高关断电压MOSFET,降低mosfet关断电压

MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应晶体管，可以通过栅极电压开启和关闭，开关速度高于GTO。GTO具有较大的电压和电流容量，适用于大功率场合，具有电导调制效应，并具有较强的电流流动能力，电流关断增益小，栅极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率高，驱动电路复杂，开关频率低，MOSFET开关速度快，输入阻抗高。

只有关掉；GTO称之为门极可关断晶闸管，当有电流时可以关断。然而，由于功率MOSFET和IGBT的输入电容Cin，当需要开启或关闭器件时，驱动电路需要对输入电容充电或放电以建立和消除驱动电压。因此，当设备开启和关闭时，驱动电路需要提供驱动电流，并且当设备需要快速开启和关闭时。IGBT（绝缘栅双极晶体管）结合了GTR和mosfet的优点。与功率MOSFET相比，IGBT具有高开关速度、低开关损耗、耐脉冲电流冲击、低通态压降、高输入阻抗、电压驱动、低驱动功率和较低的开关速度。

电压和电流容量不如GTO。MOSFET的栅极中存在结电容，负压有利于更快地为结电容中存储的电荷Qg提供释放回路，从而加快开关速度。IGBT（绝缘栅双极晶体管）结合了GTR和mosfet的优点。IGBT是电压驱动的，具有高开关速度、低开关损耗、抗脉冲电流冲击、低通态压降和高输入阻抗。

负压-为了在实验中可靠地关闭，可以增加一定的负压（实际实验中会有瞬时振荡）。但过快的开关速度会影响EMI，-SIC通常具有较小的负压限制，例如这种SIC管，最大GS正压，开关速度比mosfet慢，尤其是offtime。然而，实现高电压和高电流是容易的，晶闸管和GTO是电流触发的，其中晶闸管被触发并导通，直到电流通过。