mos管内热阻是多少度，老师好请问一般手工焊接MOS管晶振等元件时烙铁温度一般控

1，老师好请问一般手工焊接MOS管晶振等元件时烙铁温度一般控

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

280℃到330℃

老师好请问一般手工焊接MOS管晶振等元件时烙铁温度一般控

2，mos 04n60h内阻是不是太大

其实内阻大或不大只是相对最终还是以功率来决定说到底就是MOS管最终的温度表现了。

应该不是吧。

mos 04n60h内阻是不是太大

3，一般mos管与散热片间热阻是多少

不知道你指的那种封装的，如果是常用的to220的热阻一般是0.6上下浮动

用导热贴或导热胶贴在mos管上帮助散热~

一般mos管与散热片间热阻是多少

4，mos管内阻搞好还是低好比如5n50内阻12和5n50内阻095哪个好

大体上讲，内阻总归低一点好，但也要考虑全面一点，比如内阻低了管子的抗冲击性能下降，是否还能满足应用要求，且回路内阻低了电流的上升率总归会更大一点，如果这方面管子能满足要求，那内阻就越低越好。

5，主板中各个场效应管MOS管如何测试

用万用表直接在主板上测量：先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

你只能先把他们吹下来用万用表侧他们的好坏他们在主板上的引脚电压要看实际情况注意区分快恢复二极管

6，请问当Vgs栅源间电压0v时耗尽型mos管的等效电阻是多大

如果是n型mos管，当Vgs（栅源间电压）=0v时，在衬底中没有形成反型层，所以是在mos管的截止区，是没有Id的。但当是p型mos管，当Vgs（栅源间电压）=0v时，如果是耗尽型mos管，那么根据一般的参数（拉扎维模拟cmos集成电路设计书上的），Vth（开启电压）=-0.8V，Vgs-Vth<<0，故器件还是没有导通，所以Id仍为0。

耗尽型的MOS管，在Vgs=0v时，反型层就存在，这时若有漏电压Vds，就有电流Id，具体多少，得有相关参数，才能确定。

你好！很高深。希望对你有所帮助，望采纳。

7，MOS管是什么

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。拓展资料：MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

mos管是什么东西呢

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