！http://wenku.baidu.com/view/c6d064fb941ea76e58fa0429.htmlVceo：35V，Veco：6V。耐压指标很低，只能用在低压信号隔离传输。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
http://wenku.baidu.com/view/c6d064fb941ea76e58fa0429.htmlVceo：35V，Veco：6V。耐压指标很低，只能用在低压信号隔离传输。

6，光耦816和817的差别

光耦816和817的差别：输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。随着数字通信技术的迅速发展以及光隔离器和固体继电器等自动控制部件在机械工业中的应用不断扩大, 特别是微处理机在各个领域中的应用推广( 有时一台微机上的用量可达十几个甚至上百个) 和产品性能的逐步提高。光电耦合器的应用市场将日益扩大，同时，其社会效益和经济效益也会十分显著。今后，光电耦合器将向高速化、高性能，小体积，轻重量的方向发展。扩展资料：光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(hvac)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。 电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

7，一般电话设备的耐压是多少

这个问题太经典了！你被玩了！其实就是能承受的最大输入电压！通常是220或者380的正5%！也就是230v和400v！有没有露天的架空电话线？电话线一般是57v！
根据IEC 60664-1耐受过电压分类?表5.4.1-1 配电线路各种设备耐冲击过电压额定值 设备位置 电源处的设备 配电线路和最后 分支线路的设备 用电设备 特殊需要 保护的电子信息设备 耐冲击过电压类别 IV 类 III 类 II 类 I 类 耐冲击过电压额定值 6kV 4kV 2.5kV 1.5kV

8，3端稳压7812耐压多少

三端稳压7812最大输入电压是：35V，最大输出电流是：1.5V　　主要用途：适用于各种电源稳压电路。　　主要特点：输出稳定性好、使用方便、输出过流、过热自动保护。　　封装形式：TO-220　　稳压器简介：　　稳压器是使输出电压稳定的设备。稳压器具备稳压恒压、控制电路、及伺服电机等组成。当输入电压或负载变化时，控制电路进行取样、比较、放大，然后驱动伺服电机转动，使调压器碳刷的位置改变，通过自动调整线圈匝数比，从而保持输出电压的稳定。
7812最大输入电压35V，7824最大输入电压40V，都不能在55V下工作。而且78系列稳压器件属模拟稳压电路，输入输出压差在3-6V较好，太大压差会产生很大功耗，导致稳压块过热。55V-12V转换采用开关电源较好，比如用LM2575HV。
7812最大输入电压35V，7824最大输入电压40V，都不能在55V下工作。输入电压14~35V范围，如果加足够的散热片，能输出1.5A左右的电流。否则过热会自动关闭，不会烧毁。
7812最大输入电压35V，7824最大输入电压40V，都不能在55V下工作。而78系列稳压器件属模拟稳压电路，输入输出压差在3-6V较好，太大压差会产生很大功耗，导致稳压块过热。55V-12V转换采用开关电源较好，比如用LM2575HV。

9，光耦816和817的差别

光耦816和817的差别：输出部分的耐压PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。随着数字通信技术的迅速发展以及光隔离器和固体继电器等自动控制部件在机械工业中的应用不断扩大, 特别是微处理机在各个领域中的应用推广( 有时一台微机上的用量可达十几个甚至上百个) 和产品性能的逐步提高。光电耦合器的应用市场将日益扩大，同时，其社会效益和经济效益也会十分显著。今后，光电耦合器将向高速化、高性能，小体积，轻重量的方向发展。扩展资料：光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(hvac)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。 电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
参数几乎一模一样，耦耐压Vceo=70V，光耦817反向耐压Vceo=35V略低,频率同80KHz。　　光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

10，80nf70的耐压是多少

场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。扩展资料场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。参考资料来源：搜狗百科-场效应管
场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
主要原因还是耐压过低，得使用耐压100v的场效应管。管子耐压低，特征，工作短时间发热厉害，然后击穿。查一查管子的极性是否正确，推动电路tl494以及外围。
场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。主要原因还是耐压过低，得使用耐压100V的场效应管。管子耐压低，特征，工作短时间发热厉害，然后击穿。查一查管子的极性是否正确，推动电路TL494以及外围。扩展资料：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。参考资料来源：搜狗百科-场效应管

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