boost电路占空比最大是多少，设计一升压型BOOST电路占空比若大于50会有什么问题
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-08 18:47:01
1，设计一升压型BOOST电路占空比若大于50会有什么问题
2，boost电路在实际中能把电压升高多少倍 通过仿真可以把电压升高10倍或
10倍没问题，占空比D=（Vo-Vi）/Vo十倍的话占空比90%左右，还能行呢。一般芯片的占空比最大能到95~97%。还要考虑损耗、负载等问题，最大也就是十几倍了。
3，我要做一个升压电路请问BOOST电路工作在DCM
可以换一个思路：把12伏直流通过振荡器电路变为中频交流，再经过铁氧体磁芯变压器升压，然后通过3-5倍压整流实现5000伏。boost升压电路中 占空比D=（Vo-Vi）/Vo，Vo是输出电压，Vi是输入电压。 从公式上看，你能把10V电压升到10000V或任意倍数的电压。 在工程上，占空比一般不超过0.9，所以工程的极限在10倍左右。
4，如何增大boost升压电路电流
oost升压电路中占空比d=（vo-vi）/vo，vo是输出电压，vi是输入电压。从公式上看，你能把10v电压升到10000v或任意倍数的电压。在工程上，占空比一般不超过0.9，所以工程的极限在10倍左右。没有比boost更成熟的升压方案了，如果需要输出电压输入电压比更高，可以接多级的boost升压。
5，boost升压斩波电路的效率
其实制约BOOST升压电路效率的主要因数是控制电路的功率《当然还有电感等等》，在负载相同时，控制电路的功率越低，效率越高，反之亦然。这个比较简单的吧，公式是输出电压=输入电压/（1-d）数据代入计算就行了。100=50/（1-d) 计算可得占空比d=0.5150=50/（1-d) 计算可得占空比d=2/3所以占空比的变化范围是50%—67%
6，升压boost电路输入电压1236v输出电压48v最大功率120w频率50hz
大概就是这么算的，可能部分值会算错，公式就是这样的，希望楼主可以给分，真的挺辛苦的1 .boost变换器的占空比D=[V0-VIN+VD]/[VO-VSW+VD],其中boost变换器是最小输入电压及VIN=12V，假设开关电压为1.5V，VD=0.5V,则D=0.777；2. 开关导通时间为TON=D/F=15US；3.开关导通时间电感上的电压是VON=vin-vsw=12-1.5=10.5V；4.根据伏秒数ET=10.5v*15us=157.5Vus；5.用L*I方程得 L*IL=ET/R,其中R为电流纹波率，则可得L*IL=525uh·A；6 IL=IO/【1-D】=11.2A，则L=46.9UH；7 若R=0.3，则峰值电流比平均电流大15%，IPK=（1+r/2)*IL=12.88A
7，Boost开关电源占空比过大会怎样
3843和3842都无法做，它们的误差放大器的参考电压都是在芯片内部直接给定的，需要拿误差放大器的正负输入端，输出端都有外接引脚的芯片。比如TL494等，单片机的DA端输出直流电压给误差放大器做参考电压就可以了。如果单片机没有DA功能，可以用PWM输出端加上一个RC滤波器代替。理论电压是在个元件正常工作的条件下推导出来的，你的情况恐怕是电感磁心已经超过负荷，进入磁饱和区，无法继续增加储能，因此占空比继续提高只能空耗电能，不能转换成输出。请换用额定电流更大的电感。
8，如何用matlab测量boost电路占空比
在电力电子系统的研究中，仿真研究由于其高效、高精度及高的经济性与可靠性而得到大量应用。近二十年来，仿真已逐渐成为电力电子技术研究的有力工具。Matlab语言的强大仿真功能和方便性受到广大使用者的广泛爱好。1. Boost电路的工作状态2. Matlab仿真分析 Matlab 是一种功能强大的仿真软件，它可以进行各种各样的模拟电路和数字电路仿真，并给出波形输出和数据输出，无论对哪种器件和哪种电路进行仿真，均可以得到精确的仿真结果。采用Matlab仿真分析方法，可直观、详细的描述Boost 电路由启动到达稳态的工作过程，并对其中各种现象进行细致深入的分析，便于我们真正掌握Boost电路的工作特性。仿真图如下所示：PWM电路的占空比是可以变化的，随着电路负载的加大，占空比也会变大。 不明白占空比如何设置这个问题。
9，关于boost升压电路的问题
过流说得我不是特别明白，我只能大概分析下原因，而且你现在也是在仿真不是实际调试。过流原因可能有：1：触发脉冲的占空比太大由Uo=Ui*T/Toff当触发脉冲的占空比过大时所以有启动时输出已经过压的可能从而导致负载过流。2：电感过小导致流过开关管的电流过流，电感过小时电感在开关管导通时容易饱和从而导致在开关管导通时很快进入短路状态（建议驱动频率低时电感要选择大点的）3：为达到滤波的效果升压电路后级采用的电容滤波也有可能导致过流。因为导通瞬间电容近似短路，当电容大时短路效果越明显。综述：改进方案是提高触发脉冲频率，采用软起动，电感也可调整。希望对你有所帮助d=(vomax-vin)/vomax=0.828电感电流il=io/(1-d)=3/29/(1-0.828)=0.6al=vin*d/f/il=5*0.828/40*1000/0.6=173uh.纹波取0.4, 最大电流ipk=il*(1+0.4/2)=0.72a所以你要去找一个,173uh, 额定电流大于0.72a的电感。如果还有问题请到大比特论坛问我，如果帮上了你的忙还望采纳答案！
10，boost电路
摘要：提出了一种Boost电路软开关实现方法，即同步整流加上电感电流反向。根据两个开关管实现软开关的条件不同，提出了强管和弱管的概念，给出了满足软开关条件的设计方法。一个24V输入，40V/2.5A输出，开关频率为200kHz的同步Boost变换器样机进一步验证了上述方法的正确性，其满载效率达到了96.9％ 关键词：升压电路；软开关；同步整流 引言 轻小化是目前电源产品追求的目标。而提高开关频率可以减小电感、电容等元件的体积。但是，开关频率提高的瓶颈是器件的开关损耗，于是软开关技术就应运而生。一般，要实现比较理想的软开关效果，都需要有一个或一个以上的辅助开关为主开关创造软开关的条件，同时希望辅助开关本身也能实现软开关。 Boost电路作为一种最基本的DC/DC拓扑而广泛应用于各种电源产品中。由于Boost电路只包含一个开关，所以，要实现软开关往往要附加很多有源或无源的额外电路，增加了变换器的成本，降低了变换器的可靠性。 Boost电路除了有一个开关管外还有一个二极管。在较低压输出的场合，本身就希望用一个MOSFET来替换二极管（同步整流），从而获得比较高的效率。如果能利用这个同步开关作为主开关的辅助管，来创造软开关条件，同时本身又能实现软开关，那将是一个比较好的方案。 本文提出了一种Boost电路实现软开关的方法。该方案适用于输出电压较低的场合。 1 工作原理 图1所示的是具有两个开关管的同步Boost电路。其两个开关互补导通，中间有一定的死区防止共态导通，如图2所示。通常设计中电感上的电流为一个方向，如图2第5个波形所示。考虑到开关的结电容以及死区时间，一个周期可以分为5个阶段，各个阶段的等效电路如图3所示。下面简单描述了电感电流不改变方向的同步Boost电路的工作原理。在这种设计下，S2可以实现软开关，但是S1只能工作在硬开关状态。 1）阶段1〔t0～t1〕该阶段，S1导通，L上承受输入电压，L上的电流线性增加。在t1时刻，S1关断，该阶段结束。 2）阶段2〔t1～t2〕S1关断后，电感电流对S1的结电容进行充电，使S2的结电容进行放电，S2的漏源电压可以近似认为线性下降，直到下降到零，该阶段结束。 3）阶段3〔t2～t3〕当S2的漏源电压下降到零之后，S2的寄生二极管就导通，将S2的漏源电压箝在零电压状态，也就是为S2的零电压导通创造了条件。 4）阶段4〔t3～t4〕S2的门极变为高电平，S2零电压开通。电感L上的电流又流过S2。L上承受输出电压和输入电压之差，电流线性减小，直到S2关断，该阶段结束。 5）阶段5〔t4～t5〕此时电感L上的电流方向仍然为正，所以该电流只能转移到S2的寄生二极管上，而无法对S1的结电容进行放电。因此，S1是工作在硬开关状态的。 接着S1导通，进入下一个周期。从以上的分析可以看到，S2实现了软开关，但是S1并没有实现软开关。其原因是S2关断后，电感上的电流方向是正的，无法使S1的结电容进行放电。但是，如果将L设计得足够小，让电感电流在S2关断时为负的，如图4所示，就可以对S1的结电容进行放电而实现S1的软开关了。 在这种情况下，一个周期可以分为6个阶段，各个阶段的等效电路如图5所示。其工作原理描述如下。 1）阶段1〔t0～t1〕该阶段，S1导通，L上承受输入电压，L上的电流正向线性增加，从负值变为正值。在t1时刻，S1关断，该阶段结束。 2）阶段2〔t1～t2〕S1关断后，电感电流为正，对S1的结电容进行充电，使S2的结电容放电，S2的漏源电压可以近似认为线性下降。直到S2的漏源电压下降到零，该阶段结束。 3）阶段3〔t2～t3〕当S2的漏源电压下降到零之后，S2的寄生二极管就导通，将S2的漏源电压箝在零电压状态，也就是为S2的零电压导通创造了条件。 4）阶段4〔t3～t4〕S2的门极变为高电平，S2零电压开通。电感L上的电流又流过S2。L上承受输出电压和输入电压之差，电流线性?小，直到变为负值，然后S2关断，该阶段结束。 5）阶段5〔t4～t5〕此时电感L上的电流方向为负，正好可以使S1的结电容进行放电，对S2的结电容进行充电。S1的漏源电压可以近似认为线性下降。直到S1的漏源电压下降到零，该阶段结束。 6）阶段6〔t5～t6〕当S1的漏源电压下降到零之后，S1的寄生二极管就导通，将S1的漏源电压箝在零电压状态，也就是为S1的零电压导通创造了条件。 接着S1在零电压条件下导通，进入下一个周期。可以看到，在这种方案下，两个开关S1和S2都可以实现软开关。 2 软开关的参数设计 以上用同步整流加电感电流反向的办法来实现Boost电路的软开关，其中两个开关实现软开关的难易程度并不相同。电感电流的峰峰值可以表示为 ΔI=(VinDT)/L （1） 式中：D为占空比； T为开关周期。 所以，电感上电流的最大值和最小值可以表示为 Imax=ΔI/2＋Io （2） Imin=ΔI/2－Io （3） 式中：Io为输出电流。 将式（1）代入式（2）和式（3）可得 Imax=(VinDT)/2L＋Io （4） Imin=(VinDT)/2L－Io （5） 从上面的原理分析中可以看到S1的软开关条件是由Imin对S2的结电容充电，使S1的结电容放电实现的；而S2的软开关条件是由Imax对S1的结电容充电，使S2的结电容放电实现的。另外，通常满载情况下|Imax| |Imin|。所以，S1和S2的软开关实现难易程度也不同，S1要比S2难得多。这里将S1称为弱管，S2称为强管。 强管S2的软开关极限条件为L和S1的结电容C1和S2的结电容C2谐振，能让C2上电压谐振到零的条件，可表示为式（6）。 将式（4）代入式（6）可得 实际上，式（7）非常容易满足，而死区时间也不可能非常大，因此，可以近似认为在死区时间内电感L上的电流保持不变，即为一个恒流源在对S2的结电容充电，使S1的结电容放电。在这种情况下的ZVS条件称为宽裕条件，表达式为式（8）。 (C2＋C1)Vo≤（VinDT/2L+Io）tdead2 （8） 式中：tdead2为S2开通前的死区时间。 同理，弱管S1的软开关宽裕条件为 (C1＋C2)Vo≤(VinDT/2L-Io)tdead1 （9） 式中：tdead1为S1开通前的死区时间。 在实际电路的设计中，强管的软开关条件非常容易实现，所以，关键是设计弱管的软开关条件。首先确定可以承受的最大死区时间，然后根据式(9)推算出电感量L。因为，在能实现软开关的前提下，L不宜太小，以免造成开关管上过大的电流有效值，从而使得开关的导通损耗过大。 3 实验结果 一个开关频率为200kHz，功率为100W的电感电流反向的同步Boost变换器进一步验证了上述软开关实现方法的正确性。 该变换器的规格和主要参数如下： 输入电压Vin24V 输出电压Vo40V 输出电流Io0～2.5A 工作频率f200kHz 主开关S1及S2IRFZ44 电感L4.5μH 图6(a)，图6（b）及图6(c)是满载（2.5A）时的实验波形。从图6(a)可以看到电感L上的电流在DT或(1－D)T时段里都会反向，也就是创造了S1软开关的条件。从图6(b)及图6(c)可以看到两个开关S1和S2都实现了ZVS。但是从电压vds的下降斜率来看S1比S2的ZVS条件要差，这就是强管和弱管的差异。 图7给出了该变换器在不同负载电流下的转换效率。最高效率达到了97.1％，满载效率为96.9％。 4 结语 本文提出了一种Boost电路软开关实现策略：同步整流加电感电流反向。在该方案下，两个开关管根据软开关条件的不同，分为强管和弱管。设计中要根据弱管的临界软开关条件来决定电感L的大小。因为实现了软开关，开关频率可以设计得比较高。电感量可以设计得很小，所需的电感体积也可以比较小（通常可以用I型磁芯）。因此，这种方案适用于高功率密度、较低输出电压的场合。麻烦采纳，谢谢!
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