c5858BE极导通压降是多少,非线性元件伏安特性的测量实验中普通二极管正向导通时正向电压降大
来源:整理 编辑:亚灵电子网 2023-05-03 06:13:03
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1,非线性元件伏安特性的测量实验中普通二极管正向导通时正向电压降大
看你的材料,一般实验室都会使用1N400X系列的普通二极管,电流比较小时,正向导通电压约为0.7V
2,二极管的导通压降
二极管压降是怎么回事?一分钟
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3,做了个题稳压二极管的稳定电压分别为55和85没说正向压降是多少
稳压二极管正向压降一般为0.5V~0.7V,这是由PN结材料工艺等决定的。跟外电路没啥关系。正向压降与一般二极管同,正向伏安特性是相当于正向导通,所以正向随电压增加,电流会急剧上升,成全导通状。
4,三极管工作时各结压降一般为多少
锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏,硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关,主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。集电极电流基本上取决于负载电阻的大小。根据三极管的饱和深度不同,管压降也不是一个定值。可以略有变化,但饱和电流与管压降的乘积不能超过管子的最大功耗,以免损坏。扩展资料:三极管具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分.中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。参考资料来源:百度百科-三极管
5,三极管9013BE间导通压降
9013BE间的饱和导通压降有1.2V;如果从具有放大作用开始测量,一直到饱和导通,其BE压降是在0.7V到1.2V之间变化的。很简单,在3v和c之间串联一个发光二极管(注意极性),然后用一个1k的电阻把3v接到b上,e直接接地,如果不导通的话,三极管爆了,除此之外没有其他可能
6,三极管的导通电压多大
硅管:NPN,基极大于发射极0.7V,但实际使用0.5V左右就导通了PNP,发射极大于基极0.7V锗管:NPN,基极大于发射极0.3VPNP,发射基大于基极0.3V硅材料的NPN三级管工作在饱和区时,集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。扩展资料:三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。放大原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。三极管基极的判别:根据三极管的结构示意图,我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极,因此,在判别三极管的基极时,只要找出两个PN结的公共极,即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡,先用红表笔放在三极管的一只脚上,用黑表笔去碰三极管的另两只脚,如果两次全通,则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到,则红表笔换到三极管的另一个脚,再测两次;如还没找到,则红表笔再换一下,再测两次。如果还没找到,则改用黑表笔放在三极管的一个脚上,用红表笔去测两次看是否全通,若一次没成功再换。这样最多量12次,总可以找到基极。三极管类型的判别: 三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。参考资料:百度百科——三极管
7,vcc5v AB输入端的高低电平分别为3V0V二极管正向导通压降
由于Vcc为5V,当A、B任一端为0V时,由于D1或D2,或两者都处于导通状态,基于其导通压降只有0.7V,所以Y点电压都将被钳位于0.7V; 当A、B两端同时处于3伏时,虽然两二极管还是一样处于正向导通状态,但此时对A端来说,Y点电压为A点电压加二极管正向压降0.7V,即3.7V,同样对B端来说Y点电压也应为3.7V,这样,在A、B两端同处3V电压时,Y点电压将保持于3.7V。 以Y点电压低于1V时作低电平,电压高于3V时为高电平看待,Y点只有在A、B两端同时处于高电平时,Y点输出高电平,这样就构成一个两输入端的正逻辑与门电路。
8,二极管正向导通时电压下降到底是0V还是07V啊
这和这二极管在什么地方出现并和你使用那种制造它的材料有关。在原理中在分析电路中理想化了就是正通负不通,在实际使用时锗材料管一般就是0.2V左右的正向压降,硅材料管一般就是0.65V左右的正向压降。二格管作整流,不论是Si材料还是Ge材料,管压降是一定有的,能不能测到管压降要看测试电路是否合适,在输出端加了滤波电容的电路是测不到管压降的。对于Si管,压降在0.6—0.7V间,对于Ge管,管压降在0.2V左右,由于工艺与材料的差异并产品的离散性,这个值不是定数。当然能,二极管导通电压是相对电压,就是正极减负极达到导通电压即可。过去是0.7,现在做到0.2了,可能还有小的。绝对0应该是没有的。要么是理想的。还有这个0.7也不是绝对的;电流与压降还是有个函数关系。
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