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1，变频器对IGBT器件的频率要求是多少

开关频率高了，必然损耗就大。现在节能降耗的大趋势下，开关频率开始往低的方向做，但低了逆变出来的效果也差了。据说西门子做的开关频率已经很低，好像是300Hz吧。

变频器对IGBT器件的频率要求是多少

2，IGBT有一个工作频率怎么解释

IGBT为逆变单元，开关频率就是其载波 频率一般在5khz-20khz

IGBT有一个工作频率怎么解释

3，igbt开关频率

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富士igbt开关频率如下：s系列最高开关频率20khzu系列最高开关频率10khzv系列最高开关频率10khz

igbt开关频率

4，IGBT工作频率现在最高到了多少哪个公司做的较高

100KHz以上的频率工作的IGBT都是很小的功率，这个功率段之所以没有被MOS管替代一般是因为IGBT耐压要比MOS管高点，可以达到1000V以上。大功率的应用由于开关损耗的限制开关频率很难提高，这个要靠你自己的设计能力了。现在最流行的是英飞凌的，另外还有专门用于高频的IGBT，可以多进官网浏览一下。

5，GTO GTR IGBT MOSFET 频率范围分别为多少

GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的结果。

6，IGBT的工作频率最高达到几多呀

摘自G4PC50DU手册：* UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode.*超快速：优化的高工作频率8-40kHz在硬开关(方式下)，>200kHz 在共振频率模式。

7，IGBT型号怎么选

这种情况不如用mosfet， 速度快，压降小，耗损少，IGBT主要用于中上功率的电机控制。
电磁炉加热系统中igbt 管的主要参数宜大不宜小，具体要求有：1、 采用半桥电路igbt器件耐压应选600v-1000v，如选用准谐振电路结构igbt器件耐压应为1200v；2、 2000w以下的电磁炉可选用最大电流为20a—25a的igbt管，2000w或2000w以上的电磁炉可选用最大电流为40a的igbt管； 3、 好的雪崩击穿特性，低饱和压降，低导通损耗，饱和电流可以较小；4、 需选用快速igbt，其工作频率应在20khz以上；5、 最好内置快恢复二极管。目前国内市场电磁炉常用igbt主要是infineon、fairchild和toshiba等国外厂商的产品

8，电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量

GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过GTR，只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。 单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。 MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

9，IGBT的开关频率与控制电路的频率有没有关系

IGBT的工作频率是由控制电路的频率决定的。控制电路的频率应该小于IGBT允许的最高工作频率。
呵呵，老兄是不是原来用过pspice，那里面会有具体器件的模型，matlab里的模型比较原理话，如果要做精确模型，需要自己按照技术参数搭----巨大的工程！呵呵pspice/matlab不可兼得啊。
IGBT的开关频率不是算出来的，只能是生产厂家生产时测试它工作的最高频率，正常时候，我们使用之前都需要先确定让其大概工作在多少频率段，并经过实验调整最终确定其频率的大小。另外要明确：IGBT的开关频率就是控制电路的频率。 一般来说，IGBT开关频率大小的确定需要考虑工作电路噪声大小、IGBT的功耗包括开通和关断、温升情况、开关管的电压电流尖峰、驱动波形的干扰情况（主要由于米勒效应引起）等。

10，MOSFET和IGBT是怎么选型的

首先需要确定最基本的参数，即最大耐压值，和能忍受的最大电流值，然后根据你设计的电路，来选择型号，另一方面MOSFET就需要注意Rdson，因为这个值直接影响到它的开关损耗，继而影响到温度，再影响到耐压值，所以选的Rdson要小。Rdson即导通时的电阻值。
首先肯定要确定你需要的工作电流，峰值电流，最高耐压。Rdson的值大小，不影响开关损耗，开关损耗是交越损耗，由功率管的开关速度决定。导通内阻，是影响到导通损耗。通常，导通内阻越小的管子，结电容越大，驱动电流要求就越大，开关损耗就越大。导通内阻大，导通损耗又会加大。而且，一般导通内阻越小，价格越高。所以，这个选取要看实际需要和折中选取。IGBT还牵涉到驱动电路的问题，为了提高关闭的可靠性和速度，一般会加入负压驱动。
工作频率高的选MOSFET，例如80KHz以上；工作频率低选IGBT，50KHz以下。选的时候注意计算损耗满足就可以，注意：损耗包含开关损耗和导通损耗。
从结构来说，以n型沟道为例，igbt与mosfet（vdmos）的差别在于mosfet的衬底为n型，igbt的衬底为p型；从原理上说igbt相当与一个mosfet和一个bipolar的组合，通过背面p型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说，igbt一般用在高压功率产品上，从600v到几千伏都有；mosfet应用电压相对较低从十几伏到1000左右.
根据IGBT实际使用电路的电压/电流的范围，然后找一个品牌(如Fairchild)，在其官网上找IGBT手册。根据手册上的数据选择相应的型号就可以了。

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