两者都可以,I/O引脚连接到反相器,因此端口电压不会被拉低。这并不容易,首先,驱动一个具有低阈值电压的MOS晶体管,使该具有低阈值电压的MOS晶体管的输出电压大于,电压为的下拉电阻可以降低电位,电压接近,这与芯片机的供电电压有关:供电时,输出电流不大,否则电机会在启动的瞬间旋转,程序需要初始化端口先输出低电平。
a左右,低级输出能力强。如果硬件正常,应该是低水平。根据TTL标准,电平=这与上拉电阻有关。看STC单片机的上拉电阻。以上是我个人的推断。单片机IO口的输出电流容量与型号有关。一般来说,空载输出当然可以拉到VDD,而输出高电平将在不同电平的负载(如输出)后下降。
或者检查一下你的复位电路,看看是否有什么问题。给单片机IO口赋值取决于负载,不能一概而论,没关系。我不知道为什么,(也就是说,MOS晶体管的漏极一个接一个地连接。这不仅避免了启动时负载传导的问题,还增加了驱动能力,可以使用变频器。你用stc还是at微控制器?我以前在使用at时也遇到过类似的问题。
文章TAG:电压 MOS 供电 门槛 输出