1，升压电路的功率mos管的功耗

50w左右，正常范围内升压电路的功率mos管的功耗在50w左右.

升压电路的功率mos管的功耗

2，5000瓦mos功耗

5000瓦mos功耗是指MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的功耗，它是一种常用的半导体器件，用于控制电路中的电流和电压。它的功耗主要取决于它的工作电压和电流，一般来说，它的功耗范围是从几瓦到几千瓦。

5000瓦mos功耗

3，ASEMI中小功率MOS管10N60的功耗PD是多少

10N60参数描述型号：10N60封装：TO-220AB特性：中小功率MOS管电性参数：10A 600V栅极阈值电压VGS(TH)：4V连续漏极电流(ID)：10A功耗(PD)：155W二极管正向电压(VSD)：1.5V静态漏源导通电阻(RDS(ON))：0.85Ω脉冲正向电流ISM：40A反向恢复时间(Trr)：600nS输出电容(Coss)：180pF贮存温度：-55~+150℃引线数量：3 10N60属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。

ASEMI中小功率MOS管10N60的功耗PD是多少


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