mos管温度多少合适，DrMos工作温度是否比普通MOS管温度要低很多
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-10-27 00:09:39
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1，DrMos工作温度是否比普通MOS管温度要低很多
2，对于功率变换器上面的MOS管温度不能超过多少
利用温度量测点的Tjc反推回去的温度不超过标称额定值的80%为标准了解更多
3，华硕p4p800主板AGP旁边两个9T15GHmos管90度高温正常吗
正常的，你不用担心。你试下机子跑48小时如果没蓝屏什么的。就不用加mos管散热片了。 
4，彦阳保护板放电mos温度多少
另外发现的现象，如果对外围电路中的XP151 MOS管加热，VBAT低于1.2V甚至0.9V时可以启动，一旦温度降低至室... 而MOS管在温度较高的环境下，其内阻会降低，并且性能会提升，所以MOS管温度高的时候，EXT端可以低电压
5，如果达到120度可靠吗 一般多少温度比较合适
可靠的，150度也是可靠温度商家指定参数都有一定余量搜一下：AMC7140 这个IC 规格书上允许最高温度为150度，如果达到120度可靠吗？ 一般多少温度比较合适？
6，显卡的mos耐高温么
你好！显卡mos是耐高温的一般烧卡要100度左右正常用也得7、80度你的显卡为啥不上一体式水冷头？是公版还是非公版？若是非公版那就只能贴散热片再加个小风扇持续吹风散热mos温度高也会使周边元器件的散热不好所以一定要做好显卡供电部分的散热希望对你有所帮助，望采纳。
7，MOS管工作频率越高是否温度越高
在保证vgs和ids不变的情况下，温度升高会引起vds变大。这是因为温度升高导致晶格振动加剧，载流子迁移率下降，想要获得同样大的电流必须增大vds。这忽略了vth随温度升高而减小的量和载流子数量的增加。
8，可以用MOS管加热吗 直流电24V最好给个电路图 谢谢
可以用MOS管作为热源，但各项参数不能超过。因MOS管可能比较控制复杂，用双极型好控制些。在计量院见过用晶体管直接作为热源的（质量流量计流速控制）不知道你是加热什么了，MOS管可以当成是一个开关管的了你好！不可以用MOS管加热，因为它不是干这个事的，效率很低。用电热毯内部的糠铜丝。我的回答你还满意吗~~
9，主板供电mos管哪种质量最好温度最低
一般来说八爪鱼的温度更低，效率更高，1上2下的普通mosfet大概等于1上1下的八爪鱼mos，止于那种品牌的好就难说了，你找主板产品经理他都说不清，但一般原则还是有的：供电相数太少，负载太大会热；供电相数过多，mos太密集，也会造成不必要的热替换法！把坏的拿下来看是什么型号的，如果自己会测，测一下是不是参数一样，找同参数的一定能成功，最好到电脑城里转一转！最好找同型号同参数的，随意拿一个就换，没经过检测就放上去，烧的可能性大，就是靠蒙！！！
10，MOS管选择注重的参数有哪几项
1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。 相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小 一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。 若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。 需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻 。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。 除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。 若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。 注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。
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