1，跪求IR2110驱动两个MOS管的电路主要起光耦隔离作用

IR2110不隔离，不能起到光耦的隔离作用

跪求IR2110驱动两个MOS管的电路主要起光耦隔离作用

2，IR2110S的基本信息

驱动芯片类型:高/低边封装类型:SOIC偏移电压:500V功耗, Pd:1.25W器件标号:2110封装类型:剥式电源电压 最大:20V电源电压 最小:10V芯片标号:2110表面安装器件:表面安装输出数:2输出电压:520V输出电压 最大:20V输出电压 最小:10V输出电流:2.5A逻辑功能号:2110输出电流 汲入型 最小:2000mA输出电流 流出型 最小:2000mA

IR2110S的基本信息

3，求用IR2110驱动单个mos管的电路

这是我的项目中用到的，跟IR2110基本差不多你参考一下其中，PWMI是输入控制，PWMO是MOS管控制

求用IR2110驱动单个mos管的电路

4，IR2110全桥驱动波形问题

应该是pCB布线问题，Q1和Q6两个管子是一个桥臂，从你这个图可以看到两个功率管子离得太远，之间又这么多电路，很容易收到干扰的。 你再试试在管子引脚Q1的D、Q6的S极，也就是直流母线电压上加高频电容，能滤掉一些，估计作用不大，驱动电阻你用了33Ω，应该算合适了，布线好的可以用10~20Ω的，差的就尽量增大吧。PS：2110用到35kHz，你最好看看手册，确认这么高频率功耗它称受得了不？

5，IR2110能不能驱动晶闸管

完全可以的 只要你电路没什么问题 我做的就是用IR2110来驱动的
需要给您完成一份吗

6，ir2110能驱动多大功率模块

您好朋友，很高兴为您解答问题！据百度百科，ir2110能驱动1.25W功率模块，该电路芯片体积小、集成度高、响应快、偏值电压高、驱动能力强，内设欠压封锁，而且其成本低，易于调试，并设有外部保护封锁端口。扩展知识：IR2110是由美国国际整流器公司利用自身独有的高压集成电路及无门锁CMOS 技术生产的驱动器，它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。希望我的回答能够对您有所帮助，谢谢！

7，为什么我的IR2110做MOS管全桥驱动HIN接PWM但HO输出跟VS端

IR2110高端的驱动供电是靠两个MOS管公共点的脉冲取得的，必须要主电路供电后，HO才能输出主电源+VS的幅度（对电源负端测量）驱动信号。
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

8，求使用IR2110驱动单个mos管的电路

　　 我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。 　　 如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。如果实在要用7脚与5脚的话，必须把5脚强制接COM，即接到15V的地。否则7脚对COM一直为高。

9，ir2110可以驱动多大功率的mosfet

您好，我看到您的问题很久没有人来回答，但是问题过期无人回答会被扣分的并且你的悬赏分也会被没收！所以我给你提几条建议：一，你可以选择在正确的分类下去提问，这样知道你问题答案的人才会多一些，回答的人也会多些。二，您可以到与您问题相关专业网站论坛里去看看，那里聚集了许多专业人才，一定可以为你解决问题的。三，你可以向你的网上好友问友打听，他们会更加真诚热心为你寻找答案的，甚至可以到相关网站直接搜索.四，网上很多专业论坛以及知识平台，上面也有很多资料，我遇到专业性的问题总是上论坛求解决办法的。五，将你的问题问的细一些，清楚一些！让人更加容易看懂明白是什么意思!谢谢采纳我的建议! !
管子散热行不行？

10，ir2110 ir2110s 有什么分别

自举电容的设计IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通所需要的电压(10 V，高压侧锁定电压为8.7／8.3 V)要高，而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降(包括VD1的正向压降)，同时假定有1／2的栅电压(栅极门槛电压VTH通常3～5 V)因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC(可由IRF2807电特性表查得)，Vcc为15V，那么有：这样C1约为0.1 μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35 V的独石电容。
好像是贴片和直插的区别
你说呢...

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