1，boost dcdc 功率mos管的漏电流指的是什么

这是MOS管的一个参数和功率拓扑没有关系是指在MOS的DS上叠加一定电压时，ID的电流大小

boost dcdc 功率mos管的漏电流指的是什么

2，数电中MOS管截止了到底有没有漏电流

这主看你这漏电流的大小标准了，标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的，后一个有是实际中的。
没有

数电中MOS管截止了到底有没有漏电流

3，MOS管的源极漏极栅极是不是联通的电流是什么走向

栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

MOS管的源极漏极栅极是不是联通的电流是什么走向

4，MOS管在截止区时它的截止电流公式是什么 求大婶助我

截止区的时候，就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了这个时候是没有电流的只有少部分漏电流具体的值参考MOS管手册提供的参数。
无论面积大小一定存在漏电流，但看你接受程度了，一般220封装或247封装漏电流最大不过在几百na级别，

5，MOS管的预夹断是怎么回事此时漏极与源极之间的电流是怎样的

是从饱和区到放大区的临界点载流子在勾道里面的分布状态，如果忽略栅极的漏过来的电流fA量级，漏极的电流和源极的电流时一样的，只不过继续加大漏源电压的时候漏极电流变化不大而进入管子的放大区，MOS管简单可以这样讲，但是仔细讲的话可不是这么简单的咯以上的例子针对N沟道增强型的管子来说的哈，对于别的管子逻辑上自己判断一下就好咯~很简单的

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