mos管电流要留多少余量,MOS管有一个参数叫脉冲电流请问脉冲电流的定义是什么多宽的
来源:整理 编辑:亚灵电子网 2023-02-24 20:54:56
1,MOS管有一个参数叫脉冲电流请问脉冲电流的定义是什么多宽的
脉冲电流通常是瞬时的,持续时间很短,一般不超过10US。而且一般不重复,因此没有周期可言。
2,MOSFET问题FDS6898A明明工作电流是94A为什么测试出来的是
测试出来的是4.8-5.3A左右范围?怎么测试的?按照出厂资料的工况测试的?9.4A是理论上可承受的最大电流,一般实际使用时不可以达到这么大,必须留有余量,否则会把MOS管烧坏了。
3,一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达
大电流的场效应管许多许多,10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少?是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a你的耐压要多高的?如果600v的那就用 12n60可以了,这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。
4,开关电源MOS管的驱动电流怎么估算
问题好像很简单,要说清楚可是太难了,足够一本书的篇幅。试着简单说一下。设计一个开关电源,必须满足客户的要求(例如负载稳定度,纹波,等等),成本尽量低,体积重量尽量小……但这些要求是互相矛盾的,某一项指标高必定影响其它指标,例如效率高往往要增加成本。这些指标,受元器件性能影响很大。例如磁芯,早期的磁性材料铁损比现在的磁性材料要大。现在铁损小了,就有可能提高开关电源工作频率,从而减小变压器体积重量。但开关频率高了,管子的损耗会增加。设计者的工作,是在这些互相矛盾的要求中取得平衡,又要变压器体积小,又不能让功率管散热器体积过大。变压器磁芯的磁密通常不能用到手册给出的饱和磁密,因为在现代的MOS管开关频率下,磁密用到这么大,散热的问题很严重。通常较小功率的开关电源宁愿减少一些磁密(这当然要使变压器体积变大),也不采用强制冷却。但对功率较大的开关电源,采用风扇是合适的(总成本较低)。对硬开关工作方式,管子的上升下降时间越大,管子的损耗越大,所以总希望管子开通关断尽量快一些。但开通关断快了,又会带来其它问题,例如EMI和功率管耐压等等。若是软开关,对上升下降时间要求不像硬开关那么迫切。但软开关不适宜用在负载变化非常大的开关电源(例如实验室用的实验电源)中。这又是一个取平衡的问题。而且,功率管中电流的上升下降时间并不是你想要多短就能够多短,MOS管本身就存在上升下降时间。MOS管生产厂家也在不断改进产品以满足客户(就是你啦)的需要。现在的MOS管开关速度已经比早期功率MOS管快得多了。然而,这里又有个问题需要折中平衡,就是成本。老型号管子比较便宜,新型号贵。所以,设计是在许多互相矛盾的要求之间取平衡。MOS管的上升下降时间,只是这许多平衡或者说衡量中的一个。这些互相矛盾的要求如何取得平衡,学校里面一般不会讲到,因为老师很少考虑成本。只有具备丰富经验的工程师才能够解决得比较好,如大蚂蚁,还有不亦心等等(不一一列举)。另外,如何取得平衡,与具体项目有关。例如笔记本电源从不使用风扇(但笔记本电脑内却有风扇),而台式机电源通常都用风扇。
5,mos管的最大持续电流是如何确定的
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。 脉冲尖峰是其中大量浪涌(或尖峰电流)流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后,只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后,还必须计算传导损耗。 在实际情况下,MOS晶体管不是理想的器件,因为在传导过程中会损失电能,这称为传导损耗。 扩展资料MOS晶体管“导通”时,就像可变电阻一样,由器件的RDS(ON)决定,并随温度而显着变化。 器件的功耗可通过Iload2×RDS(ON)计算得出。 由于导通电阻随温度变化,因此功耗也会成比例地变化。 施加到MOS晶体管的电压VGS越高,RDS(ON)越小; 否则RDS(ON)越高。 请注意,RDS(ON)电阻会随着电流而略有上升。参考资料来源:搜狗百科-mos管1. 是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件 的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电 流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况 下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确 定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3. 选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。我们已将要通过器件的最大电流,可以计算出不同温度下的RDS(ON)。另外,还要做好电路板 及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损坏(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw= (Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。这个是理论计算的最大值。实际一般在最大值的70-80%使用MOS管不会有问题。MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能,但最重要的是栅极/漏极,栅极/源极和漏极/源极电容。 这些电容器在设备中产生开关损耗,因为每次开关时都会对其充电。 因此,降低了MOS晶体管的开关速度,并且还降低了器件效率。 为了计算开关过程中器件的总损耗,需要计算导通期间的损耗(Eon)和关断期间的损耗(Eoff)。 MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示:Psw =(Eon Eoff)×开关频率。 栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。扩展资料1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。参考资料来源:搜狗百科-mos管确定mos管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的mos管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的,都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。主要是看DATASHEET,最大持续电流通过MOS管,MOS管的结温不要超过规定值。(主要看你的驱动方式,散热方式等综合因素)
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mos管电流要留多少余量管电流 电流 多少
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