二极管压降多少，电工电子中二极管的电压降

1，电工电子中二极管的电压降

可以理解为这管子在导通的时候会消耗掉0.6V的电压

硅管：0.7V; 锗管：0.3V

电工电子中二极管的电压降

2，交流电路中两个二极管并联压降多少

并联电路有分流作用，串联电路有降压作用，二极管的压降大约0.3～0.7伏。

交流电路中两个二极管并联压降多少

3，二极管压降

普通二极管压降只有两种情况:1,如果是硅材料二极管,压降是0.7v2,如果是锗材料二极管,压降是0.2v二极管压降是有材料决定的,与型号,大小无管.如果是发光二极管,由于是复合结构,压降一般在2.5v左右

二极管压降

4，二极管的压降

一般来说由于硅管的伏安特性曲线在0.7处很陡，也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流，换句话说在0.7V左右，随着电流的增加，电压的增加幅度很小，仍然可以认为压降还是0.7V。因为有0.7V的压降，不可以等同于导线，二极管两端电压就是压降，当二极管导通时这个电压约为0.7V，当然不是0 。当电流不变化时，可以等同于电阻，其阻值就是0.7V除以电流，但是把它视作一个0.7V的电压源显然更合理。从特性曲线来看，正向电压大于0.7V以后，若继续增加电压，电流会急剧增加，实际应用中因为限流电阻的存在这个电流不可能很大。若一个二极管D一个电阻R和一个电源U串联的话，电流的计算方法是(U-0.7)/R 。最后那个问题实在有点……………………呵呵。希望能帮到你

5，整流二极管的压降是多少

硅管0.7V左右，锗管0.3V左右

正向压降0.6-0.7V

在0.3v≈0.7v左右。

硅管O.7v锗管0.3V

前二者中和就是

6，理想二极管的导通正向压降是多少

硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全悬空（无电流），或者该二极管并联有其它几乎无压降电路造成。二极管并联有其它电路。当电路板上的二极管并联有其它元器件时，直接在电路板上测量其正向导通压降是有可能为0V的情况。扩展资料：导通内阻20mΩ的场效应管，工作电流为1A时，压降只有20mV，几乎零压降。上图是采用P沟道的场效应管代替普通二极管作为防反接电路。其具体工作过程为：（假设电源为10V，二极管D1的压降为0.7V）上电瞬间，场效应管控制端G极串联电阻R1接负极，电压为0V，漏极D电压为10V，S极电压为0V，VGS=0V，场效应管截止。然后电流从二极管D1流过形成回路，电流经过场效应管S极时，S极的电压为9.3V，此时VGS=-9.3V，场效应管Q1饱和导通，此时二极管的压降几乎为零。由此可见，虽然正常工作时二极管D1的压降几乎为零，完全不起作用。但是去掉这个二极管就不行，去掉之后场效应管Q1永远无法导通。

7，二极管电压达到多少时要考虑电压降

二极管导通压降通常0.4~0.7V，如果用在几百伏场合，当然可以忽略了，如果用在一两伏场合，就要考虑了，根据你自己应用的场合和需求看怎么合适。

白色发光二极管只要达到最低0.3v就可以发光，只不过不明显，只有达到额定电压时，光最理想而且不会对发光管造成负面影响。

8，发光二极管的压降有多大

红光1.8V左右，绿光2.5V左右，蓝光3.0V左右。红外1.1V左右

1.8~3伏左右

呵呵,我晓得你说的意思了,你的好好学习电子了你的那个负端接了个控制三极管到地你测那个3.1v是对地的电压,而不是发光管两脚的压降,(发光二极管压降只要高出1v它就开始变亮了)你要把表笔加到发光二极管的两脚上,你所说的就不成立的

9，关于二极管的死区电压和导通压降

因为实际应用的二极管并不是理想的，所以会有门槛电压和通态压降。将二极管伏安特性的线性部分用切线来替代，切线与电压轴的交点，被定义为门槛电压，有时称为 “死区电压”；当二极管的电流达到额定电流时，二极管两端的电压降称为通态压降。实际的二极管外特性，是按照其伏安规律变化的，不同的外部条件，特性会略有差异；只要二极管施加有电压，就会有电流流过，不管正反向；只是流过二极管电流的大小在某些区域呈线性，而某些区域不是。

10，一个硅二极管可以产生多少电压降

硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V，但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的，而是有一个向右倾斜的斜率（如图），即是说正向压降会随工作电流增大而增大。实测某些2CZ和1N4000系列的硅整流二极管在500mA电流时，其正向压降会接近1V。因此二极管正向电压降的具体数值要根据工作电流和产品手册才能准确确定（另外还随温度变化而变化），但作为估算值，一般说0.7V是没错的，因此我也对楼上的回答点赞。

因为二极管p型区和n型区在接触在一起之后p型区的电子和n型区的空穴会复合，也就是电子舔到了空穴里，这样形成了一个pn结，但是这样也形成了一个电势壁垒，也就是说当电压低于一定程度时不足以克服pn结形成的电势壁垒，不能使二级管导通。

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