晶振外部电容接多少值，4M晶振应该接多大电容

1，4M晶振应该接多大电容

由于晶体频率较低，一般取20-30p比较好起振。若用5V的CMOS器件与晶体构成振荡器，只要注意晶体的内阻不要高于100欧姆，绝大多数可以直接起振，不需要调节。

8~20P 与晶振本身有关晶振的负载电容是多少就多少。

4M晶振应该接多大电容

2，单片机2500晶振负载电容一般为多少

一般的晶振的负载电容为 15p 或 12.5p ,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个 22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。，一般IC引脚杂散电容2~3pF,所以应该选择16~30PF的电容比较合适.晶振大小其实影响不大.我们一般选择27P电容. 晶振要配多大的电容比较合适?

单片机2500晶振负载电容一般为多少

3，晶振24576配多大的电容

30PF就可以了

你好！需要根据晶振本身的负载电容值来计算，如晶振的负载电容为15PF，那么两端匹配的电容最好为20PF--27PF打字不易，采纳哦！

晶振所配两个电容目的是消除振荡输出电压的微小毛刺使用的，所以其大小要求不严格。一般10P~30P上下

晶振24576配多大的电容

4，晶振要配多大的电容比较合适

这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定,同是16MHZ的晶体谐振器,其负载电容值有可能不一样,如10PF,20PF.....负载电容值是在其生产加工过程中确定的,无法进行改变.购买晶振时应该能得到准确的规格书.晶振在电路中使用时,应满足CL=C+CS.CL为规格书中晶振的负载电容值,C为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到),CS为电路的分布电容,这和电路的设计,元器件分布等因素有关,值不确定,一般为3到5PF.所以根据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值,而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近.

5，晶振为什么要加电容需要配多大电容

这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定,同是16MHZ的晶体谐振器,其负载电容值有可能不一样,如10PF,20PF.....负载电容值是在其生产加工过程中确定的,无法进行改变.购买晶振时应该能得到准确的规格书. 晶振在电路中使用时,应满足CL=C+CS. CL为规格书中晶振的负载电容值, C为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到), CS为电路的分布电容,这和电路的设计,元器件分布等因素有关,值不确定,一般为3到5PF. 所以根据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值,而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近.

6，单片机的晶振与外接电容怎么计算是经验值吗

就是的.对于32KHZ以上的晶振，当VDD大于4.5V时，大约C1=C2=30PF。一个是相位调节电容，另一个是增益调节电容。晶振的负载电容CL和两端的接地电容C1、C2的关系如下：CL=（C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf；便于设计一般取C1=C2.的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了。单片机(Microcontrollers)是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

7，石英晶振得负载电容多少PF

一般可用10-47P任意一种规格。不用也可以，啥也不影响的。你试试就知道了。

将32768hz的晶振直接接到ds1302的x1，x2（2，3脚）就行了，不需要串联电容的，如果串联了反倒不起振了，因那是错误的用法。

晶振的负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总我外界有效电容，是指晶振要正常振荡所需要的，一般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容！容值大有利于晶振的稳定，但将会增加起振的时间，通常负载电容的值越大对频率所产生的牵引越小。如果负载电容过小则可能造成振荡电路起振困难，同时使用小的负载电容时，电容值稍有变化时会造成频率产生较大的漂移。

8，单片机的晶振与外接电容怎么计算是经验值吗

有参考值，看硬件手册一般都有。一般30pf

外部晶振决定了单片机的时钟周期，即运行的快与慢

22up

zhouxdchina说了一半因为晶振本身有自己的的电容规格书有具体说明，还有就是接入原件的分布电容了约为5pf

晶振的负载电容CL和两端的接地电容C1、C2的关系如下：CL=（C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf；便于设计一般取C1=C2.的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了

9，单片机STC89C52的晶振边上加的电容容值可以大吗

不可以用400nF的电容，400nF是30pF的13333倍的容量，如果你用400nF，那么，你的晶振会不起振的，导致整个系统没法工作，这个30pF的电容，的范围是10---100pF。如果你实在没有30pF电容，也可以不用焊接这两个电容，晶振也能工作，只是不稳定，但是，如果你接400nF电容，就彻底不工作了。其实网上X宝也可以买电子元件，不一定非要在实体店买。

比较普遍的都是用30PF，高频瓷片电容15到30均可，主要是稳定波形，耐压高于电源电压就可以。单片机推荐使用11.0592~22.1184M的晶振电路作驱动，它明确说了必须去掉C1，也就是芯片STC89C52引脚19到晶体的那个脚的负载电容C1坚决不能用，C2的取值说明是：可接47~33pF（晶振频率小于24M时）；30~15pF(晶振频率大于33M时)；100~180pF(晶振频率小于6M时)。所以你这个2个负载电容取值应该是，芯片18脚到地接33~47pF负载电容，19脚不能用负载。具体你这个图中是C1 还是C2 也看不出来，你自己应该知道。另外，这个芯片还推荐在XTA2管脚上，也就是18脚串接一个120~160欧姆的电阻再接到晶体上，这样的话前面说的C1才可以接上，并且是如果接这个电阻则推荐接上C1。我个人认为是这个芯片应该是XTA1处有一个内置负载电容，如果再外接负载的话导致负载电容过大引起晶振振荡不稳定，可能你用万能板试验的时候与做成PCB的走线过长原因引起分布电容不一致，可能在试验的时候晶振振荡在临界状态，当分布电容大一点时，晶振就停振了。

外部时钟频率0-40m低压可24m（双倍速实际频率48m）采用11.0592，或22.1184.可方便得到串口通讯的标准时钟

负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，也是使振荡频率更稳定。实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的。当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5。改变晶振的负载电容的容值可以微调时间。增大该电容容量时间变快，相反则变慢。没有的话还不如不接，接这两个电容是微调的，相差太大的话也没有什么意义了，还不如不接。

10，你好我想问下晶振两端的电容起什么作用为什么一般要选取几

个人积累的一些，希望对你有帮助。晶振电路中两端的电阻电容的作用：并联电阻的四大作用：1、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；2、限流防止谐振器被过驱； 3、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；4、电阻取值影响波形的脉宽。两端电容的作用：这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。常见晶振异常：1. 晶振时振时不振------a:晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大；b:晶振本身有问题，寄生&阻抗值波动大&内部焊点不牢等。2. 晶振装板上不行，用电热风催一下或者拆下来重新装上去又可以了------主要是晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大。电热风催实际是相当于改变了线路的杂散电容。3. 晶振负载与晶振两端的电容的匹配-------CL=(C1*C2)/(C1+C2)+C” 其中CL:晶振的负载电容值； C1 C2：晶振两端的电容值；C”：线路杂散电容晶振的匹配电容的主要作用是匹配晶振和振荡电路，使电路易于启振并处于合理的激励态下，对频率也有一定的“微调”作用。对MCU，正确选择晶振的匹配电容，关键是微调晶体的激励状态，避免过激励或欠激励，前者使晶体容易老化影响使用寿命并导致振荡电路EMC特性变劣，而后者则不易启振，工作亦不稳定，所以正确地选择晶体匹配电容是很重要的

有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。进一步理论可看讲晶体振荡电路的书籍 (英文关键字: Crystal Oscillator)、实用电路讲解可看各厂商的应用笔记 (晶振厂商、MCU 厂商的 Application Note, AppNote)等。

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