1，整流二极管的工作降压是多少

整流二极管的1N4000系列在1A导通压降为1V,10A时1.4V,0.01A时0.7V。最高工作频率MHz: 在相应的反向电压下高于最高频率，二极管失去开关特性。额定脉冲功率W500：瞬间通过的最大功率。

整流二极管的工作降压是多少

2，桥式整流电路压降有多大

而另两个二极管同时截止。那么，它的压降就是两个二极管的导通压降，大约1.5V-2V左右吧

桥式整流电路压降有多大

3，1N4OO1型整流二极管的正向压降是多少

呵呵， 1N4001~1N4007都是硅整流二极管，他们的正向导通电流1A时的正向压降都是1.1V啊。
1N4001是硅整流二极管，所有硅整流二极管导通后的压降都在0.7V左右。

1N4OO1型整流二极管的正向压降是多少

4，桥式整流电路压降有多大

全波桥式整流电路中，任何时候都有2个二极管同时导通，而另两个二极管同时截止。那么，它的压降就是两个二极管的导通压降，大约1.5V-2V左右吧

5，整流二极管的压降是多少

硅管0.7V左右，锗管0.3V左右
在0.3v≈0.7v左右。
硅管O.7v锗管0.3V
正向压降0.6-0.7V
前二者中和就是

6，老式的全桥硒片整流那个硒片二极管的压降是多少

硒堆整流器每片硒片的正向压降大约在0.2V~0.6V，离散性大。反向电压可可以通过增减片数调整。额定电流小，现在的1只小小的1N4001能达到的整流电流要用多片硒片才能做到。在上世纪60年代左右是很高级的。下图是网上的实物图和接线图供参考：

7，关于整流二极管压降问题

你的两个电源不应该是同时供电的，主要是自动切换。简单的是用继电器进行切换，但用继电器有几毫秒的切换时间，这可以在输出端加电容弥补的。也可以用电子开关进行切换，就是用三极管或场效应管进行切换。
在0.3v≈0.7v左右。
如果你的负载的额定电压是12V的，那并上5V的电源完全是多余的。如果你的负载的额定电压是5V 的，就更没有道理并上12V的电源了。

8，整流二极管写着1A1200V最低工作电压多少使用整流二极管会降低电

肯定会有压降的，看什么管子。再看看别人怎么说的。
整流二极管上写着1A1200v，就表示它最大允许输出电流为1A，最高耐压在1200v以内，不限最低电压。它的压降:硅二极管是0.7Ⅴ\锗二极管是0.3v。
整流二极管写着1A1200V是指最高电压1200V，最大电流1A，只要小于该额定值都 可正常工作，一般认为二极管的正向压降是0.7V（硅管），即使用整流二极管正向时会有压降，整流二极管根据工作点同样有等效电阻。

9，40HFR120整流二极管正向压降是多少伏

40HFR120是硅材料的整流二极管，硅管的压降是0.7V，锗管的压降是0.2V。
40HFR120整流二极管正向压降最大是1.3V。
　 參數 說明 　Description 　STD DIODE 逆向 　Pins/Package 　DO-5(DO-203AB) 　Vrrm 　1200V 　IF (A) 　40A
0.65V
0.6V左右

10，二极管的管压降硅管不是才07伏吗为什么用作整流桥时我们测到

上图是桥式整流的电路图，图中的整流二极管采用4007就可以应付一般的负载了，如果负载的电流较大，就要选择大电流的整流二极管。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管： 耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

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