mos管d与s极并多少电容，CPU供电MOS管的D极相连S极相连怎么一回事
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-13 16:53:57
1，CPU供电MOS管的D极相连S极相连怎么一回事
精英P4m266a 主板,微盛芯片的,有四个管子,其中三个管子方向相同,但有一个方向是横着的,像945主板的下管.不知道是不是两相电路.那个不同方向的管子是不是下管.我只是看到过,没去测. 查看原帖>>希望采纳精英p4m266a 主板,微盛芯片的,有四个管子,其中三个管子方向相同,但有一个方向是横着的,像945主板的下管.不知道是不是两相电路.那个不同方向的管子是不是下管.我只是看到过,没去测.
2，本人是新手请教各位大侠在路测量CPU供电MOS管好坏的方法
测量CPU供电管，红表笔接地，黑表笔依次测量MOS管的G极对地的阻值，一般为460-680不等，如果太小了就要把上面的管子取下来测量。取下后先短接G D S三个电极，然后测量D S极的正反向阻值，正常时只有一个阻值。接下来测量D S极与G极的阻值，正常情况下均为1（用数字万用表的二极管档）1800 ！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！http://www.chinafix.com.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=169242 你也先去看看这个贴子，看看MOS管如何进行测试。
3，mos 管的问题
如果你的目的是让LED发光，那么这里MOS的作用就是开关了，做开关导通的时候，MOS工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候Vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明Vds>Vgs-Vt，也许直接MOS管把你准备用来给LED的开启电压都用光了。。。当然了，还是得看整体电路。二极管a（b）与稳压管dz1串联，起温度补偿作用，因为当温度变化时，若稳压管（工作在反向电压下）两端电压变大，正向工作的二极管的端电压就要变小，两者相加就基本不变；这个3.6v稳压管产生的3.6v电压+二极管的0.6v电压是给这个mos管提供正向偏置的。因为这是一个增强型n沟道mos管，必须给g极提供一个与d极相同极性的电压，并且要大于开启电压，才能使该管进入放大状态。 c9、c10两个电容应当是退耦电容（避免由于电源内阻引起前后级间互相影响）。 那两个电阻不是线绕电阻。是镍铜电阻。。
4，MOS管特性包括电流流向沟道开启条件
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
5，MOS管参数
你确定有MT3205这个型号？我在比较权威的电子元器件网站怎么查不出来？另外，前面这个应该是IRF3205，这个很常见，可以轻松买到。你要是不放心，直接用前面这个好了。mos管主要参数如下：1.开启电压vt·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。2. 直流输入电阻rgs·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。3. 漏源击穿电压bvds·在vgs=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds·id剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的id4. 栅源击穿电压bvgs·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。5. 低频跨导gm·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征mos管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几ma/v的范围内6. 导通电阻ron·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，所以这时的导通电阻ron可用原点的ron来近似·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1～3pf·cds约在0.1～1pf之间8. 低频噪声系数nf·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝（db）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
6，CMOS逻辑电路的MOS参数
1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 。4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内 。6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 。7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间。8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小 。cd4000和cd4500系列cmos逻辑电路通常标称最大输出能力高低电平均为6.8毫安，但速度较低。74系列cmos逻辑电路种类繁多，速度比cd4000和cd4500系列高许多倍。输出能力也不同，从几毫安到几十毫安，这些输出电流是指在保持驱动逻辑电平定义区域的电流输出，超出驱动逻辑电平定义区域，其电流输出能力还要高一倍到几倍，有些上百毫安。比如逻辑电路输出接大功率晶体管切换继电器，就可以不考虑逻辑驱动电平定义区域。以8驱动器74244为例，以下为74系列中全部使用（如74hc）或部分使用（如74abt)cmos技术的ic，不包括纯双极型，如74ls,74f等。低为低电平吸入电流，高为高电平扇出电流，单位为毫安。型号 低 高-----------------------------------------74abt244 64 3274ac244 24 2474act244 24 2474acq244 24 2474hac244 8 874haalb16244 24 2474alvc244 24 2474alvch244 24 2474alvt1624 64 3274alvtc16244 64 3274alvth162244 12 874avc244 12 874avc+244 12 874avch244 12 1274bct244 64 1574c244 70 7074hc244 8 874hct244 8 8c74lcx244 24 24c74lcxh1624 12 12c74lcxz1624 12 1274lvc244 24 2474lvch244 24 2474lvcz244 24 2474lvq244 12 1274lvt244 64 3274lvtch16244 24 2474lvth244 64 3274lvtn16244 64 32c74lvx244 4 474vcx16244 24 2474vcxh16244 24 2474vhc244 8 874vhct244 8 8
7，电容上标有472j63值是多少
贴片元件的识别 作者：贵阳家电 文章来源：长安电器 点击数： 832 更新时间：2009-3-22 片状电阻的识别 在数码电子产品中，电阻实物一般是片状矩形，无引脚，一个片状电阻只有一粒米大小。电阻体是黑色或浅蓝色，两头是银色镀锡层。数码电子产品中的电阻大多未标出其阻值，个别个头稍大的电阻在其表面一般用三位数表示其阻值，其中第一、二位数为有效数字，第三位数为倍乘，即有效数字后面“0”的个数，单位是ω。例如100表示10ω，102表示 1000ω即1kω。当阻值小于10ω时，以r表示，将r看作小数点，如5rl表示5.1ω。片状电容的识别 在数码电子产品中，无极性普通电容的外观、大小与电阻相似，电容一般为棕色、黄色、浅灰色、淡蓝色或淡绿色等，两端为银色。无极性普通电容都很小，最小的面积只有1mm×2mm。通常电解电容的外观是长方体，个头稍大，颜色以黄色和黑色最常见。电解电容的正极一端有一条色带(黄色的电解电容色带通常是深黄色，黑色的电解电容色带通常为白色)。还有一种电容体颜色鲜艳，它是金属钽电容，其特点是容量稳定。它的突出一端为正极性，则另一端为负极性。 在数码电子产品电路中，μf级(微法)的电容一般为有极性的电解电容，而pf级(皮法)的一般为无极性普通电容。电解电容由于体积大，其容量与耐压直接标在电容体上，而钽电解电容则不标其大小和耐压，可通过图纸查找。注意电解电容是有极性的，使用时正、负极不可接反。有的普通电容容量采用符号标注，在其中间标出两个字符，而大部分普通电容则未标出其容量。标注符号的意义是第一位用字母表示有效数字，第二位用数字表示倍乘，单位为pf。字母所表示的有效数字的意义参见表1、表2。例如：电容体上标有“c3字样的电容容量是1.2×10pf=1200pf片状电感的识别 数码电子产品电路中电感的数量很多，有的从外观上可以辨认出来。 一般是数码电子产品电源电路中的升压电感数码电子产品中还有很多lc选频电路的电感，如图3(c)所示，外表白色、浅蓝色、绿色、一半白一半黑或两头是银色的镀锡层，中间为蓝色等颜色，形状类似普通小电容，这种电感即叠层电感，又叫压模电感，可以通过图纸和测量方法将其与电容分开。片状二极管的识别 二极管的类别不同在电路中的作用也不同。普通二极管用于开关、整流、隔离；发光二极管用于键盘灯、显示屏灯照明；变容二极管是一种电压控制元件，通常用于压控振荡器(vco)，改变数码电子产品本振和载波频率，使数码电子产品锁定信道;稳压二极管用于简单的稳压电路或产生基准电压。 数码电子产品中二极管的外型与电阻、电容相似。有的呈矩形、有的呈柱形，一般为黑色，一端有一白色的竖条，表示该端为负极。数码电子产品中常采用双二极管封装即两个二极管组成的元件，为3～4个引脚，此时难以辨认，还会与三极管混淆，只有借助于原理图和印制板图识别，或通过测量确定其引脚。贴片三极管与场效应管(mos)的识别 数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色，大多数为三只引脚，少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通，一般为发射极e或源极s)。也有双三极管封装、双mos管封装形式。需要说明的是，晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似，在电路板上很难区分，只有借助于原理图和印制板图识别，判断时应注意区分，以免误判。三极管有npn、pnp两种类型，场效应管有nmos管、pmos管两种类型，其栅极g、源极s、漏极d分别对应于三极管的基极b、发射极e、集电极c。但与三极管相比，场效应管具有很高的输入电阻，工作时栅极几乎不取信号电流，因此它是电压控制元件。 mos管使用注意事项：mos管的输入阻抗高，这样很小的输入电流都会产生很高的电压，使管子击穿。因此拆卸场效应管时需使用防静电的电烙铁，最好使用热风枪。另外栅极不可悬浮，以免栅极电荷无处释放而击穿场效应管。 也有双三极管、双场效应管封装方式。一类是单纯的两个管子封装在一起，还有一类是两个管子有逻辑 关系，如构成电子开关等。 贴片稳压电路的识别 稳压块主要用于数码电子产品的各种供电电路，为数码电子产品正常工作提供稳定的、大小合适的电压。应用较多的主要有5脚和6脚稳压块，外观与双三极管、双场效应管封装方式类似。如爱立信788、t18，三星600等数码电子产品较多地使用了这类稳压块。稳压块实物如图所示。当控制脚为高电平时，输出脚有稳压输出。一般在稳压块表面有输出电压标称值，例如：“28p”表示输出电压是2.8v。 贴片集成电路的识别 集成电路用字母ic表示。ic内最容易集成的是pn结，也能集成小于1000pf的电容，但不能集成电感和较大的组件，因此，ic对外要有许多引脚。将那些不能集成的元件连到引脚上，组成完整的电路。由于ic内部结构很复杂，在分析集成电路时，重点是ic的主要功能、输入、输出、供电及对外呈现出来的特性等，并把其看成一个功能模块，分析ic的引脚功能，外围组件的作用等。 由于ic有许多引脚，外围组件又多，所以要判断ic的好坏比较困难，通常采用在线测量法、触摸法、观察法(损坏或大电流时，加电发烫、鼓包、变色及裂纹等)、按压法(观察数码电子产品工作情况，从而判断ic是否虚焊)、元件置换法和对照法等。 数码电子产品电路中使用的ic多种多样，有射频处理ic、逻辑ic、电源ic、锁相环ic等。ic的封装形式各异，用得较多的表面安装集成ic的封装形式有小外型封装，四方扁平封装和栅格阵列引脚封装等。 1．小外型封装 小外型封装又称sop封装，其引脚数目在28之下，引脚分布在两边，数码电子产品电路中的存储器、电子开关、频率合成器、功放等集成电路常采用这种sop封装。 2．四方扁平封装 四方扁平封装适用于高频电路和引脚较多的模块，简称qfp封装，四边都有引脚，其引脚数目一般为20以上。如许多中频模块、数据处理器、音频模块、微处理器、电源模块等都采用qfp封装。 对于小外型封装和四方扁平封装的ic，找出其引脚排列顺序的关键是先找出第1脚，然后按照逆时针方向确定其他引脚。确定第1脚方法：ic表面字体正方向左下脚圆点为1脚标志；或者找到ic表面打“·”的标记处，对应的引脚为第1脚。 3．球形栅格阵列内引脚封装 球形栅格阵列内引脚封装又称bga封装，是一个多层的芯片载体封装，这类封装的引脚在集成电路的“肚皮”底部，引线是以阵列的形式排列的，其引脚是按行线、列线来区分，所以引脚的数目远远超过引脚分布在封装外围的封装。利用阵列式封装，可以省去电路板多达70％的位置。bga封装充分利用封装的整个底部来与电路板互连，而且用的不是引脚而是焊锡球，因此还缩短了互连的距离。目前，许多数码电子产品，如摩托罗拉l2000型手机的电源ic、诺基亚8810型手机的cpu、数码照相机和数码摄录像机的cpu与dsp处理芯片、数码照相机的sd卡处nic、数码摄录像机的录像信号处理芯片等都采用这种封装形式。472表示该电容的电容量是4700pF。J表示该电容误差是5％，若标的是K，则表示该电容误差是10％，若是M，则表示误差是20％。后面的63表示该电容耐压值是63V。
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