1，请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

1，这是P MOSFET管，所以当VGS为负压的时候才会导通2，在VGS=5V时候最大电流，这个不是计算出来的，而是规格书上面有的3，RDS是导通后源极和漏极的导通电阻，从你资料上看，VGS=-10V的时候导通电阻只有75耗欧姆
任务占坑

请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

2，真的能承受几百安培的电流吗还有mos真的能流过几百安培的电流吗

几十安是有的，上百安就不太可能了，我所知道及使用过的igbt最大的也就85N06

真的能承受几百安培的电流吗还有mos真的能流过几百安培的电流吗

3，我想问的是mos管那么细小的管脚真的能承受几百安培的电流吗还有

几十安是有的，上百安就不太可能了，我所知道及使用过的igbt最大的也就85N06
mos管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

我想问的是mos管那么细小的管脚真的能承受几百安培的电流吗还有

4，买了几个MOS管贴片的这东西这么小能承受56安电流

①、关于以上问题不必担心别看实物小此A03400参数是：/耐压：30V//承受电流：5.7A//

5，由于封装限制mos管的最高电流为75安

除了封装，还有Rdson电阻，组值大的话通流量大了功率消耗就多，mos管容易达到结温
80v 100a以上 那么小的封装 散热如何处理。我记得p管好像有50a的 。如果是峰值电流100a的话 好像还可以选几款，并且还要考虑占空比。直流的话好像不可能吧！

6，MOS管的体二极管能通过多大电流

S到D，若SG之间电压大于gs很多(不是刚刚超过gs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属，绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

7，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？
先从变压器下手
是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a
作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可
你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

8，最小的MOS管的驱动电流多大有没有5A左右的一般一个MOS管多

MOS管是电压驱动型器件，只需很小很小很小的驱动电流。价格由参数决定。详情可以参考中国电子DIY之家有关资料
你好！MOS管是电压驱动型器件，只需很小很小很小的驱动电流。价格由参数决定。详情可以参考中国电子DIY之家有关资料如果对你有帮助，望采纳。
mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易找的，当然你也可以用大于5A的来代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。最常见的就是 5N60 10N60等 其中5与10分别代表电流大小也就是5A 10A

9，mosfet体二极管用作整流二极管在多大的频率下工作

可以，一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。只不过他的压降会大一些，反向恢复时间会长一些，如果频率不高的话，还是没有问题的。实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料
耐压=场效应管耐压，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，方向n沟道的是源极为正！如果你是想用mos进行同步整流，利用mosfet的到通电流无方向的特点、漏极为负，利用体二极管方向进行整流，p沟道相反，失去整流电流时要同时关断mos，则是将mos倒着接，同时在产生整流电流时驱动mos导通对于增强型场效应管或者说现在常用的功率mosfet，漏极到源极之间有一个本体二极管

10，驱动MOS管的驱动电流怎样计算

1. Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。 2. 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。 3. 栅极未加电压（或电压小于Vth）时，管子关闭，电阻很大，12V电压基本全部加在管子上，R12上电压很小，电路电流为几乎为0；栅极电压大于开启电压时，管子导通，电阻迅速变小，R12分得部分电压，电路中产生电流。此电流大小既满足欧姆定律（电阻电流电压方程），也满足萨支唐方程（管子电流电压方程），即上下电流相同，满足电流一致性。 4. 二极管起保护作用。当漏源电压较大时，在管子发生源漏穿通之前，二极管先发生反向击穿，从而保护了管子。 5. 如果二极管为稳压管的话，就是用来恒定漏源电压的，从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。此时流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过管子的电流之和，满足基尔霍夫电流定律，即流入节点的电流等于流出节点的电流。

文章TAG：mos里的小二极管过多少电流小二  二极管  过多  
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