igbt导通之后压降是多少，IGBT的结电压是什么大小为多少

1，IGBT的结电压是什么大小为多少

没有固定值，导通后一般是1，2V的样子。

三节共4点5伏

IGBT的结电压是什么大小为多少

2，IGBT能把3080V的直流电压降到12V的吗他能不能大电流工作啊

要更换变压器，因为小电流的变压器根本不可能承受大电流，会把线圈烧毁的

可以,只是压降比较大,IGBT更适合在高电压的场合,你可用场管

IGBT能把3080V的直流电压降到12V的吗他能不能大电流工作啊

3，igbt允许的电压变化率一般为多少

IGBT基极的驱动电压是18V的，不过给IGBT发出开关脉冲控制的芯片输出的电压是5V左右，一般在4.4V以上就可以了

开通电压+15v关断电压0v 就够了，但是一般为了安全性和可靠性都会用负压关断，例如关断电压为-15、-9等

igbt允许的电压变化率一般为多少

4，IGBT导通电压是多少

答：不同的IGBT导通压降都不一样，例如低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右，快速型导通压降大约2.7~3.7V左右。你可以上生产IGBT的厂家下载资料。例如三菱富士英飞凌西门康 LS 国产的斯达宏微 BYD等都有资料的。

不同的igbt导通压降都不一样，例如低损耗的大于典型值为1.7~2.1v左右，快速型导通压降大约2.7~3.7v左右。

这个得看场管的具体型号了

可以从data sheet上看的，每个管子都不一样，不过差别不会很大，一般就2V左右。

5，IGBT的驱动电压问题

这个是电势和电压的理解问题。如果想理解这个问题，需要了解下列知识：1.PN结导通原理2.IGBT的芯片内部结构3.IGBT芯片的Uge和Uce开通和关断的波形图。4.IGBT的电路连接。

Uge电压，是由隔离电源单独提供，这个电压不会变化，除非控制信号变了。换种说法，Ue高了，Ug跟着高，Uge是不会变化的。

驱动IGBT时，驱动电路需要有一个参考端。这个参考端就是IGBT的E极，所以当IGBT导通后，即使E极电压升高，单Vge总是以E极为参考也会增加，这样就不会产生反压。

因为igbt驱动的后级是高压所以igbt驱动的前级和后级是需要进行电气隔离的可以用光耦，光纤，变压器等说白了就是不能让后级的高压窜到主控板上

6，IGBT整流IGBT整流后电压有上限么

有最高的话是主电路采用三相全控型当a=0度时产生最高2.34倍的输入电压

先说普通整流吧，一般是二极管整流或是可控硅整流，即使是用全波桥式整流，由于整流后面要加入大量的滤波电容，而二极管或可控硅都是在为后面的电容冲电提供服务，只有电容上的直流电低于二极管或可控硅送过来的整流后的电压值时，二极管或可控硅才导通，电容的冲放电的特性就决定了电源侧的电压与电流波形不能保持同步，从设计和使用角度，希望滤波电容越多越好，使直流电尽可能的平滑，但这样就造成大量谐波污染电网，设备的输入功率因数也非常低。而igbt整流，加入了复杂的控制电路，一般是用二极管全桥与igbt相结合的主电路，通过对igbt的控制，控制igbt的导通与关闭，模拟出一个正弦交流电流的波形，而且与输入电压波形同相位，这样就把功率因数近似提高到1，大量降低了谐波的产生，所以被越来越多的使用。

7，为什么同为场控器件IGBT的通态压降比MOSFET低

IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。 IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。 IGBT的特点: 1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。 2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。 3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。 4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。 IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。

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