三极管ut是多少，三极管的IE等于什么

1，三极管的IE等于什么

三极管就象三条河，IE就是其他条河流汇在一处，IB电流+IC电流，就是IC电流

因为npn管子从整体看，电流都是流向e极啊，ic和ib都流向e极，所以ie当然等于ib+ic啦。。

三极管的IE等于什么

2，三极管的三个脚分别是什么字母表示我记得有 IC IB 还有是什么求

IE（发射极电流）、IB（基极电流）、IC（集电极电流）?表示放大倍数 IE= IC+IB=1+（?* IB） IC=?*IB IE=1+（?*IB）

三极管的三个极是：集电极，用C表示。基极，用B表示。发射极，用E表示。

三极管的三个脚分别是什么字母表示我记得有 IC IB 还有是什么求

3，三极管参数

C1815=2PC1815=2SC1815, 这是一个小功率NPN硅管，50伏，0.15安，0.4瓦，80兆赫。β=120-700之间。 GR是半导体厂商字头，331表示放大倍数。（注：GR 331这种形式的后缀属于各半导体公式自行命名范围，不属于国际命名法、美国、日本、西讥激罐刻忒灸闺熏酣抹欧命名法。因此不同的公司有不同的意义，如果较真就需要去找这个厂商的说明书。）

三极管c102的参数:集电极最大直流耗散功率pcm: 100 w集电极最大允许直流电流icm: 7 a集电极_基极击穿电压bvcbo: 60 v特征频率ft: 20mhz国产管参考型号：3da74a三极管下面写的一般是生产批次和时间而已，不要在乎它。

三极管参数

4，三极管各参数单位什么意思

三极管主要参数，极性，PNP，NPN两类，根据实际须要选择。反向电压，比较重要，用时不能超过这个电压。放大系数，每个管子不同，只有配对管才较接近。功率，就是管子的最大不失真功率。频率特性，指管子工作的电大频率，每逐步形成管子都有它的频率特性，设计时不能超过它的频带。三极管的参数可在手册中查到。

常见的如: VCBO(极限电压) VCEO(集电极-发射极输出电压) IC(极限电流)PC(功耗) FT(特征频率) HFE(直流放大系数) 常见的一般就这几个,还有一些就是漏电流,饱和压降等等

最常用的是 8050 和 8550 如果是高频的话 3906 和 3904 就可以了要考虑的参数：工作频率 Vcbo 功耗 Ic

5，三极管工作参数

正常工作情况下：硅管BE电压为0.6～0.7 锗管0.1～0.3 硅管多为NPN型的硅管多为PNP型的VE的电压？VE这个概念应该是电位吧，这个要看参考点了，发射极接地的话就是零啦。CE的电压就是Ucc-Uc

一般是计算出来的，没有人去测量那些微观参数，三极管在现实应用多都是无触点开关，不存在集电极电流和电压，大小关系，通常是高低电位的判定。如果是放大电路，uc和ic都是随着ib和vb的变化而变化的。是个变量。

npn硅三极管工作的时候BE电压大概是0.7V，而电流是是变化的,正常工作射极如果接地，就是0V ,CE的电压与三极管导通程度有关

1,如果NPN 三极管处于饱和状态Vbe＝0.7VVce＝0.3V根据连线不同所以不能确定Ve单点电压2，如果NPN处于截止状态Vbe<0.7VVce约等于VCC（如果无负载仅单元电路而言）做白工，无赏分

6，三极管的英文缩写是什么

电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）

三极管的种类比较比较多.最开始的英文单词是Transistor,也有TRANS的缩写.但是电路图中的符号是Q.三极管中的双极型晶体管缩写是BJT.场效应管也叫单极型晶体管缩写FET

三极管(英文缩写为BJT).

7，三极管9014的beta值是多少

9014的beta值为400。9014参数如下：集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA 0.25 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 60 V集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 150 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数（Ta=25℃）

集电极漏电流icbo vcb=60v,ie=0 100 na发射极漏电流iebo vbe=5v,ic=0 100 na集电极、发射极击穿电压bvceo ic=1ma,ib=0 50 v发射极、基极击穿电压bvebo ie=10μa,ic=0 5 v集电极、基极击穿电压bvcbo ic=100μa,ie=0 60 v集电极、发射极饱和压降vce(sat)ic=100ma,ib=10ma 0.25 v基极、发射极饱和压降vbe(sat)ic=100ma,ib=10ma 1.0 v直流电流增益hfe1 vce=6v,ic=2ma 120 700hfe2 vce=6v,ic=150ma 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压vcbo 60 v集电极、发射极击穿电压vceo 50 v发射极、基极击穿电压vebo 5 v集电极电流ic 150 ma集电极功率pc 625 mw结温tj 150 ℃贮存温tstg -55-150 ℃6发射△电参数（ta=25℃）

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