mos开关时间多少合理，请问一下做开关电源选择MOS管的时候主要考虑哪些参数谢谢

1，请问一下做开关电源选择MOS管的时候主要考虑哪些参数谢谢

能承受的最大关断电压（留一定阈值），关断与开通损耗，能承受的最大温升（考虑整体散热）。 1，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。 2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。不知道是否回答你的问题，你可以去看一下开关电源相关资料就知道啦！

请问一下做开关电源选择MOS管的时候主要考虑哪些参数谢谢

2，关于mos管的问题

这句话无法理解的是后半句的“应选用晶体管”，这句话前半句是正确的，后半句我觉得...场效应管对于信号源呈高阻抗，因其栅极呈高阻，三极管的be正向结间压降较大因而对信号源影响较明显，故而有前半句的说法。实际上比如功率mos管也是被低电压大电流驱动的，比如零电压驱动技术在电源中的广泛应用，所以后半句...实际上选择场效应管还是晶体管还要从电路接口考量，对于信号源来说，这两种器件都是信号源的负载，因而都应该对信号源的影响越小越好，所以如果要理解这句话，只能在一个相对特定的电路中，例如音频放大器当中，可以利用场效应管较少电流于信号源的特征作为前电压放大级，然后利用晶体管作为纯甲类的功率放大级，因为这一级的输出功率取决于它的静态电流。只找到个mos管的应用请看如下链接，希望能帮到你：http://www.national.com/CHS/an/AN/AN-558.pdf

如果你的目的是让led发光，那么这里mos的作用就是开关了，做开关导通的时候，mos工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明vds>vgs-vt，也许直接mos管把你准备用来给led的开启电压都用光了。。。当然了，还是得看整体电路。

关于mos管的问题

3，请教MOS管做开关电路

电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。

G极电压根据MOS参数（开启电压），一般2-5V，要让管子起到开关作用，必须给G极开关信号。详情参考中国电子DIY之家详细分析

■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极S、漏极 D和栅极（或叫控制极）G.工作原理是：在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

请教MOS管做开关电路