1,mos 功率管降低控制的GS电压如4V以减少输出电流非饱和

mos管非饱和时可以看作一个可控可变电阻,饱和时就是rds典型值几十毫欧的导线,你说那个功耗大?
800w

mos 功率管降低控制的GS电压如4V以减少输出电流非饱和

2,MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

一般在3.3~4v时可以导通,10v是内阻达到最小,不要超过10v使用
实际使用的时候,要想使其可靠截止,尽可能将VGS保持0或反向电压,即N沟道,VGS≤0V,P沟道≥0V。

MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电

3,N沟道MOS管的datasheetVGSth Min06V Max12V 请问什么意思

指的是开启电压,最小0.6V,最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压(GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通,这个电压就是开启电压)从0.6到1.2V之间,每个管子都有所不同,这是制造时的离散性造成的。

N沟道MOS管的datasheetVGSth Min06V Max12V 请问什么意思

4,MOS管GS间电压反接可以导通吗

如果符合Uds
irf540n的导通起控电压为2-4v,gs极之间最高电压不能超过20v,质量较好的管子gs加6-8v就已经饱和导通(内阻最小),所以使用时如果有脉动或尖峰电压时,最好在gs两极之间接入一12-15v的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管,质量最好的是美国ir和harris公司出品的管子,参数的一致性相当地好。

5,mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件, 也 就是说,前者是流控,后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V,也有3-5V的,同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大,为了使MOS管的开关速度快和减少功耗,就要对栅极快速充放电,驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大,所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上,三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos,然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

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