每个Burst中含有多少bit的GP，DRAM中Burst length突发长度的单位是bit还是Byte
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-08-08 12:48:29
1，DRAM中Burst length突发长度的单位是bit还是Byte
既不是bit,也不是byte。举个例子：16位的数据总线宽度，BL=8，那么突发传输是传(16 * 8)bit，也就是16字节。
2，有一道英语题 我不懂 想请教一下
B的意思是“到如此程度以致”
整个句子意思是我的英语老师很幽默，会让每个学生大笑
A表目的
C的such后要接名词，such+n+that+从句
D的so后要接形容词或副词，so+adj/adv+that+从句
3，一帧有几个Burst
Burst的物理内容称为一个突发脉冲。一个时隙为576.91As(15/26ms)，即包含156. 25bit，有4种不同类型的 突发脉冲。 1. 普通突发脉冲(NB):用于携载业务和控制信道(除RACH外)的信息，它包含116个加密比特和 8. 25bit (30. 46ps)的保护时间。 2. 频率校正突发脉冲(TB):用于MS的频率同步。它等效于一个没有调制的载波(移频)，具有和NB 同样的保护时间，它和BCCH一起广播。FB的重复也称为频率纠正信道((FCCH) , 3.同步突发脉冲(SB):用于MS的定时同步。它包含一个很长的训练序列(training sequence),携载信 息TDMA帧号(FN)和基站识别码(BSIC)。它连同FB一起广播。SB的重复也称为同步信道(SCH), 4.接入突发脉冲(AB):用于随机接入，有较长的保护时间(68. 25bit即2521}s)，以便不知道时间提前 量的MS在做第一次接人时(或切换后)的突发脉冲传输。它允许MS与基站的最大距离为35km。该突发脉 冲用在RACH中和切换之后。
4，ddr2和ddr3是通过什么标准区分的性能差多少
DDR3与DDR2的不同之处 1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 3、寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2
5，内存的DDRIII与DDRII有何区别
1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 4、寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则
6，gsm采用什么交织技术
交织就是把码字顺序重新排列，以改善实发持续误码状况。它只是改变bit的位置，不加冗余bit，所以交织前后码速率不变。在实际传输中，比特差错经常是成串发生的。持续较长的衰落谷点会影响到几个相邻的比特，而信道编码仅能检测和校正不太长的差错串。交织技术就是把一条消息中的相继比特隔开传输，以非相继方式被传送。20ms语音段经信道编码为456bit，它们的传输不是从序号1到456，而是将456bit分为8帧，每帧为57bit，序号为1，9，17，25，……，449为第一帧，在没交织前，若连续错码为100bit，假设从序号1到100，这样就有一段消息都错；交织后，还是连续100个错码，此时为第一帧的57bit加上第二帧的43bit，再恢复为原序列后，则只有序号为1，2，9，10，17，18，25，26，……非连续出错，可通过信道编码来纠正。以上是GSM采用的第一次交织，它还采用了第二次交织，即在构成实发脉冲串burst时进行的交织。因为各信道是时分的，一个信道只在一个时隙中周期性地传输，将信息在一个时隙传输构成一个burst，时长为576μs，共有156.25位，而20ms语音段是分8帧，每帧为57bit，即一个burst可以传输两个帧，计114bit，再加上训练比特26和8个首尾比特，共计为148bit，加上burst之间的间隔时间为156bit。在这种传输方式下，若一个burst出错，则有114bit信息出错，占20ms语音的25%。在gsm系统中，信道编码后进行交织，交织分为两次，第一次交织为数据块的内部交织，第二次交织为数据块之间的交织。语音编码器和信道编码器将每一20ms语音数字化并进行信道编码，成为456bit的一个数据块。第一次数据块的内部交织就是将顺序为1，2，3…，454，455，456的456bit分成8列，每列57bit，第一列的57bit的顺序为1，9，…，441，449；第二列的57bit的顺序为2，10，…，442，450；…；第八列的57bit的顺序为8，16，…，448，456。如图2所示。 每个常规突发脉冲共156.25位，其中1～3位和146～148位为尾比特；4～60位和89～145位为114位用户数据比特；61位和88位为标志比特；62～87位为训练比特。各比特的作用见21.3.2。如果将同一20ms语音的两组57bit插入到同一常规突发脉冲序列中(见图3)，那么该突发脉冲序列丢失将会导致该20ms的语音损失25%的比特。显然信道编码难以恢复这么多丢失的比特。因此必须在两个语音数据块之间再进行一次交织，即块间交织。 分成8列的每20ms一块456bit话音数据，数据块见图4所示。这些数据块在相继的突发脉冲中的交织方法如图5所示。图中每一行为一个常规突发脉冲序列。从上往下的第一到第四个常规突发脉冲序列中，两个57bit组位置分别插入数据块n－2和数据块n-1中的各4列57bit(插入时，数据块n－2的57bit占偶数比特位，数据块n－1的57bit占奇数比特位)；第五到第八个常规突发脉冲序列中，两个57bit组位置分别插入数据块n－1和数据块n中的各4列57bit；……；依次类推。这样，每个20ms的话音共8×57bit分别插入8个不同的常规突发脉冲序列中，而每个突发脉冲序列中是相邻的两个数据块的数据。突发脉冲序列按从上往下的顺序发送。所以，即使在传输过程中丢失一个突发脉冲序列，只影响每一语音比特块的12.5%，而这能通过信道编码加以纠正。二次交织经得住丧失一整个突发脉冲序列的打击，但增加了系统时延。因此，在gsm系统中，在移动台和中继电路上增加了回波抵消器，以改善由于时延而引起的通话回音。
7，内存有几种
内存条储存、同时还是跟速度有关！我们说通俗点好了！结构上： CPU（运算）----内存（暂时储存）----硬盘（储存）我们无论是键盘还是鼠标，其实是向计算机发出命令；比如我们安了OFFICE2000 WORD ，我们要打开文件，其实“打开”，“关闭”、“复制”等都是一个一个的小程序（子程序）！现在一个程序动辄几十，甚至几百到NG的都有！但程序在硬盘储存的，它是一个机械设备，现在虽然硬盘的速度是7200转/分，但比CPU的处理能力差多了！CPU要不断调用子程序，返回处理的结果。如果直接CPU（运算）----硬盘（储存）就永远没发感觉和享受CPU的高能了！而为提高计算机的性能！我们加上“内存”，处于一个电子的高速度的设备CPU和底速度的机械设备硬盘间。她是一个电设备，速度快多了！将一个大的程序基本的子程序先入“内存”，将计算机运算的结果暂时存入“内存”。速度就大大的加快了！提高了计算机的性能！所以内存成了可以随时将战士投入战斗的前线兵营了！硬盘是大本营了！当然有的将内存比喻为商人的钱，确实，如果在菜市买肉，是钱包里的钱来的快还是银行里的钱来的快？？？如果内存大，更多的子程序可以调入，可以储更多的中间结果，当然计算机就快多了！当然不同品质的内存的速度还有区别的！速度高的当然好了！但内存暂时储存数据，一掉电里面的东西就完蛋了！内存的的成本较高，价格就高了，不可能一家伙造N G的！所以：内存条储存、同时还是跟速度有关供参考！现在的WINDOWS系统聪明多了！发现内存不够，就将不用的程序和结果“压”回到硬盘----虚拟内存了！用硬盘的部分代替内存的不够，但计算机的速度又慢了点，不过可以用啊！ 为提高计算机的性能，建议多点内存。 到了1G就可以不要虚拟内存了！受[markinghu]的鼓励，又修改和完善！要将一个科学的问题通俗化其实有点难！ 65
回答者： perfect_1986按级别分目前为止有DDR，DDR2，DDR3。其中DDR已经被淘汰，在市场上找不到新货的DDR内存。
按大小分有，128MB，256MB，512MB，1GB，2GB，4GB几种，不过，按照目前的内存规格，及电脑的性能的要求，现在基本上只有买2GB这种级别的内存了，因为现在的游戏，及操作系统所要求的内存现在是越来越大。而且，也为了其他硬件（诸如，CPU，显卡：GPU）的性能的发挥。像Windows Vista和Windows 7这种操作系统，一般都是需要2GB的内存才能流畅的体验。
按生产厂商分：可分为 金士顿，威刚，等等，不过现在最好的内存是金士顿的。
还有就是按照工作频率分，常见的有：667MHz，800MHz，1066MHz，1333Mhz，1666Mhz，这些工作频率的内存。
在目前的市场行情来看，购买金士顿 DDR3 2GB 1333MHz的内存现在应该是最好的。内存分DDR1 DDR2 和DDR3 3种 大小有128 MB 256MB 512MB 1G 2G 4G是对电脑有所了解的朋友都知道内存这玩意，可是，可能有不少朋友对内存的认识仅仅局限在SDRAM和DDR SDRAM这两种类型，事实上，内存的种类是非常多的，从能否写入的角度来分，就可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)这两大类。每一类别里面有分别有许多种类的内存。以下就让我们看看内存到底有些什么种类吧！
一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：
01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）
这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）
它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)
ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。
根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种：
1.MASK ROM（掩模型只读存储器）
制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）
这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）
这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）
功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。
5.Flash Memory（快闪存储器）
这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
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