igbt极间电容一般取多少，IGBT的特性参数

1，IGBT的特性参数

IGBT的特性其实和三极管差不多只不过场管是电压驱动元件它也有三种状态截至导通饱和当然导通某个场管得具体看这个场管的系数当外部电压达到导通电压时元件导通有电流经过场管当电压降低到某一导通阀值内也就截至了

导通阀值不可能为0，这是所有半导体功率器件的特点，一般都是0.5v~4v这样，至于igbt，阈值一般为2v左右

IGBT的特性参数

2，IGBT C极和E级之间的电容值应该怎么得到

任务占坑

IGBT管在导通时，其C极电压越低，IGBT管内部的损耗越小，反之则损耗越大。当IGBT管内部损耗超过规定值时，IGBT管会因为内部发热严重而烧坏。在电磁炉理想的工作状态下，IGBT管C极电压为0时开通IGBT，其内部损耗为0（W=UI），但实际在电磁炉工作时，C极电压不可能为0，所以只能取IGBT管C极最低电压时开通IGBT管，使IGBT管的开关损耗最小。所以同步就是IGBT管C极电压最低时的检测，也就是最佳的IGBT管导通时机。硬件类一般都上硬之城看那里比较专业，专业的问题专业解决，这是最快的也是最好的方法，好过自己瞎搞，因为电子元器件的电子型号那些太多了一不小心就会弄错，所以还是找专业的帮你解决。

IGBT C极和E级之间的电容值应该怎么得到

3，怎样用万用表测量IGBT

用万用表测IGBT只能测分别跟上下IGBT反并联的二极管，自己琢磨吧，很简单的一个道理。万用表有一个二极管导通压降的档

1.判定栅极g　　将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。　　2.判定源极s、漏极d　　由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。　　3.测量漏-源通态电阻rds(on)　　将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。　　由于测试条件不同，测出的rds(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds(on)=3.2w，大于0.58w(典型值)。　　检查跨导　　将万用表置于r×1k(或r×100)档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。　　注意事项：　　(1)vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。　　(2)有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。　　(3)目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。　　(4)现在市售vnf系列(n沟道)产品，是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。　　(5)使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30w。　　(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。　　本文参考： http://www.p-e-china.com

怎样用万用表测量IGBT

4，IGBT单管焊机的驱动电压一般是多少直流还是交流

IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V，但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2~3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。IGBT 的转移特性与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。扩展资料IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。此外，在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。参考资料来源：百度百科—IGBT

方波不高于18v，有时是正负脉冲

这个一般由驱动电路电压确定，但是都不会超过18V。因它工作时是处于高速开关状态，所以直流是绝对不行的，但也不是正弦交流。而是一种高频方波脉冲，可以是几十到几百K的速度。

查你所用的IGBT手册，驱动电压时直流或直流脉冲。

驱动直流电压的范围是13V~18V，但是不同品牌的IGBT的驱动电压会有些误差，根据具体需要设置吧。

这个应该属于正常的是vrd功能只有焊接的时候才是真实电压，现在的27付是假输出可以这么理解，为什么设置者共功能的因为正常的电压时70左右有时候在高空换焊条啥的有电到人出事故的所以27付是不会有这现象的

5，什么是igbt

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：集电极电流（符号：IC ）：集电极所允许的最大直流电流。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：耗散功率（符号：PC）：单个IGBT所允许的最大耗散功率。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：结温（符号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：漏电流（符号：IGES ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：饱和压降（符号：V CE（sat））：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：输入电容（符号：Clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。

他就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12v（大于6v，一般取12v到15v）时igbt导通，栅源极不加电压或者是加负压时，igbt关断，加负压就是为了可靠关断。他没有放大袱珐递貉郛股店瘫锭凯电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。 igbt有三个端子，分别是g，d，s，在g和s两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在gs两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。参考资料：baike.baidu.com/view/115175.htm

6，美的电磁炉igbt怎么量

如何判断IGBT管的好坏：正常的IGBT管G极c/e极间正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管的e、c极间正向电阻（红表笔接e极黑表笔接c极）3.5K左右，不含阻尼二极管的IGBT管e/c极间电阻均为50K左右，记住IGBT管中间脚为集电极（C极）。另外一个问题，电磁炉不通电，完全没反应，没有滴的声音，这一情况需要检查电源线，插座、电源电路了。

如何判定igbt管的好坏：正常的igbt管g极c/e极间正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的igbt管的e、c极间正向电阻（红表笔接e极黑表笔接c极）3.5k左右，不含阻尼二极管的igbt管e/c极间电阻均为50k左右，记住igbt管中间脚为集电极（c极）。修电磁炉怕igbt烧管的绝招；更换igbt同时记得把驱动管一起换掉（不管是好是坏；很多人测量没坏就没换；代价就是过不了多久再烧igbt；两个三极管最多1元；一个igbt就要翻十几翻了）还要检查下0.27uf或者0.3uf、5uf电容；一切就绪. 在交流220v上，串接一个60-100w的灯泡，加锅，接通电源：.若灯泡暗红（适用于插上220v后待机指示灯亮），开启电磁炉电源，灯泡一亮一暗地闪烁，（而插上220v后待机指示灯不亮），开启电磁炉电源，灯泡一亮即暗重开电源也是一亮即暗；表明电磁炉已经基本ok了。若灯泡很亮，表明igbt管完全导通。此时，若拆除灯泡通电工作，必烧igbt管！应主要查修驱动谐振电容高压整流等电路。 .若灯泡暗红，开启电磁炉电源，灯泡亮度不变。则应主要查修面板控制微电脑供电副电源等电路。 .若灯泡暗红，开启电磁炉电源，灯泡一亮一暗地闪烁,但把锅具抬起灯泡很亮；属于抬锅炸igbt，应检查cpu驱动线盘。电磁炉电路板简单维修方法；电路板烧igbt或保险丝的维修程序，电流保险丝或igbt烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，igbt和保险丝又会烧坏。 1．目视电流保险丝是否烧断 2．检测igbt是否击穿：用万用表二极管档测量igbt的“e”；“c”；“g”三极间是否击穿。 a：“e”极与“g”极；“c”极与“g”极，正反测试均不导通(正常)。 b：万用表红笔接”e“极，黑笔接“c”极有0.4v左右的电压降（型号为gt40t101三极全不通）。 3．测量互感器是否断脚，正常状态如下：用万用表电阻档测量互感器次级电阻约80ω；初极为0ω。 4．整流桥是否正常（用万用表二极管档测试）： a：万用表红笔接“-”，黑笔接“+”有0.9v左右的电压降，调反无显示。 b：万用表红笔接“-”，黑笔分别接两个输入端均有0.5v左右的电压降，调反无显示。 c：万用表黑笔接“+”，红笔分别接两个输入端均有0.5v左右的电压降，调反无显示。 5．检查电容（那几个大电容）；是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔） 6.igbt处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量cpu口线是否击穿；按键动作不良用万用表二极管档测量cpu极与接地端，均有0.7v左右的电压降，万用表红笔接“地”；黑笔接“cpu每一极口线”。否则，说明cpu口线击穿。希望对你有帮助

7，IGBT是什么

(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体

是场效应功率管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。定义 IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 [编辑本段]工作特性静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。通态电流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。 [编辑本段]发展历史 1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。 [编辑本段]输出特性与转移特性 IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。 [编辑本段]模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。 [编辑本段]等效电路 IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。保管时的注意事项一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

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