典型器件的S典型值一般为多少，TTL 与非门电路高电平的产品典型值通常不低于几伏

1，TTL 与非门电路高电平的产品典型值通常不低于几伏

TTL逻辑器件的输入高电平门限电压是2V，达到或高于此门限电压就能被可靠地视作高电平，低于此门限电压就可能被当做低电平。

TTL 与非门电路高电平的产品典型值通常不低于几伏

2，TTLCMOS的高低电平的典型值是多少两种类型电路的特点和区别百度

1、TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。CMOS电平：逻辑高电平电压接近于电源电压，逻辑低电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。2、TTL和COMS特点和区别在于： 1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。 2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）COMS电路的锁定效应： COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

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3，规格书中维持电流最小值最大值典型值是什么意思

最小值：维持器件特性的最小电流。最大值：超过最大值有可能烧毁器件。典型值：器件稳定工作的数值。

搜一下：规格书中维持电流最小值、最大值、典型值是什么意思

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4，TTLCMOS的高低电平的典型值是多少两种类型电路的特点和区别是什么

1、ttl电平：输出高电平>2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平是0.2v。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是0.4v。cmos电平：逻辑高电平电压接近于电源电压，逻辑低电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。2、ttl和coms特点和区别在于：1）ttl电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）ttl电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。coms电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。3）coms电路的锁定效应：coms电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，coms的内部电流能达到40ma以上，很容易烧毁芯片。

5，S9018的是多少

不同厂家的S9018产品参数各不相同，β最小值有的是28，有的是70；典型值有的是100，有的没有给出典型值；最大值有的是190，有的是198，有的是300。

s9018只是一只普通的小功率高频三极管，属于非线性元件，不同的电流下有不同的放大倍数，技术参数手册里也只能给出放大倍数的范围。

6，TTL电路高电平范围多少伏低电平多少伏

规定输出高电平>2.4V，输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平≥2.0V，输入低电平≤0.8V，噪声容限是0.4V。“TTL电平”最常用于有关电专业，如：电路、数字电路、微机原理与接口技术、单片机等课程中都有所涉及。在数字电路中只有两种电平（高和低）高电平+5V、低电平0V。同样运用比较广泛的还有CMOS电平、232电平、485电平等。扩展资料TTL电路采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃) ，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。参考资料来源：百度百科-TTL电平参考资料来源：百度百科-TTL电路

7，请问在电路中所标出的电源VCCVDDVSS中的下标CCDDSS

VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电路）；漏极电压（场效应管）VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)VSS:地或电源负极VEE：负电压供电；场效应管的源极（S）VPP：编程/擦除电压。下标：在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压：VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd !VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。有些IC 同时有VCC和VDD，这种器件带有电压转换功能。在“场效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚，这是元件引脚符号，它没有“VCC”的名称，你的问题包含3个符号，VCC / VDD /VSS，这显然是电路符号。

电压(voltage to current converter)电源电压(voltage drain drain).vss ----电路一种符号　　在电子电路中，vss / vdd /vcc这些为电子电路符号。vss的v还是电压，s是:series，表示公共连接（一般就是接地）或电源负极。vss的意思是接地电压（接地点电位视为0）。在“场效应”即cmos元件中，vdd乃cmos的漏极引脚，vss乃cmos的源极引脚。　　另外，vcc：c=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压（电路的供电电压）， d=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压（芯片的工作电压），在普通的电子电路中，一般vcc>vdd !。

8，固定式压力容器典型结构主要受压元件基本参数容器内介质特性

1、典型结构：通常容器有立式、卧式之分，换热器类主要分固定管板换热器、套管换热器、螺旋板换热器，塔器等。这些设备主要受压元件一般是封头、壳体、大法兰、DN250以上的接管法兰、主螺栓、管板、换热管等。2、压力容器的基本参数：通常要在图纸上明确设计和操作工况，如压力、温度、介质种类、开停车工况、瞬时工况、循环工况等。3、介质：通常是液体、气体、液化气体、混合液体、固体（混合体，或者结晶过程等）。扩展资料：压力容器使用注意事项：1、确保压力容器上的所有组件使用前已经正确而可靠地安装好。2、确保压力容器按生产商推荐的跨距(S)水平支撑和可靠固定。3、确保压力容器的固定和配管连接有柔性可缓冲余地，以适应压力容器在压力的作用下径向和轴向增大的影响。4、确保系统装置为压力容器提供过压(大于105%的设计压力)保护装置。5、确保定期检查端板、配管接口对已经腐蚀或损坏的部件及时更换。6、确保所有橡胶密封件和压力容器内表面在使用前已经适当地涂覆润滑剂。参考资料来源：搜狗百科-固定式压力容器安全技术监察规程参考资料来源：搜狗百科-受压元件参考资料来源：搜狗百科-基本参数参考资料来源：搜狗百科-容器参考资料来源：搜狗百科-介质

你好，关于固定式压力容器典型结构、主要受压元件、基本参数、容器内介质特性，每个容器的参数是不同的，具体的参数属性的介绍，你可以参考GB150、GB151、和固容规等相关资料的。望采纳，谢谢。

1. 典型结构：一般容器有立式、卧式之分；换热器类主要分固定管板换热器、套管换热器、螺旋板换热器等；塔器等。这些设备主要受压元件一般是封头、壳体、大法兰、dn250以上的接管法兰、主螺栓、管板、换热管等；2. 压力容器的基本参数：一般要在图纸上明确设计和操作工况，如压力、温度、介质种类、开停车工况、瞬时工况、循环工况等；3. 介质：一般是液体、气体、液化气体、混合液体、固体（混合体，或者结晶过程等）

9，TTLCMOS的高低电平的典型值是多少两种类型电路的特点和区别

TTL电源电压只能是5V，电平大致如下：输出高电平电压≥2.7V，典型3.6V，输出低电平电压≤0.5V；输入高电平电压要求＞2V，输入低电平电压要求＜0.8V。CMOS电源电压适应性强，一般在3~15V之间，电平大致如下：输出高电平电压=Vdd，输出低电平电压=0V。输入高电平电压要求＞0.7Vdd，输入低电平电压要求＜0.3Vdd。以5V电源为例，VOH=5V，VOL=0V，VIH>3.5V，VIL<1.5V。可以看出CMOS器件的电压传输特性优于TTL，并且COMS器件功耗很低，但是传输速度也低于TTL器件。随着CMOS制造工艺的进步，性能日趋完善，已经占领绝大多数的市场份额，只是由于著名的74系列TTL器件影响很大，学校教学还是以此为范本，就像单片机的51系列一样。总之，让TTL牺牲吧，拥抱COMS！

1、ttl电平：输出高电平>2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平是0.2v。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是0.4v。cmos电平：逻辑高电平电压接近于电源电压，逻辑低电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。2、ttl和coms特点和区别在于： 1）ttl电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。 2）ttl电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。coms电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）coms电路的锁定效应： coms电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，coms的内部电流能达到40ma以上，很容易烧毁芯片。

10，新手求教问几个困惑我很久的单片机问题

首先回答你那个例子，关于TTL与COMS后面再提，单片机使用的是TTL电路，请记住，单片机上电和复位所有的引脚输出的都是高平，这一点请注意，所以根据发光二极管的导通特性，如果一端接5V电平，那么要让P2。0口输出低电压才能发光，如果是接地，那么一上电，发光二极管就会亮，两种接法的区别在于：前者的驱动能力大，使发光二极管的亮度加强，不至后者那么微弱，因为单片机输出的功率不是很大，单片机因采用TTL电路，输出的高代电平相对来说固定，要么是5V，要么是0V。下面是TTL与COMS的区别：什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。TTL电路的电源VDD供电只允许在+5V±10%范围内，扇出数为10个以下TTL门电路； COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Compiementary symmetry metal oxide semicoductor）集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5--+15V均能正常工作，电压波动允许±10，当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1，输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0，扇出数为10--20个COMS门电路. TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。CMOS电平和TTL电平: CMOS电平电压范围在3～15V，比如4000系列当5V供电时，输出在4.6以上为高电平，输出在0.05V以下为低电平。输入在3.5V以上为高电平，输入在1.5V以下为低电平。而对于TTL芯片，供电范围在0～5V，常见都是5V，如74系列5V供电，输出在2.7V以上为高电平，输出在0.5V以下为低电平，输入在2V以上为高电平，在0.8V以下为低电平。因此，CMOS电路与TTL电路就有一个电平转换的问题，使两者电平域值能匹配TTL电平与CMOS电平的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。(三)TTL电平标准输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。输入 L： <1.2V ； H：>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。 CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc. 一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。 74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。如果CMOS电路的前一级为TTL则隐藏着不可靠隐患，反之则没问题。1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。3）COMS电路的锁定效应： COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。6，COMS电路的使用注意事项 1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。 2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。 3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。 4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。 7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）： 1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？ TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。

;这是我编的程序,希望对你有帮助,如果有什么不明白,都可以问我,我知道的一定为你解答; ;p1.0接一个示波器,p1.0~~p1.3各接一个开关,各个开关依次对应频率1000hz 100hz 10hz 1hz; org 0000h ljmp main org 000bh ljmp time0main: mov tmod,#01h ; mov ie,#82h ; mov th0,#0feh ;定时500us,即0.5ms mov tl0,#0ch setb tr0;----------1000hz(1ms)----------------------;k1000hz:cpl p1.0 ;p2.0 jnb 4eh,$ ;t=2x0.5ms=1ms clr 4eh jnb p2.1,k100hz jnb p2.2,k10hz jnb p2.3,k1hz sjmp k1000hz ;-----------100hz(10ms)---------------------;k100hz: cpl p1.0 ;p2.1 mov r1,#10 ;10x0.5ms=5ms,t=2x5ms=10msjj00:jnb 4eh,$ clr 4eh jnb p2.0,k1000hz jnb p2.2,k10hz jnb p2.3,k1hz djnz r1,jj00 sjmp k100hz;-----------10hz(100ms)---------------------;k10hz:cpl p1.0 ;p2.2 mov r1,#100 ;100x0.5ms=50ms,t=2x50ms=100msjj01:jnb 4eh,$ clr 4eh jnb p2.0,k1000hz jnb p2.1,k100hz jnb p2.3,k1hz djnz r1,jj01 sjmp k10hz;-------------1hz(1s)-------------------;k1hz:cpl p1.0 ;p2.3 mov r1,#250 ;250x4=1000,1000x0.5ms=0.5s,t=2x0.5s=1sher:mov r2,#4jj02:jnb 4eh,$ clr 4eh jnb p2.0,k1000hz jnb p2.1,k100hz jnb p2.2,k10hz djnz r2,jj02 djnz r1,her sjmp k1hz;--------------------------------; ;--------------定时器,定时0.5ms-----------------------; time0: mov th0,#0feh ; mov tl0,#0ch ; setb 4eh reti end

如果发光二极管的一端接地，编程时让P2.0出高电平，你不接电阻二极管也只是亮一点，因内部有大约36K的上拉电阻，你要在P2.0和+5V之间再接一个电阻，发光二极管才能正常发光。P2.0出的高电平空载时是固定的，5V；带载时不是固定的，看负载与内部上拉电阻的分压比例？P1、P3口都是这样，只有P0不同内部无上拉电阻。

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