1，英飞凌IGBT模块FF200R12KT3各个脚的功能什么呢 各自的英文标识

下个说明书或者参考文库资料http://wenku.baidu.com/view/5d5e7c5f3b3567ec102d8a1d.html

英飞凌IGBT模块FF200R12KT3各个脚的功能什么呢 各自的英文标识

2，英飞凌FF200R12KT3与FF200R12KS4有什么区别

开关频率的问题,KS4适用于电焊机等高频硬开关,KT3适合变频器等低频软开关
我不会~~~但还是要微笑~~~：）

英飞凌FF200R12KT3与FF200R12KS4有什么区别

3，英飞凌的IGBTFF200R12KT3开关频率一般用到多少K

100KHz以上的频率工作的IGBT都是很小的功率，这个功率段之所以没有被MOS管替代一般是因为IGBT耐压要比MOS管高点，可以达到1000V以上。大功率的应用由于开关损耗的限制开关频率很难提高，这个要靠你自己的设计能力了。现在最流行的是英飞凌的，另外还有专门用于高频的IGBT，可以多进浏览一下。
任务占坑

英飞凌的IGBTFF200R12KT3开关频率一般用到多少K

4，MOSFET AO3442是耗尽型还是增强型单单看数据表规格书怎么看

要看资料,这个型号不熟悉,英飞凌IGBT 全系列现货 FF75R12RT4FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF75R12RT4UC3846N FGW40N120HD FGL40N120AND IKW50N60T IKW50N60H3 IKW25N120T2/h3IKW20N60T IKW30N60H3 SKW30N60HSIKW40N120T2 IKW40N120H3 IKW40T120IDP45E60 IDW75E60 IDW100E60 IHW20N120R2 IHW30N120R2只有原装,只做原装
你好！MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。AO3422我认为是N沟道增强型，单从规格书上是看不出来的，需要问生产厂家。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

5，IGBT模块的KS4MT4YT4KT4封装有什么差别

最后一位是表示英飞凌的第四代IGBT，KS4有点特殊是第二代芯片倒数第二位T表示是关断较快但损耗偏高的，KS4有点特殊，关断超快损耗也超高倒数第三位K,M,Y表示不同的封装结构K是62mm经典封装的M是扁平结构低电感的
英飞凌IGBT模块型号的后缀有多种，后缀主要代表封装、开关特性、芯片代数。KS4: 以FF200R12KS4为例，后缀KS4中的K是62mm封装，S是高频，硬开关频率最高30kHz; 4是第2-3代芯片（KS4比例特殊，4不是第4代芯片，是2代向3代过渡产品），多用于高频感应加热及高频镀膜电源等领域；KT4: 以FF200R12KT4为例，后缀KT4中的K是62mm封装，T是快速型，硬开关频率最高20kHz; 4是第4代芯片；主要应用于变频器、变频电源、电磁电源等领域, （代理商：北京富凌联合电子有优势）。MT4，以FF200R12MT4为例，后缀MT4中的M是EconoDAUL2(扁平)封装，T是快速型，硬开关频率最高是20kHz，由于成本偏高的原因，市场使用的客户较少，多使用ME4系列，如：FF450R12ME4、FF600R12ME4, ME4是EconoDAUL3封装，多用于电动汽车、光伏逆变器、变频器等领域（ME4系列也是北京富凌联合电子的优势产品线，可以提供整体解决方案）。
你好！对模块了解不多但是封装肯定不是看KS4,KT4等位数例如FF200R12KT4,和FF200R12KS4，其中的KT4和KS4指的应该都是开关速度希望对你有所帮助，望采纳。
封装都是一样的！62mm
对模块了解不多但是封装肯定不是看KS4,KT4等位数例如FF200R12KT4,和FF200R12KS4，其中的KT4和KS4指的应该都是开关速度

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