ddr一直读的效率最大有多少，DDR3的读写速度是多少

1，DDR3的读写速度是多少

DD3内存主频分为：1333、1600、1800、2000、2333。当前主流主板都支持以上主频的内存，华硕板需要超频才能支持2000级高更的； 1333MHz的处理速度略为1.3G/S，以此类推。

1333 1600 2133读写大概是5000m/s

DDR3的读写速度是多少

2，金士顿内存1GB DDR2 800读取速度是多少

最大速度12.8GB/S 是DDR1代的4倍

你好！金士顿代理商的出货真实在79元这样，你买时可能会经过转手，要看商家挣你多少，价格可能是90-100元这样吧，谢谢！

你还得看主板，支持这内存的，能达到最佳效果800MHZ，相应的读取速度自然也最快。但是如果板只能支持667，那就下到667MHZ，所以你想买的话，还得考虑下自己的板合适不合适，不然买了也是浪费，甚至长期降频使用还会影响内存的寿命

金士顿内存1GB DDR2 800读取速度是多少

3，用多少频率产生的效率最高

不只是铁氧磁体的问题，还要考虑高频功率管，频率越高功率管成本也越高，辐射泄漏损失也越严重。一般这种应用频率选20KHZ时，人耳就听不到了。现在大多数都是20KHZ，早期有15625HZ的。

某一材质型号磁芯规格，有一个最佳工作频率范围的，频率高了铜损小一点，但铁损高；频率低了铁损第一点，但铜损高，设计的时候让铁损和铜损平衡即可一般频率越高，输出功率越大(不超过参数极限)

开关电源的开关频率选多少不仅仅由磁芯材料决定。每一种磁芯都有一个最佳的工作频率范围，可参考说明书选择确定。其实，选择频率的另一个关键因素是开关管的最高工作频率。开关电源的损耗主要有三个方面：磁耗、铜耗、开关损耗，前两个与普通工频变压器类似，后一个主要是因为开关器件的开关速度（开关特性）不够快造成。因此，要提高工作效率要从三个方面下手。另外，楼主说的“多少频率能产生最大输出功率”，我觉得问题不对，因为开关电源的频率与输出功率没有必然的直接关系，而频率只与效率有直接关系。

30秒!

用多少频率产生的效率最高

4，电源效率最大是多少

电源电动势为E，内阻为 r ；外电阻为R，路端电压为U，电流为　I则电源提供的功率是P总＝I*E电源输出功率是P出＝I*U则电源的效率是　n＝P出 / P总＝U / E可见，当U＝E时，电源效率最大，是100%。

电源的总功率包括自身电阻的功率和外接负载的功率。电源效率就是电源输出功率比上电源总功率。电源功率最高，自然就是尽可能的增加输出功率了，减小自身电阻的功率。

我同意以上，电源效率取决于内阻与外阻的比值，所以内阻越小，效率越大。所以称内阻为0的电源为理想电源。但不可能有理想电源。

一、什么是转换效率? 为什么会有电源转换效率这个概念呢?这要先从电源的物理结构讲起。大家知道电源其实就是一个由变压器和交流/ 直流转换器以及相应稳压电路所组成的“综合变电器”。这个“综合变电器”里面包含两个主要部件—“变压器”和“电流转换器”，而这两个部件本身就存在着电能的消耗，它们附属的稳压电路自然也不例外，因此电源本身又是一个“耗电器”。输入电源的能量并不能100% 转化为供主机内各部件使用的有效能量，这样就出现了一个转换效率的问题。电源转换效率=电源为主机提供的即时输出功率/输入电源的即时功率× 100% 原理就是这么简单，但是，有两点需要注意。 1.不同的电源产品，其转换效率不同; 2.同一电源产品，在不同的工作状态下，其转换效率也有变化。第一点很容易被人理解，因为不同的电源产品之间，它们内在的变压电路、电流转换器以及功能电路都会有所不同，再加上自身的功率本来就不相同，所以转换效率不同是理所当然的。但是为什么同一产品的转换效率也会变化呢?这就要先从电源的输出电压说起了:电源的输入电压是额定的220v，而输出电压则有+12v、+5v、+3.3v 不同的规范，这就表示电源里至少拥有三种不同(“线圈缠比”、“磁感泄露率”不同)的变压器，由于三种变压器的功耗不尽相同，就意味着+12v、+5v 和+3.3v的电压输出其各自所对应的变压器转换效率亦不相同。一般而言，+12v 电压输出负责为cpu 以及硬盘和光驱的驱动马达供电，+5v 电压输出负责为硬盘和光驱的pcb 电路板供电，+3.3v 的电压输出则是为主板上的内存电路模块供电。当计算机处于不同工作状态时，各部件的使用频率和工作负荷会有所不同，导致不同电压输出回路的工作负荷浮动，所以在不同的工作状态下，电源转换效率也是变化的。通过上面的分析我们知道，电源自身功耗的浮动不是很大，而电源对外输出的浮动就比较大了，所以通常认为电源的输出负载越大，单位负载所“分摊”的电源自身功耗就越小，此时转换效率也就越高。二、电源规范对转换效率的要求小知识:转换效率与pfc 电路功率因数的区别最近有些电源标称自己的转换效率高达98%，但是仔细研究发现他们所谓的“转换效率”实际上是主动式pfc 电路的功率因数，这个因数表征的是有多少电能被电源利用了( 输入电源的实际能量/ 电网供给电源的能量)，对于主动式pfc 电路来讲，功率因数可以达到98% 甚至99% 的水平;而我们所谓的转换效率，应该是电源供给其他设备的能量/ 输入电源的能量，二者表征的对象是不一样的。以上就是电源转换效率的基本知识，下面，我们再来了解一下电源规范对转换效率的要求。最初，电源转换效率仅有60%左右;在intel的atx12v 1.3 电源规范中，规定电源的转换效率满载时不得小于68%;而在atx 12v 2.01 中，对电源的转换效率提出了更高的要求—不得小于80%。因此在购买电源时，从它遵循的电源规范上大家就能大致了解其电源转换效率的高低。之所以前后两个电源规范对电源转换效率的规定有如此大的差别，原因有三: （一）、新的atx 12v 2.01 规范基于新的电气制造技术，可以实现更高的转换效率; （二）、因为主机功耗大幅度增加，如果电源的转换效率不提高的话，那么整机的巨大功耗和发热量将严重影响到正常使用; （三）、更高的环保和节能要求。三、转换效率与我们的关系从电源规范对电源转换效率的严格要求，我们不难看出电源转换效率这个指标的重要意义。那转换效率是如何与我们每个人密切相关的呢?。就典型的atx 12v 1.3 电源产品来说，其在实际工作中，转换效率大约在70%～75% 之间，也就意味着有25%～30% 的电能被转化为热量白白浪费掉了，以标称输入功率280w的电源产品为例，损耗功率约70w～84w，实际输出功率在200w 左右(刚好满足绝大多数pc的需要)。如果换作典型的atx 12v 2.01 电源，由于转换效率提高到80%～85%，那么电功率的损耗只有15%～20%，因此只要输入功率为240w 的电源就可以达到200w 的实际输出功率。这样算来，二者的功耗相差40w 左右，对于一台每天工作10 小时的pc，一天下来可以节约0.4 度(千瓦时)电，一年下来就是146 度电，以每度电6 角钱计算，光一年节省的电费就是100 元。当然这不仅仅是为个人节省开支的问题，目前我国仍是以火力发电为主，节约用电的同时就是为环保作出了贡献;另一方面，电源转换效率的提高意味着电源自身发热量的减少，这样更有利于降低机箱内的温度。

5，请教一下DDR内存读写次数

他们还是晶圆的时候是一样的，但是制作工艺是不一样的，而且他们两个的工作储存方式也有很大的区别，闪存是比较粗糙的，而内存的工艺要细致的多，同时在封装的精度上内存也要高很多，最主要的是工作原理使得内存跟闪存擦写次数相差很远。闪存大约在10万次，内存读写次数还真不知道。

<a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fwww.cpcfan.com%2f%3faction-viewthread-tid-56646" target="_blank">http://www.cpcfan.com/?action-viewthread-tid-56646</a> ddr1和ddr2的插槽外观看起来虽然一样,但内部针脚定义完全不同,不能都用. ddr1和ddr2区别在于,在"一个时间单位"内,ddr1可以传输"1份数据",ddr2传输"两份数据".但是,ddr2的延时较长,所以同频率的ddr2比ddr1慢一些.但是ddr1做到400mhz就很难提升了,而ddr2可以轻易达到800mhz.这样ddr2就比ddr1要快很多了.所以综合来说,ddr2要好,而且现在几乎买不到ddr1的内存了.就算有卖的也比ddr2内存要贵好几倍,淘汰了. 但是,原先支持ddr1内存的主板就只能插ddr1,支持ddr2的主板就只能插ddr2,一般不存在"兼容"的主板. 1.理论上说速度回快一倍,就向sd和ddr一样 2.价格会比ddr多30-50左右 3.945以上的芯片组一定回支持的 ddr2与ddr的区别 与ddr相比，ddr2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于ddr内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个dram核心来实现的。作为对比，在每个设备上ddr内存只能够使用一个dram核心。技术上讲，ddr2内存上仍然只有一个dram核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 ddr2与ddr的区别示意图 与双倍速运行的数据缓冲相结合，ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于，它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。 然而，尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存，因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样，ddr2的针脚数量为240针，而ddr内存为184针；其次，ddr2内存的vdimm电压为1.8v，也和ddr内存的2.5v不同。 ddr2的定义： ddr2（double data rate 2） sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。 ddr2与ddr的区别： 在了解ddr2内存诸多新技术前，先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然ddr2和ddr一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100mhz的工作频率下，ddr的实际频率为200mhz，而ddr2则可以达到400mhz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的ddr和ddr2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，ddr 200和ddr2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，ddr2-400和ddr 400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作频率是200mhz，而ddr2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。 2、封装和发热量： ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，ddr2可以获得更快的频率提升，突破标准ddr的400mhz限制。 ddr内存通常采用tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式，fbga封装提供了更好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 ddr2内存采用1.8v电压，相对于ddr标准的2.5v，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 ddr2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，ddr2还引入了三项新的技术，它们是ocd、odt和post cas。 ocd（off-chip driver）：也就是所谓的离线驱动调整，ddr ii通过ocd可以提高信号的完整性。ddr ii通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 odt：odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddr不能比拟的。 post cas：它是为了提高ddr ii内存的利用效率而设定的。在post cas操作中，cas信号（读写/命令）能够被插到ras信号后面的一个时钟周期，cas命令可以在附加延迟（additive latency）后面保持有效。原来的trcd（ras到cas和延迟）被al（additive latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期，因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。

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