MOS管负压多少，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，一般MOS管的反向压降是多少伏

MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～1.5V。

一般MOS管的反向压降是多少伏

3，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

4，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。扩展资料：PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。参考资料来源：百度百科-mos管

5，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏

保护G极的稳压管一般是15——18V，如果确定驱动电压不会超过MOS管G极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

搜一下：开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏

6，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

7，谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

是DS（工作）电流的函数，理想的为二次根式型。一般G高于S约1～2V。楼主概念有误：G与D没有什么定量的联系，只要D高于G就可以正常工作。

你好！不知道如有疑问，请追问。

没有固定值要试情况而定

8，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件，也就是说，前者是流控，后者是压控。

一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

9，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。

10，MOS管参数

你确定有MT3205这个型号？我在比较权威的电子元器件网站怎么查不出来？另外，前面这个应该是IRF3205，这个很常见，可以轻松买到。你要是不放心，直接用前面这个好了。

mos管主要参数如下：1.开启电压vt·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。2. 直流输入电阻rgs·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。3. 漏源击穿电压bvds·在vgs=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds·id剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的id4. 栅源击穿电压bvgs·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。5. 低频跨导gm·在vds为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征mos管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几ma/v的范围内6. 导通电阻ron·导通电阻ron说明了vds对id的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，所以这时的导通电阻ron可用原点的ron来近似·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1～3pf·cds约在0.1～1pf之间8. 低频噪声系数nf·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝（db）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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