1，Intel 2164 DRAM 芯片内部数据位采用128128矩阵排列刷新周期为2毫秒

数据位一共是128×128，需要的刷新时间为1.5284毫秒，所以死区时间为0.4716毫秒

Intel 2164 DRAM 芯片内部数据位采用128128矩阵排列刷新周期为2毫秒

2，DSP控制三相步进电机时为什么要用一对互补的PWM波形来控制如果只用一

每一相都有高位的MOS和低位的MOS，要驱动这两个MOS而且还不能同时开 同时关，必须上开下关 或者下开上关，所以要用互补的PWM控制。 如果用专用的MOS驱动芯片去驱动MOS管，是可以用一路PWM控制一相的。给你推荐一款MOS驱动的芯片手册，你看了之后应该会有一些感悟。IR2104.

DSP控制三相步进电机时为什么要用一对互补的PWM波形来控制如果只用一

3，IR2104和IR2184的区别

IR2104和IR2184的区别为：最大工作温度不同、最大升压时间不同、最大电源电流不同。一、最大工作温度不同1、IR2104：IR2104的最大工作温度为125°C。2、IR2184：IR2184的最大工作温度为150°C。二、最大升压时间不同1、IR2104：IR2104的最大升压时间为170ns。2、IR2184：IR2184的最大升压时间为40ns。三、最大电源电流不同1、IR2104：IR2104的最大电源电流为0.27A。2、IR2184：IR2184的最大电源电流为1.9A。

IR2104和IR2184的区别


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