igbt的极间电容是多少，IGBT吸收电容的选择标准是什么
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-05-01 21:42:03
1，IGBT吸收电容的选择标准是什么
重要的是DV/DT值，目前市场上看到的epcos、TechCap、和icel的多，wima的几乎看不到了
2，mos管gate极和source极之间电容一般为多大
MOS管是电压控制的元件，它的栅极输入阻抗极大，几乎就没有电流经由栅极流向源极，也就是说Igs≈0。考虑栅极电流的情况，比较常见的只有一个，就是开关信号频率很高时，栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流。
3，我今天发现了一个IGBT模块的G E间的电容坏了结果输出电压很小
IGBT模块的G E间的电容 作用是对门极驱动电压进行滤波用的。IGBT的G极对E极电压超过20V一般就会损坏，有这个电容，可以滤掉Vge上过高的尖峰。搜一下：我今天发现了一个IGBT模块的G E间的电容坏了，结果输出电压很小，为什么？这两极的电容有什么用？为
4，IGBT C极和E级之间的电容值应该怎么得到
IGBT管在导通时，其C极电压越低，IGBT管内部的损耗越小，反之则损耗越大。当IGBT管内部损耗超过规定值时，IGBT管会因为内部发热严重而烧坏。在电磁炉理想的工作状态下，IGBT管C极电压为0时开通IGBT，其内部损耗为0（W=UI），但实际在电磁炉工作时，C极电压不可能为0，所以只能取IGBT管C极最低电压时开通IGBT管，使IGBT管的开关损耗最小。所以同步就是IGBT管C极电压最低时的检测，也就是最佳的IGBT管导通时机。硬件类一般都上硬之城看那里比较专业，专业的问题专业解决，这是最快的也是最好的方法，好过自己瞎搞，因为电子元器件的电子型号那些太多了一不小心就会弄错，所以还是找专业的帮你解决。
5，什么是极间电容
极间电容是指三极管等的基极、发射极、集电极任两者之间实际存在的等效电容，从电路上看不到这个电容，是极间实际存在的电容效应的抽象。
电子管内任何两电极间的电容。
例如在真空三极管内，有栅极与板极、栅极与阴极、板极与阴极之间的电容。它的大小主要决定于电极的尺寸和电极间的距离，此外尚与电极引线的长短、间距及所
阁介质有关。一般电子管的极间电容约为几皮法到几十皮法。在多数情况下，它对电子管的工作特性是不利的，例如在三极管放大器中，栅极、板极间电容引起反馈
作用，可能产生自激震荡。SPD极间电容是SPD两极间固有存在的电容值，就象包子有褶，但是不同人做的不同的包子褶多少不同一样。通常情况下元器件都有其自身的电阻电容和电感分量，对应可以画出不同的等效电路
现常用的SPD
1、氧化锌类，容抗较大，所以多用于电源、直流保护
2、放电管类，容抗较小，用于2.5——3GHz以内的通信线路不错
3、雪崩二极管类，容抗较小，但高与放电管类，对高频有影响，如用在百兆以上网络通常用并联二极管或与二极管桥组合可以实现较好的效果。
固有的也就是本来就存在的。实际上每两点之间只要存在介电质都可容电，便就会有电容了。
连接SPD任意两电极间的介电质材料有：空气、绝缘包封、金属氧化物等，所以必然有电容。
分析一下每种SPD的极间电容不同——便会更明白一些。例如：同样厚度直径大的SPD极间电容大，同样直径薄的电容大，介质为金属氧化物的SPD比介质为空气的放电管电容大。
6，icpuls是igbt的什么参数
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极电流（符号：IC ）：集电极所允许的最大直流电流。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 耗散功率（符号：PC）：单个IGBT所允许的最大耗散功率。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 结温（符号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 漏电流（符号：IGES ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 饱和压降（符号：V CE（sat） ）：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 输入电容（符号：Clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。
7，怎样用数字万用表测量IGBT模块
1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。 本文参考： http://www.p-e-china.com
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