1，二极管IN5401耐压是几伏

这是3A耐压100V的整流管
最高耐压100V ,最高电流3A.
IN5401耐压是100V
in5401是硅塑封整流二极管。 3a、100v。

二极管IN5401耐压是几伏

2，整流二级管的耐压值应该多大滤波点容容量多大负载电阻阻值多大 搜

1、整流二极管的选择使用　　1)对于串联型电源电路整流二极管，应选择整流二极管最大整流，电流与反向工作电压适合条件二极管。　　2)对于开关型稳压电路用整流二极管应选择使用工作频率较高，且反向恢复时司短快恢复型整流二极管。而不能使用一般整流二极管。可选择使用fr一系列，pfr一系列，mur一系列快恢复二极管。　　3)对低电压整流电路应选择使用正问压降小整流二极管。　　4)对于5A下整流电路可选择使用一般整流二极管。例如应用半桥，全桥整流电路，收录机电源电路对及普通低电压整流电路等，可选择使用1n4000，1n5200一系列硅塑封整流二极管。也可选择使用2cz一系列整流二极管。　　5)整流二极管代换原则:　　①可选择使用型号参数及原二极管型号参数基本相同二极管代换。　　②整流电流大二极管可代换整流 电流小二极管，相反则不能代换。　　③反向工作电压高二极管可代换反向电压低二极管，相反则不可能代换 。　　④工作频率高二极管可代换工作频率低二极管，则不能代换。 6）二极管耐压选择，一般来讲，是根据电源的电压来确定的；半波和桥式整流，选用1倍的电压，全波整流，选用2倍的电压。在此基础上，加上一定的余量。2、滤波电容的选择：在工频电路中，滤波电容的大小与输出电流大小有关，其大致关系为：输出电流2A附近，电容量为2200μF左右，输出电流1A附近，电容量为1000μF左右，输出电流0.5～1A，电容量为470μF，输出电流0.1～0.5A，电容量为470μF，输出电流100mA以下，电容量为220μF。3、负载电阻的计算。根据欧姆定律，在已知电压和电流的情况下，求得负载电阻值：计算公式：R=U/I

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3，这种二极管耐压多少有图

可能800V以上
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30ma范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3v范围内。发光二极管的反向耐压一般在6v左右。 发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。 二极管特性： 正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服pn结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，pn结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5v，锗管约为0.1v。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8v，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3v。 反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在na数量级，小功率锗管在μa数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 击穿 外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
800或1000伏。
看实物是看不出耐压的，一般焊机低压整流二极管耐压为200V附近就足够的。

这种二极管耐压多少有图

4，一般二极管的耐压是多少

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。　　发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。　　二极管特性：　　正向性　　外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。　　反向性　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。　　击穿　　外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
1N5817 20V1N5818 30V1N5819 40V
一般二极管的耐压是多少？这个比较笼统哦，不同型号的二极管相差很大，但可能外观相同。比如：1N4001 50V1N4002 100V1N4003 200V1N4004 400V1N4005 600V1N4006 800V1N4007 1000V这些二极管外观完全相同，但是耐压却从50V到1000V，区别巨大。电子元器件一定要注意型号，否则谬以千里。
这个很难说。因为不同的二极管有不同的参数。
二极管rl207的耐压是1000v。rl207参数： 最大重复峰值反向电压：1000v 最大正向平均整流电流：2a 正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波：70a 最大正向电压@ta=25℃：v:1;a:2 最大反向电流@vrrmta=25℃：5.0μa 最大反向恢复时间：50 封装形式：do-15整流二极管代换： 整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

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