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1，我想找一种MOS管要求G极为0电压时D与S极导通G极加电压

导通电压2V多。推荐一种SI2301 G极为0电压时，D与S极导通; SI2302 与SI2301相反

我想找一种MOS管要求G极为0电压时D与S极导通G极加电压

2，SI2301这个mos管的开关频率是多少可以用在开关电源后面吗

SI2301，P沟道MOS管，耐压20V，电流2.8A，峰值电流10A。耐压太低，用在某些低输入电压的DC/DC变换器上还可以，一般开关电源都用高耐压N沟道MOS管，它就不合适了。

SI2301这个mos管的开关频率是多少可以用在开关电源后面吗

3，晶体管导通和关断时两断的电压为多大

根据电路的设计不同，导通和截止的电压也会有差异，一般锗管在高于0.2V时导通，低于0.2V时截止。硅管高于0.7V时导通，低于0.7V时截止。
vbb=0v时，三极管截止，uo=12v；vbb=1v时，ib=（1-0.7）/5k=60ua，ic=100*ib=6ma，uo=12v-icrc=12-1kω*6ma=6v；vbb=2v时，ib=（2-0.7）/5k=260ua，三极管饱和时ic=12/1k==12ma，需要的ib饱和电流为12ma、100=120ua，而此时ib大于饱和电流，故三极管饱和，uo=0.1v。如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！
导通时两端约0.2到0.3伏，关断时约等于电源电压

晶体管导通和关断时两断的电压为多大

4，场效应管导通压降一般多少

场效应管导通压降一般多少，180nm工艺及以下的制程基本都能达到50mV以下了(IDS=1mA)MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的电压。硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。

5，想用AO3401和SI2301两个MOS管做一个电源的控制电路可是两个三

你好！1.先确定MOS管是否损坏2.三极管输出脚与MOS管G脚间是否已串接一个百Ω或几十Ω的电阻3.MOS管的D脚和S脚是否弄反（判断方法很简单，用数字万用表二极管档测量D和S脚，有0.7V左右压降的时候，红表笔接的是S黑表笔接的是D，因为MOS管内接了个反向保护二极管），希望能帮到你。打字不易，采纳哦！
你是怎么连接的电路？上图吧，为什么想用2个MOS管控制一个电源，一个不够吗？
不清楚你的电路形式，但是你的这两个MOS管都是在S、D极间内置有泄放保护二极管，估计是你的MOS管的S、D极相反接错了，导致电源通过内置二极管导通而不受控。
它们是什么丝印的？
1.先确定MOS管是否损坏2.三极管输出脚与MOS管G脚间是否已串接一个百Ω或几十Ω的电阻3.MOS管的D脚和S脚是否弄反（判断方法很简单，用数字万用表二极管档测量D和S脚，有0.7V左右压降的时候，红表笔接的是S黑表笔接的是D，因为MOS管内接了个反向保护二极管），希望能帮到你。

6，SI2301的主要参数

晶体管类型 ： P沟道MOSFET最大功耗PD ： 1.25W栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）漏源电压VDS ：－20V（极限值）漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）栅极漏电流IGSS：±100nA结温：55℃to+150℃封装：SOT-23(TO-236)

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