1，单片机加MOS管驱动efd15变压器升压 求升到3KV交流最大电流能

你磁芯材料，这个频率太低，损耗太大了，你试试频率升高到20K以上，MOS管可以上50K以上的，单端电路占空比可以用80%，推挽可以2*40%
支持一下感觉挺不错的

单片机加MOS管驱动efd15变压器升压 求升到3KV交流最大电流能

2，请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

1，这是P MOSFET管，所以当VGS为负压的时候才会导通2，在VGS=5V时候最大电流，这个不是计算出来的，而是规格书上面有的3，RDS是导通后源极和漏极的导通电阻，从你资料上看，VGS=-10V的时候导通电阻只有75耗欧姆
任务占坑

请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎

3，由于封装限制mos管的最高电流为75安

除了封装，还有Rdson电阻，组值大的话通流量大了功率消耗就多，mos管容易达到结温
80v 100a以上 那么小的封装 散热如何处理。我记得p管好像有50a的 。如果是峰值电流100a的话 好像还可以选几款，并且还要考虑占空比。直流的话好像不可能吧！

由于封装限制mos管的最高电流为75安

4，怎样测试MOS管的最大电流

参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要!要大的散热器帮助散热!DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整!但一般不这样做。一般实际使用的电流，为参数除以2.5
mos管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是v/导通电阻，v是参考压降，取值0.8-3,高压管取值大些，低压管取值小些。

5，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？
先从变压器下手
是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a
作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可
你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

6，目前最大功率的mosfet能做到多大功率最高耐压和电流是多少是

单个的话2--3kw，工业级的都是以模组形式来获得超大功率的。
您好，我看到您的问题很久没有人来回答，但是问题过期无人回答会被扣分的并且你的悬赏分也会被没收！所以我给你提几条建议：一，你可以选择在正确的分类下去提问，这样知道你问题答案的人才会多一些，回答的人也会多些。二，您可以到与您问题相关专业网站论坛里去看看，那里聚集了许多专业人才，一定可以为你解决问题的。三，你可以向你的网上好友问友打听，他们会更加真诚热心为你寻找答案的，甚至可以到相关网站直接搜索.四，网上很多专业论坛以及知识平台，上面也有很多资料，我遇到专业性的问题总是上论坛求解决办法的。五，将你的问题问的细一些，清楚一些！让人更加容易看懂明白是什么意思!谢谢采纳我的建议! !
最大的不好说啊，你还是去vishay，st，ir这几个大的半导体器件生产商的官网上查查吧

7，mos管的最大持续电流是如何确定的

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。 脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。 扩展资料MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS（ON）决定，并随温度而显着变化。 器件的功耗可通过Iload2×RDS（ON）计算得出。 由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。 施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS（ON）越小； 否则RDS（ON）越高。 请注意，RDS（ON）电阻会随着电流而略有上升。参考资料来源：搜狗百科-mos管
1. 是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电 流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况 下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确 定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板 及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损坏（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。这个是理论计算的最大值。实际一般在最大值的70-80%使用MOS管不会有问题。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。 这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。 因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。 为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。 MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。 栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。扩展资料1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。参考资料来源：搜狗百科-mos管
确定mos管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的mos管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
主要是看DATASHEET，最大持续电流通过MOS管，MOS管的结温不要超过规定值。（主要看你的驱动方式，散热方式等综合因素）

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